内存时序twr什么意思
本期视频聊一下内存持续在购买内存的时候，厂商往往会为我们提供一些产品规格的说明，用我当前使用的内存条举例，这是一条 ddr 五六千的内存， 除此之外，还可以在一些产品规格介绍中看到这样的数字组合。当然了，如果再深入了解一下，我们知道他们的含义是这样的，只是大部分人可能还不清楚这些缩写意味着什么。今天我们就来了解一下他们。 计算机中很多组建都是周期性的工作，他们拥有各自的频率，内存也不例外。内存的时钟信号是方波，这是计算机常见的电路信号。最初的 sdr 只有在上升岩的时机才可以传输信号，而地点可以在上升和下降各产生一次信号。但 但是他们都是使用半双弓，总线在同一时刻只能进行读操作或者写操作，保留 ddr 特性，并将总线升级为 全双弓即可同时读写。就有了 qdr。 我们看到的那些持续数字，实际上单位就是周期，只不过他的周期可不是这些信号的物理周期。例如这两个箭头之间的 前的视频我介绍过，物理周期决定了核心频率， ddr 和 qdr 等通过信号、总线、育曲等技术放大了倍增系数，这使得有效频率和 io 频率得以显著提升，而持续的单位实际上就是 io 频率，它是有效频率的一半。 明白了时序的单位，我们再来看一下这些时序的定义。常见的时序有两组，分别是第一时序和第二时序。这里的安排非常符合逻辑，越考前的越重要， 所以我们暂时忽略第二时序吧，重点看一下第一时序，而第一时序最重要的自然就是 t c l， 最不重要的就是 t r a s。 接下来我们就解释 一下第一时序各自的定义，但是在此之前需要解释一下内存的操作流程。内存操作的逻辑实际上和我们现实生活的文字读写非常相似，假设内存的存储就是一张稿纸，我们需要在上面写字，我们会先选择写字的位置，先选行，再选列，然后落笔。 内存的读写逻辑也是一样的，为了确定坐标也是先行后列。但是在内存中，一个写字的格子叫做 sale， 而写入的内容不是零就是一，就像这样。 但是要注意，一个内存条可不是只有一张这样的稿纸，读写操作也可以多个同时进行。内存的读写操作往往是无序随机的，所以并不能简单的用一个流程图概括，但是还是可以用一个简单的时间轴来解释，只是不要认为这个时间轴是必然发生的顺序。 t r c d。 航巡指到列，巡指时间，顾名思义就是航地指到列地指的时间间隔，它的重要性排名第二，因为通常一行有很多列，打开一行寻找多个列是常见操作。 tcl 列地址信号时间定义了在读取命令发出后，到数据读出到 io 接口的间隔时间， 这是最重要的时序，因为这个操作是最频繁的。 t r a s。 内存行有效至预充电的最短周期，这个就很好理解了，相当于选择行开始，直到完成 io 操作的总时间。 就像看书一样，我们通常也不会一个字一个字的跳跃着找，所以这种操作非常少。它是第一时序中最不重要的时序。 trp 内存航地址控制器预充电时间，也就是一行 操作完成关闭后选择另一行的时间间隔。由于内存条的 io 操作很多是并行的，很多因素使得这个持续相对也没那么重要。 根据时序可以算出各种操作的延迟时间，还是用我正在使用的内存条举例，我们算一下 tcl 的时间，用四十除以 io 频率，也就是六千的一半。注意，频率的单位是兆赫兹，结果的单位是秒。 一兆是十的六次方，而一秒等于十的九次方纳秒。所以将这个公式简化一下，就是网上常见的延迟计算公式。我这里的结果是十三点三纳秒， 但是这和我用测试软件测试出的延迟明显差异很大。因为我们已经讲解了内存的工作原理，所以就很好理解了。 c 二过程也只是众多操作中最频繁的那一个，他只是影响延迟的最重要因素之一。 测试软件的延迟会受众多因素影响，综合得到一个平均值。此外，持续的数值是可以修改的，修改持续也是内存超频的一种形式。在 ida 六十四中查看 spd 信息，可以查到内存条在各个频率之下的安全。持续 持续降低后能否正常工作取决于内存颗粒的体质。点赞加关注，人生不迷路！
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01:10查看AI文稿AI文稿内存的失序是什么意思？嗯，就是咱们在选内存条的时候啊，除了看那个颗粒啊，决定于内存的稳定性以及超密性能，还要看他的频率，就是干活快慢啊。 频率还有一个很重要条件呢，就是持续， c 三二， c 三六 c 三四，这个就是所谓的持续，持续呢影响着内存的延迟，也就是享用时间， cpu 呢就是老板。而内存呢，就是我们的小秘书，频率代表小秘书的工作速度，而持续代表小秘书的反应速度。 当老板发出一个指令，同时给两位小秘书的时候，持续低频率低是这样的， 持续高频率高是这样的，但也许两个小秘书 同样的事情，时间是一样的，所以有时候六千四 c 三二时序与六千八 c 三四时序的内存，他们两款内存的性能可能是一样的。各位总裁们看看自己的内存时序到底是啊还是啊？
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00:44查看AI文稿AI文稿对于内存，可以稍微夸张点说，内行看时序，外行看频率。内存时序是描述内存条的性能的一种参数，一般数字是 abcd， 分别对应的参数是 cltrcdtrp 以及 tras， 其中前两位是最为常见。 cl 表示延迟的长短，在同频率下， cl 值越小，内存条的性能就越好。例如十五乘以二，除以两千一百三十三等于十四那秒。 另外，从 ddr 一到四， cl 值越来越大，相反说明 cl 越大，能上去的频率就越高。 第二位， t、 r、 c、 d 值对于内存最大频率的影响最大，在电压或者 c l 值一样的情况下，想要上高频，只能把 t r、 c、 d 的直增大。
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00:31查看AI文稿AI文稿内存的时序是什么？该怎么选择？挑选内存的时候，除了容量与频率之外，内存的时序也是一个重要的参数。简单来说就是内存的延迟。内存读取数据时需要的时间，在频率相同的情况下， 需要的时间越少，读取的速度也就越快。内存的时序实际由四个参数组成，而 cl 值是衡量内存时序最直观的参数，如厂商在产品宣传界面标注的 c 三二， c 三四， c 三六等等。 cl 值越低，代表着内存的延迟越低，速度也就越快。
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