sic外延片工艺流程
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09:49查看AI文稿AI文稿大家好，我是新替步无锡。今天我们聊的话题就是这个华为频频投资的香饽饽，探华为外沿。近两年，华为可谓是全面进攻功率细节， 尤其是在碳化硅领域，华为可以说投资了一整条产业链，包含碳化硅衬底、外沿器件、衬底制造设备等领域。 在探外归外延方面，华为更是多次出手。二零二零年，华为旗下哈勃投资增资入股探外归外延厂商汉天天成。 二零二一年七月，华为哈佛再次投资泰华龟外研企业东莞天日。泰华龟外研究竟有何魔力，能让华为频频出手不足？之前的一期视频我们已经讨论过，泰华龟最为关键的技术沉敌 碳化硅外研则是生产第二核心。我们从三个角度先初步了解一下碳化硅外研。首先，从碳化硅器件的成本结构来看，称体占比百分之四十七，而外研占比百分之二十三，仅次于称体之辈，是碳化硅器件制造产业链的重要组成部分， 称低于外研，占据百分之七十的碳化硅器件成本周至于材料端的质备难度大、量率低、产能小，目前产业链的价值集中于称体和外研这两个部分。 其次，外沿工艺是整个产业中起着承上级下作用的关键工艺，由于现在所有的器件基本上都是在外沿上实现， 所以外沿的质量对期间的性能影响是非常大的。而外沿的质量，它又受到晶体和称体加工的影响，处在一个产业的中间环节，对产业的发展起到非常关键的作用。然后我们回归到该 外沿，是指在秤底的上表面生长一层单金材料。碳化硅外眼片是指在碳化硅秤底上生长了一层有一定要求的与秤底精相同的单金薄膜的碳化硅片。在导电型碳化硅秤底上生长碳化硅外沿层能治得碳化硅铜制外眼片。 在版权运行碳化硅称体上生长，单化加外研层则能制得碳化硅及蛋化加抑制外研片制备。碳化硅外研生长方法与经济生长方法相近，化学七项成绩法、腋下外研法、升华或物理七项传输法、 分子术外研法等等。其中 pvt 法和 lp 一法最初多用于生长晶体，后来也用于外研生长，但是目前主流的方法是采用 cvt 法进行统治外研生长，它是利用在一起将反应原气体输送到生长室内的热区，原气体被热分解成 单个原子或一两个原子团，进而通过扩散迁移过程连续不断的到达称体表面而生成所需的薄膜材料。常用设备为热臂式水平外沿炉，常用反应前具气体为硅顽、甲顽、乙烯等，掺杂原为氮气和三甲机铝 隐形，生长温度范围为一千五百到一千六百五十摄氏度，生长速率五到三十微米每小时。碳化归外延的生长参数要求是很高的，受设备密闭性反应是气压、气体透露时间、气体配比情况、沉积温度控制等多重因素影响。 厚度和掺杂浓度均匀性是碳化柜外沿最基本、最关键的参数，而这参数其实主要取决于期间的设计，比如低压期间一般为六百伏万页，厚度在六微米左右，中压为一千二百至一千七百伏，万页厚度为十至十五微米， 高压在一万伏以上需要一百微米以上外延厚度，所以随着电压增加，外延厚度随之增加，高质量外延片的支备也越来越难，特别是高压应用缺陷控制是一个非常大的挑战。此外，我们还要了解一个重要工艺参数，碳硅原子比率。 前面提到的 cvd 技术的优势其实就是在生长过程中可以控制气象中叹为原子碧绿，它的变化不但能影响外沿层的背景掺杂浓度，改变外沿层的导电类型，而且外沿生长速率、外沿缺陷密度、外沿层表面粗糙度等与 碳规原则比例也有较强的依赖关系。但是早期碳化硅是在无偏角称体上外延生长，使用 cvd 法存在严重的多形体混合问题，实际外延效果并不理想，难以置被清洁。二十世纪八十年代台阶流生长模型的诞生一定程度上解决了这个问题。 这种方法通过台阶流的生长来实现一定厚度和掺杂的碳化硅外研材料根据不同的掺杂类型分为 n 型和 p 型外沿片，之后发展为结合四度斜切的四叶区碳化硅单晶称体台阶控制生长技术的 cbd 外沿工艺， 使外沿表面形成高密度的纳米及外沿台阶，可在一千五百摄氏度左右的温度下制备均音箱的外沿层。台阶控制外沿法的优点在于不仅能够实现低温生长，而且能够稳定进行的控制， 其生长温度可以降至一千二百摄氏度甚至更低，而不产生三 c 套会加大小，但随着温度降低，表面缺陷密度和背景，但掺杂浓度会显著增加， 生长速率也会受到较大影响。因此，选择合适的温度和称体片角是实现碳化规外延快速高质量制备的关键。另外，这种方法的缺陷在于无法阻断 机品面未错以及会对称底材料造成浪费。经过几十年的不断发展完善，台阶控制外研法已经比较成熟，成为碳奥会外研的主要技术法案。此外，作为对 cvd 法的改进， tss 法已慢慢进入了碳奥会外研领域。 该法采用三律轻规代替规玩，作为前去七题，可以同时实现生长素质大幅提升和质量的有效控制，非常有利于探望归后门外延生长。二零一四年，这种技术率先拥有意大利 lpe 公司实行商业化。二零一七年左右 s 强公司对设备进行的升级改造，并将该技术一直到了商业化销售的设备中。 好了，讲完生产工艺，不得不聊的话题就是缺陷问题，而控制碳化硅外沿缺陷是具备高性能器件的关键缺陷，对碳化硅工具期间的性能和可靠性有严重影响。碳化硅外沿层中的缺陷包括微管贯穿螺 型未错、 tsd 贯穿韧型未错、 ted 机屏面未错、 bbt 等这些称体缺陷。此外还有三角形缺陷、胡萝卜缺陷、堆作层错、掉落物缺陷、晦性型缺陷、小坑缺陷、台阶聚集等外延生长期间宏观缺陷。关于这些缺陷的声音、危害以及消除方法等内容， 我会在视频最后以图片滚动的形式呈现，这里就不再展开详细讲话。总结一下，基本上很多缺陷都是从称体中直接复制过来的， 所以说称底的质量优劣、加工的水平高低，对于外延的生长来说，尤其是缺陷的控制起着关键作用。 随着碳化硅工具器件制造要求和耐压等级的不断提高，碳化硅外研材料不断向低缺线、户外沿方向发展。在中低压应用领域，国内碳化硅外沿片的核心参数、厚度和掺杂农 可以做到角油水平二十微米及以下的碳化硅化，原产能接近国际先进水平，能够满足中低压的 sbdjsb、 most fate 等七件需求。在高压应用领域， 国内外沿技术发展相对落后，主要体现在厚度、掺杂浓度、均匀性的方面，一定程度上限制了高压器件的发展。而高压器件类型却在于双节器件， 对勺子寿命的要求比较高，要达到一个理想的真相电流，其勺子寿命至少要达到五微苗以上。目前外一片勺子说明的参数大概在一到两微苗左右，因此无法满足高压气焰的需求，相关技术极大突破。 在厚度发展上，随着碳化灰功率、期间制造要求和耐压等级不断提高，厚度也从过去的几微米、十几微米发展到几十甚至上百微米。碳化硅外沿尺寸主要受制于碳化灰趁地尺寸，大尺寸 会外延片占比成逐年递增的趋势。当前六英寸太阳辉称体已经实现商用，因此太阳辉称底四英寸会逐渐淘汰。六英寸是未来几年的主流，国内目前已有百分之九十左右的产能切换到六英寸。之前的视频也提到过，部分先进厂商已经研发出八英寸太阳辉称底， 但其进入碳奥会功率器件制造市场将是一个漫长的过程。随着八英寸碳奥会外研技术的逐渐成熟，未来可能会出现八英寸碳奥会功率器件生产线。 此外，外延片尺寸的增大往往会伴随外延金片均匀性的下降，因此，大尺寸外延金片均匀性的控制是提高旗舰良率和可靠性，进而降低成本的关键。 目前，泰奥威外研技术已与泰奥威外研设备高度融合，外研设备主要由意大利 lp 公司、德国 s 强公司、日本 tl 和牛肥尔公司所垄断，国外的道康宁 officeb 的 etc 以及国内的汉天天成天热半导体和中国电科等探奥。国外影片厂商使用的设备均有来源于这四家公司。 而国内外沿设备厂商主要有北方华创精神机电、深圳大赦四十八所等。目前因为疫情等因素，国外设备交期普遍在一年半到两年以上。国内因电动汽车等下游需求爆发，外沿厂商迎来扩产潮，有望推动国产设备替代加速。 而纵观全球外沿厂商来看，海外探望归外沿企业主要由沃尔沃斯币、高一、罗姆到康宁、昭和电工、三菱电极、依法扳倒体、林飞林等等。海外探望归市场以 idm 为主，沃尔沃斯币罗姆、依法扳倒体都是领先的 idm 企业，后两者均通过 过收获的方式成功进入碳奥会称底和外研市场。高一则是传统的称体和外研片生产商，国内碳奥会外研厂商主要有汉天天成、东莞天域、普兴电子、五十五所、三安光电、中电化合物、启迪半导体以及百十半导体等等。 好了，这就是今天他要跟外言相关的全部内容，感谢大家的收看。如果有一些想了解的芯片半道题话题可以视频下方评论，对了，最后别忘了一键三连，谢谢大家。
755芯TIP
01:35查看AI文稿AI文稿喂，社长，有个手势舞比赛我知道了，宝宝们记得都来给我投票哦，就你全家最好看。谢谢宝宝们的喜欢，我会更努力的。 我丑到你了吗？不想看就滚出我的直播间。小美不用在意键盘侠说的话，我就觉得你很好看呀，等你什么有喜欢了不起啊。哎， 看你怎么赢我下一位。好美丽老师好，开始吧，泡沫洗手心手心，这不是我自创的手势舞吗？他怎么会？但但 有了，千算万算，没想到输给自己了吧。这次的奖金我拿定了。是金子总会发光，玻璃渣子只会反光。你泡沫洗手心手心搓手背，姿势要全对。
186.3万辛九儿
09:54查看AI文稿AI文稿朋友们，这期聊一个 s i c。 碳化硅赛道的冷门变量。一说 s i c 降本，所有人都在盯着趁底扩镜、外延良率、芯片产物， 但你有没有想过，芯片做好之后，怎么把它稳稳的贴到模块里？这道工序正在悄悄的改写。成本曲线对，简单说就是一个材料的切换，从银烧结变成铜烧结。 但千万别以为这只是铜比银便宜的简单替代，这组数据的真正信息量比金属价差大得多。银什么价？铜什么价？银浆料一公斤大概八百美元，铜浆料一公斤才十美元。但这不是重点， 重点是铜烧结带动的全流程成本重构，省的钱远不止材料本身好。这就是本期要拆开的那个核心问题。 屏幕左边是市场对铜烧结的默认认知，铜便宜所以能降本，但性能不如银可信存疑。屏幕右边是数据实际。再说的是，铜烧结的几项核心性能已经和银烧结站在同一梯队了。 而且最关键的是，过去市场把 s i c。 降本的注意力几乎全部放在前端。趁底外延、芯片量率这些当然重要，但它们周期长、资本开支重、兑现速度慢。 封装环节不一样，它不是成本最高的单一环节，但它直接影响模块热阻可能性和客户认证周期。铜箔节可能是 s i c。 降本中更快见效的那个变量。来先看铜箔节真正的降本逻辑，说铜比银便宜没错，但不完整。 功率模块封装不是单纯买材料，它是一整条制造系统、储存条件、印刷方式、预干燥时间、贴片方式、烧结温度、压力、窗口、产线、节拍量率，每个环节都会影响最终成本。 如果铜烧结只是材料便宜，但工艺更慢、温度更高、量率更差，它就不会成为产业方案。那实际数据怎么说？ connex 和德国 fronthopper 研究所的数据非常具体。 银烧结流程，材料要冷冻或冷藏储存，不同印刷方式要用不同配方，预干燥要一百二十到一百四十度等十五到三十分钟，芯片贴装还要加热或涂注粘剂。 铜烧结流程改成了室温储存，单一配方通吃钢网和丝网。印刷预干燥降到一百度，只要十分钟就在空气里，芯片室温贴住，年季都省了，预干燥温度降了百分之四十，时间砍了四分之三。这不光是材料便宜，整条产线的节奏都不一样了。 就是这句话，铜烧结的成本优势不是一克浆料的价格差，是整个制造流程的重新设计好，成本讲清楚了，但很多人会说，铜嘛，便宜是便宜，性能跟银能比吗？这组数据可能会让你重新想一遍。 低温铜烧结的最高浮逸温度超过五百度，连接强度超过三十兆帕，热导率超过两百瓦每米，开尔文电阻率低于十微欧厘米。 亨口新一代压力辅助铜烧结材料，热导率直接干到三百以上，工艺压力降到十到十五兆帕，烧结温度两百到两百五十度等一下，这些指标跟银烧结比，到底谁强？ 在同一梯队，低温银烧结也是高浮逸温度、高连接强度、高热导率，但它的材料成本指数远高于铜烧结。铜烧结不是因为性能弱才便宜，它的理论性能完全称得起高温功率封装。铜唯一的短板是氧化问题， 铜容易氧化，氧化层会影响颗粒烧结界面结合和长期可靠性。所以问题不是铜行不行，而是铜在真实模块里能不能长期稳得住。这让我们聊到一个更大的背景，为什么封装这件事突然变得这么重要？ 打个比方你就懂了，你把一辆法拉利的发动机塞进一台家用车的转动系统里，发动机再强，转动轴受不了那个扭矩，一脚油门下去，先断的是轴 宽径带。半导体面临的就是这个情况。 s i c 的 芯片本质能扛更高节温，跑更大功率密度，但封装界面未必扛得住长期热循环， 对芯片和封装之间的边界在变模糊。芯片背面金属化怎么设计？基板用 a n b 还是 d b c？ 连接层用银烧结还是铜烧结？顶部用键合线还是铜夹片？每一个选择都会共同决定模块的热阻寄生参数和循环寿命。 封装从配套环节变成了性能释放的瓶颈，那铜箔节到底能不能扛住可信的硬数据在哪？德国 fronthopper 的 测试结果很硬， 负四十度到正一百五十度，保持三十分钟，一千五百次热冲击之后扫描升学显微图像上看不到任何分层。 这对产业化非常关键。因为功率模块的失效往往不是一次性的，而是长期热机械硬币积累后的界面退化。功率循环的表现呢？那个更接近真实工况？ a q g 三二四标准功率循环测试， s i c 器件首次失效大约在七万次，部分样品跑了超过十万次。重点来了，失效是从哪里开始的？不是铜烧结的 d t s 结构分层 烧结界面本身保持稳健，所以可信性平静不在铜烧结本身，而在模块堆占的其他地方。这个结论跟市场之前的判断是反的。对过去的担忧是铜烧结不可靠。数据说的是铜烧结没问题，问题在别处。 这个重新定位对铜烧结的产业化推进非常关键。但还有一个容易被忽略的门槛，铜烧结不是材料厂一家能搞定的事。 数据特别说明问题。同一款铜烧结，浆料在两百七十五度五分钟十五兆帕的标准条件下，放到镍、金、钛、凡镍、银、纯铜三种不同的芯片背面，金属化上，剪切强度差异非常显著，铜金属化体系表现最优。 所以光有好的铜浆料还不够，芯片背面用什么金属基板怎么处理，全部要一起设计。这就是铜烧结产业化的核心壁垒，它必须由器械厂、材料厂、封装厂和终端客户共同参与模块平台设计。 对先发者来说，一旦这个协同体系跑通了，认证周期本身就是护城河，后来者很难短期内复制 好了性能，验证了避雷，看清了铜箔节最先落地在哪。 s i c 功率模块、车载逆变器、车载充电机、 o b c d c d c 转换器、光伏储能、工业电源。这些场景同时具备三个条件，工作温度高、安全性要求强。 下游有明确降本诉求，具体有厂商在推进吗？昂塞米的一千两百伏 s i c 牵引逆变器模块资料明确写了，为了提升可能性和热性能，芯片贴装采用烧结技术，按 a q g 三二四标准设计。 wolfspeed 的 也在强调，烧结芯片贴装加铜夹片互联是提升模块热管理和功率循环能力的关键。 infineon， st r o h m。 都在跟进，但铜烧结不会一夜之间全面替代银烧结吧？ 当然不会，它先在特定 s i c。 模块中导入，再进更大面积连接，先在金属化可控的设计里验证，再进更复杂的车规平台。 gan 和五 g 射频那边短期不会简单复制 s i c 的 导入节奏。 收一下铜锣节给产业链带来的变化，概括成三条路径，第一条，模块成本直接下降。 银锣节的高材料成本决定了它只能待在高可靠应用里。铜锣节如果能在特定场景接近银的可能性，就会直接拉低封装成本。第二条， s i c。 渗透率提升，封装成本降了， s i c 就 能从高端车型和高端工业设备往更广的市场扩散。第三条呢， 头部旗舰厂的竞争方式会变。 onsammy、 infinite、 st， wolfspeed、 r o h m。 这些玩家之间以后不止看金源能源和导通电阻，会越来越看模块封装能力、核心曲线、热管理能力和客户认证周期，封装的权重在上升。 总结一下铜烧结这件事，表面上是同比银便宜的材料替代，实际上它是在重构 s i c。 功率模块的封装成本曲线。 过去大家盯着衬底和外延降本，但封装这个变量兑现节奏可能更快，被市场低估的也更厉害。核心数据再重复一遍，低温铜烧结服役温度超过五百度，一千五百次热冲击无分层 a q g 三、二四功率循环下，烧结界面保持稳健，它和银烧结的差距 不再，性能在氧化控制和量产一致性风险也清楚。大面积连接还没验证完，车规湿热老化和膜封兼容性还在跑量，产量率需要继续爬坡。 简单说，铜锣节是 s i c 产业从性能竞赛走向系统成本竞赛的一个信号，谁先在封装侧把成本打下来，谁就有机会把 s i c 推向更大的市场。对，而且它不会自己冒出来，需要芯片厂、材料厂、封装厂和车厂坐下来一起设计。 先跑通这个协同体系的玩家，能在认证周期上获得可观的先发优势。好，感谢收看这期，记得点赞订阅价值投资合伙人也欢迎到我橱窗看一下，有精选的投资书籍，帮大家建立系统框架。 本内容仅代表个人观点，基于公开产业数据分析，不构成任何投资建议。市场有风险，入市需谨慎。
79价值投资合伙人
04:02查看AI文稿AI文稿大多数人聊 ai 算力就是 g p u h p m， 但很少有人真正去追问一个更底层的问题，光模块里的激光芯片到底是从哪来的？这大概是 ai 产业链里最不起眼却最要命的一个环节。价格半年飙涨七成，三英寸以上大尺寸金元被出口管制，卡的死死的， 国产厂商量率还上不去，如果这片小小的金元断供，整条 ai 算力链条都得压活。更刺激的是一组让人倒吸凉气的数字， 一片两英寸外研片，理论上能切出一万颗一百至 e m l 激光器，但扣掉切割损耗、良率、翻车、封装报废，最后能用的也就两千颗出头。 产能瓶颈根本不是钱能解决的。设备工艺 noha 样样都是硬骨头。阴屁精元和外研片到底在光模块里扮演什么角色呢？简单理解，林化英，阴屁精元是地基，外研片是在地基上盖的房子。 光模块里的 eml 电吸收调制激光器和 c w 连续播激光器芯片都得靠阴屁外延片来生长。 ai 数据中心对八百 g 一 点六 t 光模块的需求爆发，直接拉动了上游材料的需求。没有外延片，光模块就是一块废铁， gpu 再强也只能干瞪眼儿。 技术壁垒到底有多高呢？国产差距有哪些？英 p 金源制造的核心难点就两个，一是把多金转成单金，二是清洗和表面处理金属残留和杂质，必须压得越低越好。这听起来像是基础化工，但能做到全球顶级的，也就驻有电工 j x metal a x t 那 几家。外延篇的技术壁垒更高， 三座大山 m o c v d 设备性能，阴屁精元本身的质量，以及材料工艺和外研结构设计的行业 know how， 尤其是六英寸大尺寸外研片，设备和工艺参数的要求陡然上升， 国内基本还在学步，武汉九峰山实验室是目前国内六英寸外研片的主要攻关者，国产厂商的问题也很现实。云南者业 vital materials 在 阴屁精元领域算是国内头部， 但单晶拉制量率偏低，工艺控制稳定性低于海外同行。万元片这边，华星激光、 wiffer、 china e p house 几家独立厂商也在追，但量率和稳定性暂时落后。英 p 晶源全球第一梯队很清晰。驻友电工 jack's metal a x t 中国市场里， 云南者叶和 vital material 算是能打的，但跟前面几位比，差距客观存在。外延片市场分两类玩家，一类是第三方代工厂，比如 iq e landmark， 专门给下游芯片厂做外延片。另一类是 idm 大 厂，比如 coherent lumen， 自己从外延到芯片一条龙搞定。 idm 厂商对代工厂的溢价能力更强，因为掌握了下游芯片设计和封装的主动权。两英寸英 p 金元从二零二五年底的五百到六百元每片涨到了现在的八百五十到八百八十元。三英寸金元从一千八百元飙到三千两百元，外延片涨得更狠。两英寸 e m l 外延片从四万多元涨到六到七万元， 三英寸 c w 外延片从五万元涨到七万元以上，半年左右的时间涨幅普遍在百分之四十到百分之七十之间，部分品种接近翻倍。 i x tron 的 g 四设备，这是目前外研片生产的主流装备。单台 g 四每月 e m l。 产出大约三百五十到四百片 e w。 激光器，因为外研生长轮次更少，产出比 e m l 高约百分之二十。 听着好像不少，但别忘了，这是单片外研片的产出，不是芯片数量。真正让人心惊的是下游的损耗。一片两英寸外研片理论上最多能切出一万颗，一百只 e m l 激光器 切割要损耗一批量率，再筛掉一批封装还要报废一批，最后实际能用的只有两千颗出头。也就是说，理论产量的百分之八十，都在中间环节蒸发了。光膜快场喊缺货不是没道理的。林焕英外研片这个赛道，完美全释了什么叫 ai 产业链的暗交。 水面之上是 g p u 巨头们的市值狂欢，水面之下，是材料、设备、工艺的长期苦战，价格暴涨只是表象，主要原因是我国在高端金源和外延片上的自主可控能力，还不足以匹配下游光模块的爆发式需求。 当所有人都盯着英伟达财报的时候，也许更应该看看这片小小的金源。它不贵，但它缺了 ai 算力就转不动。
16大宝调研
6349火焰
19:21查看AI文稿AI文稿第二段视频我来给大家讲这个二零二三年下半年模拟盘的第一套里面的 word 操作题啊，所以我们现在呢，还是先登录到 第一套试卷，点击 word 操作题标签，然后单击右边，打开考生文件加按钮。 那这样呢，我们可以看到，打开了这个 word 操作题的这个文件夹窗口里面呢，一共有三个文件 啊，其中 word 参考要是这个文档呢，他是一个待会我们会用到的一个参考文件啊，这个水印这张图片呢，也是我们要用到的一个素材，那我们还是要双击打开咱们这个考生 文档 啊，打开之后，我们关闭左边的这个文档恢复窗口， 然后把考试的主界面啊，依然是设置成这个窗口切换的状态。 好，那么下面我们来看第一题啊，第一题设置纸张 a 四，页边距为上下左右各二点八厘米，设置图片页面背景填充图片为就是刚刚咱们这个文件夹里的一张图啊，水印的这一张这个素材的图片。 好，那么关于纸张设置呢，首先我们单击页面布局，点击纸张大小按钮，再点击下面的其他页面大小， 那么在这个窗口里面呢，我们首先设置纸张大小的规格为 a 四， 再点击页边距标签。呃，根据题目的要求，我们把这个页边距的上下左右都设置为二点八厘米， 点击确定， 然后左键单击开始菜单 上面的页面颜色按钮，再单击下面的填充效果 啊，填充效果窗口里面呢，我们首先单击的是图片标签 啊，在单击下面的选择图片按钮， 到这一步的时候大家就需要注意了啊，因为我们从 这个文件搜索的查找的这个窗户里面呢，我们首先要确定啊，就是刚刚这个 word 操作题的文件，它的路径是在哪啊？一般默认安装的情况下，我们这个 呃考生整个的这个考生文件压窗口呢，它是保存在我们计算机的 c 盘，也就是我们首先单机本地磁盘 c 啊，然后呢，在这些文件夹里面找到我们刚刚设置的这个模拟考号的文件夹啊，也就是幺幺幺二八零二三二幺零零零零幺啊，双击这个文件夹， 打开它啊，再进入到 word 操作题的文件夹里面，这样呢，我们就可以找到啊， 刚刚我们这个啊这张素材的图片，单击，然后点插入，然后单击确定 啊，就我们其实可以看到这个水印呢，就是这种灰色的这个这个字样啊，在我们这个稿纸的背景里面就出现了，好，这是第一题，然后第二题 设置第一段落文字，碳化灰产业化驶入快车道，为标题样式，设置第二段落文字，上市公司纷纷抢时盛宴为副标题样式。好，那首先呢，我们 在第一段，其实也就是第一行的左边空白处，单击选中它， 然后呢点击开始菜单，在样式设置区里面找到啊，标题按钮，我们现在是看不到的，那么单击右下角的这个折叠三角， 找到标题左键单击啊，其实就是设置了一个自动的标题的格式啊，然后呢在单击第二行，也就是上市公司这一行，选中它 啊，再根据题目的要求找到负标题按钮，这单击啊，这样呢，就设计了一个这个啊，标题的格式和负标题的格式。 好，这是咱们的第二题啊，然后下面第三题在页 面顶端插入边线型提要栏文本框，将第三段文字中的记者采访了解到啊，一直到这个扩大规模，抢抓发展机遇 啊，其实这是一整句话啊，复制到文本框内。 好，那咱们首先单击 插入菜单，然后右边再单击文本框按钮 啊，在这个打开的文本框的列表里面找到边线型 提要栏这一个类型单击，然后呢在我们第三段啊，大家注意一下这个第三段呢，它是以这个 标题开始计算的，就标题算第一段啊，负标题算第二段，那也就是下面这个小字部分的第一段呢啊，这个算第三段， 在第三，最后用鼠标选中啊，我们要插入的这样的一句话， 右键菜单点复制啊，在单击文本框内的 任意处啊，右键单击在下面的粘贴选项里面，我们选择中间一项啊，合并格式按钮，单击。 好，这是我们第三小题的做法。 然后第四题在原文档第三段文本的最前面插入一个玉， 类别为文档信息新名称内容为内容 t 二、冒号。 好，那我们首先呢鼠标单击第三段的最前面，就是点到这个上 海的这个最前面， 然后单击插入菜单，在右边找到文档部件按钮单击，再单击域命令。 好，那么这个域灵灵的窗口打开之后呢，我们首先在左边的类别里面 单击，打开之后找到文档信息这一类 单击，然后鼠标点进新铃声下面的文本框啊，注入题目的要求，也就是内容摘要 加冒号，然后单击确定，再看第五题，设置原文档第四 d 至第九段 啊，要求段落首行缩镜两个字符，将原文件第四至第九段的段首文字。记者注意到设置为斜体加粗标准色红色双下横线。 好，那么从第四段开始，那我们就要注意识别了啊，因为我们目前就是刚刚添加内容。 g l 这一段呢，是第三段，这样呢，我们 在下面这一段的左边 鼠标左键双击啊，这其实就等于是自动选中了第四段。然后呢，为了避免选错段落啊，它是第四至第九段 啊，所以为了避免选错段落呢，我们可以先用鼠标滚道 第五段的最后一行的位置啊，左手按住键盘的上挡键，也就是 shift 键，右手在第五段的最后这一行的左边单击， 然后呢，左手松开 shift 键，用鼠标滚轮 滚动到第六段的最后一行的位置啊，再按住 shift 键，再鼠标左键单击啊，用这样的方法选中四五六七八九段啊，那也就是现在是第六段啊，继续滚动， 按住 shift 键，点这第七段，再松开键盘，继续滚动鼠标键这个滚轮， 按住 shift 键第八，再继续啊，用这样的方式呢，选中 所有的就是四五六七八九段。好，选完之后呢，我们首先菜单点击 开始，然后打开段落设置区的右下角，将特殊格式设置为首行缩镜二字符， 确定好，然后依次选中四到九段的 每一段的。前面这句话也就是记者注意到这样的文字内容。这个呢，我们用鼠标左键 先选中第四段的啊，然后呢，同样是要用键盘配合啊，这个键盘配合呢，我们左手需要按住键盘左下角的控制键，这样呢，右手继续选中第五段， 第一句话 啊，滚到第六段的位置之后呢，再次按住控制键，鼠标选第六段的前面啊，依次类推， 我们把各段的前面这一句话都选中。 好，那这样做的好处呢是什么呢？是提高我们这个操作效率啊，当然你要每一段一段的去设置这个五个字呢，也不是不可以，就是速度要稍微慢一点。而我们一次性选中之后呢，那就可以一次性设置 啊，设置鞋体，点击这个按钮啊，有倾斜按钮，再点击加粗按钮， 再设置他的标准色的红色啊，然后再在这个下划线按钮的右边点开，选择双线型的下划线，单击 啊，这样呢，我们就一次性的完成了第五题所有的设置。好，那么下面第六题，将文档复表统计数据后面的内容转换成二列七行的表格， 为表格设置浅色底纹样式啊，那我们首先把文 的滚动到最后， 然后在副表的第一行的左边的指尖空白处单击，别松手啊，鼠标左键往下唾液 啊，也就选中所有的下面的各行数据，然后呢，单击，插入菜单，单击表格按钮啊，这下面有一项叫做文字转换成文本，鼠标左键单击 啊，根据题目的要求啊，题目说这个内容呢，是转换成一个二列七行的表格，而我们现在默认的情况呢，就是一个二列七行，我们不需要进行这个改动，直接确定好，就原来这个 啊，这几行文字呢，就被转成这样的一个表格啊，然后为表格设置浅色底纹样式啊，就在我们上面的这个表格样式设置区，用鼠标去找到 浅色底纹的这一项，鼠标左键单击， 那么后面呢，将表格的数据转换成丙图，插入到文档中附表统计数据的前面保存文档。 好，那么首先我们鼠标点到副表这一行字的最前面啊，然后敲击回车键啊，然后呢鼠标再点入到就插入到，我们敲击出来这个段落，标记的 就是其实是一个空断路啊，插到他这个前面在 单击插入菜单，在图表按钮上单击 啊，在插入图表的窗口里面呢，我们左边先选择丙图，这是大类别啊，然后呢右边呢，我们可以看到啊，这个下面有六种啊，都是丙图的子类别啊，那题目说的丙图呢，他其实说的是子类别，所以我们单击子类别丙图按钮 确定 啊，这样你可以看到，其实在我们这个呃原始的文档里面呢，已经出现了这样的一个丙图啊，当然这个丙图里面并 并不包含 啊，咱们刚刚这个下面这个副表里的数据啊，这副表里的数据怎么样把它添加到丙图里面呢？ 我们先把副表里的第一列数据用鼠标选中，点击鼠标右键 复制啊，然后在我们这个右边就是自动打开的这样的一个以下表格里面， 点击 a e 单元格，直接鼠标右键里面粘贴选项， 下面点击匹配目标格式， 这样我们可以看到呢，这个默认的表格的数据的这个第一列呢，被替换成了我们刚刚复制的内容。好完了之后呢，再去 复制我们文档里面表格的第二列的数据 啊，然后再继续返回到我们右边这个 excel 表格，单击 b 一单元格，点右键，同样在粘贴选项里面点击匹配目标格式。 好，这样返回来我们就可以看到。什么呢？我们这个 丙图里面的数据啊，已经被更新成了咱们这个 文档里面这个表格的内容。 好，那么到第六题完成我们这个文档啊，这个 word 文档的编辑呢，就完成了啊，首先关闭掉刚刚自动打开的这个 excel 文档 啊，然后点击 word 文档的关闭按钮， 点击保存啊，再关闭 我们之前打开的 word 操作题的窗口，再返回到考试的主界面啊，交卷或者是测试得分 啊，这样呢，我们就这一套的 word 操作题的这个 ct 啊就做完。
105向斯巴达进发
02:10查看AI文稿AI文稿大家常听到的半导体外延 f taxi， 英文简称 epi， 代表在上方， taxis 代表有序晶体，指的是在晶体衬底上生长一层薄单晶层的各种工艺。这种新生长层为外延层，衬底与外延层一挤成为外延片。 当一种材料在铜质材料的衬底上进行外延生长时，该工艺称为铜质外延。反之，如果外延层与衬底是不同材料，则该工艺称为抑制外延。 硅外延是集成电路的主要制作工艺。与硅晶圆相比，单晶外延层无缺陷，且金格完整，可以覆盖衬底表面缺陷，提升硅片的纯净度。 它还有两大不可替代的核心优势，第一，精准控制突变式掺杂分布。第二，制作应变晶体层自由调控电子牵引力，是各类半导体器械生产的基础。 目前主流硅外研采用 cbd 化学气相沉淀一千至一千两百五十摄氏度高温环境下，硅原和氢气还原析出单晶硅。主流硅原包含硅氨、二绿、二氢氨、三绿、氢氨氨、四绿化硅生长时可以同步通入掺杂气体，如膨氨、磷氨或生氨， 通过气体分压精确控制掺杂浓度，形成特定电阻率的外研层。外研反应器根据衬底的数量可分为单片式和多片式。 单片式外延设备一般可加工尺寸六八十二寸，主要优点是均匀性较好。多片式外延设备一般可加工尺寸四五六八寸，产能大，成本相对较低。 在硅外延工艺中，外延基座等部件直接关系到高温反应环境的稳定性。六方半导体贴合客户真实生产工况，打造全套稳定方案， 从石墨原料选型、涂层创新精密加工，到全流程品质检测打通、材料工艺使用全闭环，为外延产线提供强效、稳定、可落地的配套解决方案，下期再会。
18六方视界
01:32查看AI文稿AI文稿今天再来讲一下抖音的拉黑功能。好，现在我们直接进入好友的抖音，然后点右上角三个点，这边有一个拉黑，直接把他拉黑。 好，我这边马上就看不到对方的作品了，我们再来看一下对方，看你的主页是什么情况， 对方被拉黑后也是无法看到你的作品，相当于是只要有一方拉黑，双方的作品都是互相看不到的。好，现在我们返回看一下拉黑后还能不能搜索到对方。 好，我拉黑别人，我还是可以搜索得到他的，测试一下这个账号就是有点不一样，我被拉黑了，我是搜索不到对方的，怎么解除拉黑呢？有两种方法，第一种就是 是进入对方的抖音，然后在同样的地方就是你拉黑的地方，这个按钮变成解除拉黑。第二种就是在抖音的设置里面找到隐私， 然后这边有一个黑名单，直接点击解除拉黑就可以了。好，现在已经是恢复正常了，然后我们再来搜索一下， 已经可以搜索得到对方了，但是发现有一个问题，就是你们拉黑之前双方是互相关注的，现在经过拉黑再解除，双方已经不是互相关注的，所以你在拉黑一个人之前要慎重。
8322设置侠
00:40查看AI文稿AI文稿抖音如果被人拉黑了怎么办呢？如果你被别人拉黑了，你是看不到他的视频的，包括他所有任何的消息，而且你也搜索不到他，那你不用着急呢，今天呢，我就教你一个好方法，建议呢，点赞收藏起来，你以后呢一定会用得到的。 首先呢，我们打开抖音右下角我的，然后呢，再点击右上角的三条杠，点击下方呢设置拉到底， 点击退出登录，然后呢再返回抖音主页，可以在右上角的放大镜啊搜索他的抖音号或者名字，搜索之后呢，你就可以看到他的视频，而且呢，他以后再也没有办法把你拉黑了，学会了吗？如果没有学会的话，多看几遍吧。
4289是大婷吖🐰
01:54
01:12查看AI文稿AI文稿大家好，今天咱们来聊聊半导体制造中一个特别关键的工艺，晶圆外研。你可能听说过晶圆，但外研这个词听起来是不是 有点陌生？简单来说，外研就是在晶圆表面生长一层新的单晶材料，就算给蛋糕抹上一层奶油，只不过这层奶油必须和底下的蛋糕保持完美的晶体结构对齐。 为什么需要这层外延呢？因为原始晶源的纯度或电学性能可能不够理想，而外延层可以精确控制杂质浓度和厚度，让芯片的性能更稳定。 比如在功率器件中，外延层能承受更高的电压。在光电器件里，它还能优化光的吸收和发射效率。外延工艺主要有两种，气象外延和液向外延。气象外延就像在晶源上下雪，让材料原子从气体中慢慢沉积。 叶向外延则是把晶圆进入熔融材料中占一层。无论哪种方法，温度和气体流速都得精确到小数点后几位，稍有不慎就会长出缺陷。 下次当你用手机或电脑时，别忘了里面可能就有经过外延工艺的芯片在默默工作哦！你还知道哪些半导体制造的黑科技？欢迎在评论区分享！
38街角的晚风
