芯片中的mos管在版图中怎么画
啊，这里有个知识点啊，也是一个面试比较爱问的知识点，就是 mose 款是几端器件啊？ mose 款是几端器件？ 有没有知道的？貌似一个貌似玩是几端起点啊，比如说我们常之前学过，你们肯定知道，就是三极管，三极管是三端起点对吧？啊？有积极起电极和射极，对吧？那么貌似玩有几端是几端起点，你们有知道的吗？ 啊，对，是四段起家，我看到有同学说了是四段起家啊，我们的 get 啊，我们的 source get 就是 这个啊，这个是我，他为什么叫做长线管，就是因为我们在 gate 上面施加一个电压，然后把下面的载油子拉上来，形成导电过道的一个过程啊，这就是 gate， 这个就是 source。 我们的圆啊，这个是 dream， 我们的漏漏端。最后一个是衬底啊，这是一个衬底啊，也可以叫做体端，也可以叫做背山啊，不同的工程师对他的叫法不同，但是他都 都是这一端啊，都是这一端啊，我们的版图啊，一般来说啊，如果是一个裸的袜子的话，是没有衬底的啊，我们王老师需要在上面加一排衬底啊，待会我给大家演示一下，你们就了解 啊。这是 mosber 的泡面图，就是从中间给它切开从中间给它切开啊，我们可以看到这是一个 这个方块是蓝色的独行龟啊，方块是蓝色独行龟，是 polly 啊，我们叫做 polly 啊，在我们现在用的这个韩国红利点一八的这个工艺里面，它的名字叫做 gate 啊，这个 polly 的名字叫做 gate 啊，待会你们可以在实践里面就可以看到， 然后 source 这边左侧是 source， 就是圆圆端，右边是俊，是俊端啊，是，是那个漏端啊，这是下面的披衬底，就是这些黑色的地方，黑色的地方啊， b 是 body， 这是我们的体端，这是我们的第四端啊，或者叫他背山，也可以是我们的第四端，中间都是拿二氧化为绝缘， 绝缘出来的啊，把上下，尤其是这里啊，尤其是这里我们的 gate 和底端啊，做隔离，做隔离，然后我们的 sos 是有金属啊，金属孔，金属瞳孔啊，怎么打进来的？这是我们的 m 一金属 啊，左右左右两边这一块小方块是金属，中间这是多金龟，对应在版图里面就是这一块，蓝色的是多金龟啊，左右两块啊，绿色的是金属啊，是金属 啊。然后我们就来说一版图设计，我先快速给大家看一下，给大家看一下，待会啊，大家也可以跟着我一块实践啊，跟着我一块实践， 这其实就是两个 moscow 啊，对吧？上面是 p moscow， 下面是 n moscow 啊，上面是 p， 下面是 n， 然后我们往往会用到一些特殊的层次啊，这是我们递交给那边代工厂时候，代工厂那边会告诉我们啊，你这边 是做的时候是怎么做的啊？你需要尊重什么规则，你的工艺层次都有什么啊，这些都会跟我们说啊，像这个啊，最外面这个白色的框框叫做恩威尔啊，叫做恩威尔。这面白色框框其实叫做恩威尔，然后是恩井啊，恩井，我们的 p 帽子板往往是要坐在恩井里面啊，这个红色的叫做 act， 是原区 啊，我先改个格点啊，是红色的是原区啊，绿色的是 m 一啊，在这边都有显示，对吧？这边是 m 一金属，它是金属层，金属第一层 c t 呢，是通孔， c t 是连接 m 一于 a c t 就是我们的有源区，连接 m 一和有源区的一个通孔啊，它是垂直的打到啊，垂直的打穿从 c t 到，呃呃，从 a c t 到 m 一的这个这个绝缘层的，是把这个绝缘层打穿啊，大家看到版图的时候一定要有立体意识啊， 你们看上去的其实是二 d 的平面的版图，实际上生产的啊，是这种三 d 的，三 d 的 mosquat 啊，三 d 的 mousquat 啊，一定要有这种这种意识，要有这种意识，三 d 要有立体意识，然后就是我们的 gate 啊， gate 对吧？要有 gate 啊， gate 就是我们的 pole， 多金龟啊， pole 再加上 a c t 地飞刃，有源区啊， pole 加有源区构成一个残疾管啊，它就构成一个残疾管 啊，或者一个三角啊，这个是要知道的这个是要知道的，然后这是 p plus， 就是 p 输入， p 粒子输入啊，我们都知道是那个构成拼接往往是利用三组元素和五五组元素，对吧？三组元素和五组元素 啊，你们在无论是在书店、磨店还是半导体物理啊，这类课其实都学过啊，不同材料不同性质啊，不同参杂不同性质啊，党内性也不同，甚至说光照 啊，温度都会影响一个半导体材料的这个啊，导电性啊，导电能力。所以说当我们在那个皮管是注入 n plus 啊，皮管是注入 n plus 啊，皮管是注入 p 啊 p plus， 然后 n 管是注入 n plus。 最后一层是 t g o 做的 t g o 啊， t g o 层是比较特殊的， t g o 层是比较特殊，它其实是那个一个标记层啊，来标记它是一个高压罐 啊，你们其实大家都知道，就是说如果一个东西在高压的环境下，那么如何给它绝缘就是一个比较关键的问题，如果你绝缘层薄了啊，很有可能就击穿，对吧？啊？很有可能就击穿 啊，如果你的绝缘层太厚了啊，那么又会产生些其他的问题啊，一般来说如我们想让他不及穿啊，我们就需要给他增加绝缘层的厚度啊，这个 tco 其实就是标记层标记告诉我那边电工厂那边，我这根管子是一个高压管子，我需要把炮力加厚一点啊，把炮力加厚一点 啊，其实就是做这个作用好，然后啊，这是我们的版图啊，那版图。
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00:15查看AI文稿AI文稿大家帮我看一下这个安型模式管的电路图有没有问题？这里是个开关，当开关按下的时候，这里有四点八伏，然后这里模式管就会导通，嗯，松开开关的时候，这里就零伏了，就关断了。大家帮我看一下有哪里有什么问题吗？
1427我和张工创业-菜头电子
05:21查看AI文稿AI文稿大家好，我是清风。呃，上一期视频呢，我和大家分享了一下锂电池保护板的一个功能，还有它的原理，那么在评论区很热闹，大家都说这个 两个模式搞画反了，对吧？实际上呢，它是一个背靠背连接的这么一个形式。那么今天我们来聊一聊这个问题，那么要了解这个问题呢，我们就搞清楚两个问题，第一个 到底有没有画法，对吧？然后呢下一个就是这个莫斯拐的 s 和 d， 这两个 g 是不是可以互换，能不能反过来用？那么为了说出这两个问题呢，我们来看一看一个 莫斯管的一个基本的结构，大家看啊，其实这个板子呢，就是一个很典型的实物，呃，可能摄像摄像头里可能看不清楚这两个管子，他就是反结的，这两管就反结，就是这种背和背的串联方式，我们来注注意， 来看一看这个莫斯管的一个结构，那么大家知道我们的莫斯管呢，是由一个梯形的半导体做秤底，对吧？然后在上面掺杂两块 n 型的半导体，使它形成一个呃，这么一个莫斯管，那么他的符号呢？是这样画的，也可以，实际上中间呢，他还有一个这个 二极管没有画出来啊，还有一个二极管没有画出来，实际上他的二极管是这样画的，对吧？ 对不对？这是我们一个常用的画法，常用的画法好，那么看啊，当这个称底的这个 p 型半道题上面掺杂了 n 型以后，他是不是这个地方就会形成一个偏结， 对吧？这边也会形成一个偏结，对不对？会形成两 拼接，形成两个拼接，那么这个拼接的有一点就在这个位置好，那么形成的拼接以后，大家看啊，通过这个轴线，我们把它分成左右两半的话， 这两个半导体这两边是完全对称的，对不对？完全对称的，那么在这种情况下， s 和 d 是可以反过来使用的，这是没有问题的，这是没有问题的。那为什么我们会出现一个圆级和弱级的区别呢？那么大家看 我们原机和漏机的区别在哪里啊？在这里 s 级一般来讲它会通过一根导线接到我们的秤底上，对不对？通过一根导线接到我们的秤底上，那么这个秤底上就是我们这个技升二级管 管的一个角，对不对？那么这样的话就造成了什么呢？这个二极管被短路了，对吧？这个二极管短路了，短路了以后呢，那么就可以分出 s 级和 d 级，对不对？分出 s 级和 d 级，那我们常用的一个电路是这样画的， 然后这边接一个电阻，然后接地，对不对？这个电阻可有可无，然后呢接一个电动机，我们比如说这是一个电机的驱动电路， 这是 vcc， 然后这边是给他的驱动信号，我们基本上常用的就是这么画的，对不对？ 常用的是这么画的好，那么在这个电路里面他却不这样，他是这样串联在一起，背靠背的串联在一起。那么通过我们对这个 mosco 的基本结构，我们也知道他串联在他，他这个 圆极和漏极是可以分开用的，对吧？是是可以反反着用的，那么为什么我们在这个电路里会这样反着用呢？其实解决一个很大的问题，解决什么问题啊？我们剩下的这个计时二极管，大家看， 其实这个二句话并不是人为做出来的，而是它的生产工艺，它的结构造成的，因为这边是 p p 型半导体，这边是 n 型半导体，那肯定就会形成一个偏结，这个是毫无疑问的，对吧？只不过说我们通过这个 s 和这个 趁底把它连在一块，使得这个二极管失去了作用，把它短路了，对吧？把它短路了，这个二极管就没有了。 但是大家看啊，这个图，如果我按照现在这种接法，大家看我们这个计生二极管，他的左边是左边是乘，右边是负，对不对？ 而我的电池这边是负，对吧？这边是负，然后到了这，他是不会通过这个二极管的，对不对？然后这边也是一样，这边是负，然后这边是正，对吧？那么他也通不过这个二极管，对不对？那么这样的接法很大一部分他可以防止 防反灌，对吧？可以防反灌，也就是说反向电流是不会过去的，因为这个二极管的存在，因为这个机身二极管的存在，使他这个反向电流不会过去，这边也是一样，这样接的话就有这么一个优势。那么这就是为什么要把这个， 为什么要把这两个二级管针对着画呀？就是这个原因，实际上他这样画法，他这种接法是有他的道理的，是一定是没有错的。那么在平时的日常生活中间，如果我是单管的话， s 级和 d 级是可以 倒过来用的，是可以反过来用的，其实没有问题的啊，那么今天呢，就和大家分享到这里，谢谢大家。
191清风明月DIY
03:02查看AI文稿AI文稿高端手机里的芯片，我们拆开内部无限放大，可以看到芯片的最基础的构成单元就是 mos 管。我们知道芯片的材料是硅，纯粹的硅石一开始是很难通电的，我们通过离子注入的技术，让纯硅的导电性能急剧上升，现在就能看到大量电子能够快速通过。这种技术就是半导体参杂技术。 这种参杂技术分为两种，我们现在给一块纯硅同时进行两种参杂，右侧是可以形成大量代付电自由电子的 n 型参杂，而左侧是会形成大量带正电空血的 p 型参杂。 这个过程就像给一缸清水注入不同颜色的墨水，当中间的挡板抽走，此时中间会发生扩散作用。同理，现在半导体内部两种参杂也会发生扩散，其中 n 区的电子会被 p 区带正电的空穴所吸引，此时发生了神奇的现象，中间偏左的位置多得到电子 会显负电性，中间偏右的位置失去电子会显正电性。这里中间形成的电场又称为耗尽层。当电池正极接 n 区，负极接 p 区，会使耗尽层增大，此时处于反向偏置，电流无法导通。 现在把电池翻过来变成正极接 p 区，负极接 n 区，电子则会非常顺利通过耗尽层，也就是正向偏置，电流处于导通状态。 那么再来看莫斯管结构也是类似原理，他也是采用两种参杂，其中左右两边肩部是高浓度 n 型参杂，其余大部分区域是普通浓度 p 型参杂。需要注意的是，莫斯管的 p 型参杂除了有空穴以外，还会混入少量的自由垫子， 此时注意看 pn 相连的区域，就必然会形成耗尽层。现在我们将左右两边直接相连通电，可以看到总有一边的耗尽层会增宽，也就意味着电流根本无法倒空。 接下来我们要用到和电容类似的结构，电容的两侧是金属极版，中间是不导电的绝缘层。当给两块金属极版通电，电池将其中一块极版的电子推动到另一块极版，也就是这两块极版之间会形成正负极电场，其中电场的方向是正极，指向负极。 我们将其中一块金属极板和绝缘层放置在 mos 管的中间位置，另一块金属极板放在底部用来做衬底。现在给这两块金属极板通电，同样也会发生电子转移，此时顶部失去电子会显正电性，底部衬底多得到电子会显负电性。现在的 mos 管内部形成了正极指向负极的电场。 接下来神奇的现象发生了，由于顶部显正电会吸引梯形参杂里的自由电子跑到中间位置，随着持续增大，中间的电压就会持续吸引更多的电子堆积到中间。当中间达到一定浓 浓度时，会形成和类似 n 型参杂一样的结构，也就是 n 勾到。这时候相当于把两边直接相连，左右两边电子就可以通过这个 n 勾到进行流通，也就是变成通电状态。中间电压控制的用 gay 升级表示，左侧电子流入的叫做 source 缘极，右侧流出的叫 dream 漏极。 所以总结下来， mos 管就是控制中间的电压，从而控制两边的电流导通或者截止。有了 mos 管，我们可以组合成多种逻辑门，再用逻辑门组合起来就是我们所熟悉的芯片了。
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