pdn在芯片中是什么意思

近期我们会出几期关于高速 pcb 基板设计中 pdm 仿真技术相关视频，欢迎大家踊跃讨论。 之前我们出过一期关于 p d n 仿真的简单介绍，从今天开始，我们从各个维度详细了解下 p d n 相关技术。 首先，什么是 p d n？ p d n 是 power distribution network 或 power delivery network 缩写，即电源传出网络或电源分配网络。 在设计高速信号电路时， s o c 或 d d r 模块的电源网络中，您经常看到如下形态的电路形式，并连放置了一堆电容。而在 p c b 图中，电源呈现 电源平面，各个电容也分布在各自特定的区域。这些电容为什么是这个溶值？为什么要放在这个地方？能不能随意改动？这些就是 p d n 技术中所要研究的最最核心的问题。 现在我们再回头来看下这个 pdm 仿真曲线图。您用的 soc 芯片规格书中，针对 soc 的各个供电网络均有阻抗的要求，且阻抗要求规格与频率相关联。 而 p d m 仿真是一句您绘制的 p c b 版图基本叠成结构、电路原理图、器件规格书等设计资料模拟计算出来的电源网络阻抗值的频谱图形。那么为什么要做 p d m 仿真？ 他的目的是什么？电源网路从 dcdc 电源起始，最后到达芯片管角，他所经历的物理路径是极其复杂的。 rasoc 芯片本身对电源扶直的波动是有严格要求的。从简单的欧姆定里我们就可以看出， 在高速电路中，电压的波动主要与电流值和阻抗值有关系。而在现实设计中，我们无法控制电流的波动，所以控制阻抗就是维持电源稳定的核心要素。 我们再次回到这个 p d m 仿真图中来，一条简单的频率曲线，实际上却是一个极其复杂的计算结果，和诸多方面有关系。后续的视频我们会从各个维度分析解析电器参数对 p d m。 指标的影响。今天我们主要抛出减小 p d m。 组抗 的核心方法，一、尽可能的降低 d c d c 输出电容的环路电感。二、芯片内部尽量增加片内电容，尽可能控制芯片管角的寄生电感。 三、减小芯片管角处去偶电容的气升电感。四、应用不同风装形式的电容来减小环路电感。 五、调整 pcb 基板叠层结构，电源面和地平面越近越好。六、尽量使用电源平面和地平面，电源走线尽量宽且短。 七、滤波电容的 esl 参数尽量小。八、避免机板电源走线的 esr 与滤波电容的寄生电杆产生斜震，尽可能高的提高斜震频率点。 九、降低 pdm 必须从 ic 设计、 pcb 基板设计原理设计、器件选型方面共同着手，任何一个环节的问题都会影响整个系统的阻抗超标。

integrate circuit 芯片的意思？ end of life 意思产品下线了。 tests instrument 德州一线 analog divide 亚德诺半道题 lock code 批次 quantity 数量 a minimum order quantity 最小订单量 是密码拍款的最小包装量 big time 调货时间 target five 接受价 no can still no return 不可以取消订单，也不可以退货。 product discontination notice 产品停产分支。

pdm 仿真报告中为什么仅有一百兆赫兹以下的阻抗要求？接上期视频，今天我们一起研究下 pdm 仿真报告中为什么仅有一百兆赫兹以下的阻抗要求。电路图中那些放在芯片管角下面的具有电容是如何工作的？ 他们对 pdn 阻抗的影响是什么？在电源 pdn 网络中， pdn 阻抗由电源本体、电源储能电容曲偶电容 pcb 走线、芯片封装、芯片内片上电容因素决定。 今天我们研究的问题主要来源于芯片封装和芯片片上电容。芯片内部是有无数个 cmos 单元组成的。芯片的片上电容计算方法如下图。其中心比上 a 是单位面积上的电容 值， dk 是借电常数。若芯片材料是二氧化硅，借电常数就是三点九 h。 芯片电解之厚度我们可以看出，芯片的片上电容的大小和芯片面积成正比，和芯片厚度成反比。 进一步推导我们可以得出六十五纳米工艺的芯片，它的片上电容计算方法是二百六十纳法。每平方厘米， 那么二乘二尺寸的芯片，他的片上电容就约等于一千纳法，而一乘一尺寸的芯片，他的片上电容就约等于两百六十纳法。 由于电容的阻抗等于一，除以二， pif 乘以 c， 所以电容若确定了，它的阻抗，就仅与频率有关系了。这张图就是一个片上电容为两百五十纳法的芯片的阻抗曲线图。 您可以看到，在一百兆赫兹左右，片上电容的阻抗小于十毫欧，而当频率达到八百兆赫兹时，片上电容的阻抗就小于一毫欧了。 我们在回到开片的问题中来。当频率到达一百兆赫兹以后， p、 d、 n 曲线中的阻抗值都来源于芯片封装和芯片的片上电容。而芯片的片上电容是由芯片的尺寸和芯片介质因素决定的。所以在芯片设计完成以后， 一百兆赫兹以后的阻抗就是确定的值，不会因为电路的设计而改变。我们在进行电路设计时候不用关心这个值。 接下来我们开始研究芯片的封装对 p、 d、 n 阻抗的影响。这里我们再次强调一下， p、 d、 n 阻抗研究的是电源对大地的阻抗值。这个概念千万不能与线路的特征阻抗混 小。由于 z 等于二 pif， 您可以看出在高频信号中，影响阻抗的关键元素是电路中的寄生电杆。 而当芯片封装中电源获地的偏角设计完成后，电源的走线形式就基本确定了，芯片封装对电源 pdn 阻抗影响的范围也就基本确定了。 这里必须要插入一个重要的概念 p、 c、 b。 基本本身的叠层结构对 p、 d、 n 阻抗的影响是巨大的。若您的 p、 c、 b 基板是两层板，那么电源和 d 之间不会有面的关系，仅能通过走线形式出现。此时电源对 d 的阻抗值 是二十纳亨每英寸。若您的走线长度是零点二五英寸，那么这段电源对地的阻抗就是五纳亨。而在高速信号中，芯片封装基 本都是 bga 形态，四层板是最低配置，所以电源和地之间均以平面形式出现。此时电源面与地面间的寄生电杆通常都小于伊纳亨。 p、 c、 b 基板面与面之间的寄生参数和 p、 c、 b 基板的叠层结构、电解质长数等参数有关系。所以当您进行 p、 d、 m 仿真时，最重要的计算参数之一就是 p、 c、 b 叠层结构。 重要信息插入完成后，我们再次回到芯片的封装上来。图中的 soc 片码，您可以发现 一个电源网络中有很多个电源拼，从电路图中能够更加清晰地体现出来。这么多的同网络名称的电源拼，一个原因是是增加电流通过能力，另一个主要原因也是为了将每一路电源分支中的寄生 电感并联，从而减小这个电源网络中整体的寄生电感。我们再次回到简单的理论中来，由于阻抗与电感的关系，你会发现芯片封装所带来的的寄生电感越小，达到阻抗最大值所对应的频率越高。 而具有电容的作用就是在芯片封装阻抗最大处的频率附近放上适当参数的电容，从而降低 pdm 网络中的阻抗值。 您是不是还发现了什么问题？其实雀藕电容的溶值并不是最关键的参数，它的特征组抗反而是最关键的参数，这也是后续我们要持续研讨的关键内容之一。 而从电容的特征曲线您可以看出，贴片陶瓷电容的最低阻抗频率范围永远都到不到一百兆赫兹以上。我们再次回到 拍片的问题中来，您是不是已经找到了答案？在芯片封装设计好后，由芯片的封装带来的寄生阻抗就基本定型了。去由电容所能带来的优化仅限于在一百兆赫兹范围内，而电路设计是无法改变芯片的封装形态的， 所以我们也无需考虑一百兆赫兹以后的 p、 d、 n 组抗。用大白话讲就是在一百兆赫兹以后，无论 p、 d、 n 组抗是多大或多小，您在电路和 p、 c、 b 设计都无法改变。它是由芯片封装设计和芯片片上电容决定的。

电路中的芯片在电路中很重要，那您知道芯片银角与外部电路进行连接的接口定义吗？每个银角都有特定的功能和定义，大家记得点赞收藏、下载、保存学习。 以下内容就是一些常见的芯片银角定义和功能。电路中芯片银角中常看到 vcc 与 vss 等英文，那这些字母都代表什么含义呢？ vcc 是电源管理芯片的高电压引脚，可接受三点三伏或五伏直流电源的输入。 en 是使能引脚控制芯片工作状态， 需要时打开，不需要时关闭。 cs 是片选引脚，通常用于选择发送数据时接收哪个芯片。而 rst 指复位引脚，用于重启作用。 int 是中断引脚， 当出现异常情况，会中断正在执行的程序。 p d 是断电引脚，断电不一定要切断芯片的外部电源，如芯片自带 p d 引脚直接拉地下， p d 引脚就相当于断电了。 p d 引脚可以用于监测芯片的功率消耗， 以便进行电源管理和优化。 vdd 指工作电压，用于器件内部的工作电压。 vss 指公共连接，用于电路公共接地端电压。其他的英文缩写我都整理在了这些图中，大家记得点赞收藏，予以保存，转发学习！

p i 仿真中的 p d n。 仿真、 p i 仿真中的 p d n 报告是什么？ 简单讲 pdm 仿真式对电源分配网络的仿真分析。电源分配网络又是什么意思？ 首先，仅有具备高速信号和大运算能力的 soc 才有电源分配网络的概念。目前主流的智能设备都是多核心的，频率已达二 g 赫兹以上，并且注入弟弟二二四等新的总线技术，正在逐步成为 pcb 设计的主流。 i c。 的核心电压虽然降低了，但消耗的电流却在逐步地增大，而正确设计的电源分配网络才能为 c p u。 运行所需的顺态电流提供足够低的阻抗路 镜。而在原力图设计中，电源网络的设计是极其简单的，在 p c b 图中却是极其复杂的。 影响电源分配网络的主要因素包括，机板的叠层结构、电源网络中的绿波、电容参数最低的过孔位置、电容的摆放位置、走线方式、走线线宽、电源过孔位置等等。 而通常这些因素对电源网络的影响是微观且错综复杂的，无法直观准确量化，所以 pdn 仿真就应运而生了。 pdm 仿真依据 pcb 基本数据、电源网络中的电器参数，直观地将电源网络仿真成一条皮与曲线，并定义了阻抗线值。 在仿真软件中，修正过孔电容参数、电容摆放位置、走线方式等方法，可以直观的看出 p d n。 走线趋势，并针对性地对电源网络进行优化。

vpn， 全称 virtual private network 及虚拟私人网络。它是一种通过公共网络建立安全连接的技术，用于保护数据传输的安全性和隐私。 vpn 广泛应用于企业、组织和个人用户， 以实现远程访问、数据加密和匿名浏览等功能。 vpn 的核心功能是创建一个安全的网络隧道， 当用户的网络连接加密，保护数据传输过程中不被窃取或篡改。当用户通过 vpn 连接互联网时，所有数据都会经过加密处理，确保只有发送方和接收方能够解密和访问数据。 这种加密机制可以防止黑客、网络犯罪分子和其他恶意用户截获敏感信息，如用户名、密码、信用卡信息等。 vpn 还可以保护用户的隐私和匿名性。当用户通过 vpn 连接互联网时， 其真实 ip 地址会被隐藏，取而代之的是 vpn 服务提供商的 ip 地址。这意味着用户的在线活动和地理位置将被隐藏，使其免受网络追踪和数据收集的威胁， 这对于保护个人隐私和避免网络监控非常重要。在企业环境中， vpn 被广泛用于远程访问。员工可以通过 vpn 连接到公司的内部网络，无论他们身在何处。这种远程访问能力使得员工可以随时随地访问公司的资源，提高工作效率和灵活性。同时， vpn 还可以保护企业内部数据的安全，防止数据泄露和非法访问。除了安全和隐私保护， vpn 还可以用于解锁地域限制的内容。有些网站和在线服务可能因版权或其他原因而限制特定地区的访问。通过连接到位于其他国家的 vpn 服务器，用户可以绕过这些限制访问被封锁的内容。这种功能对于跨境工作和娱乐需求的用户非常有用。然而，需要注意的是， vpn 并不是万能的， 虽然他可以提供一定程度的隐私和安全保护，但并不是完全匿名的。 vpn 服务提供商可能会记录用户的连接活动和数据传输，因此，选择一个可靠和可信的 vpn 服务提供商非常重要。 此外， vpn 连接可能会受到网络速度和稳定性的影响，导致数据传输速度下降。总之， vpn 是一种强大的工具，用于保护数据传输的安全性和隐私，实现远程访问和匿名浏览。他广泛应用于企业、组织和个人用户， 提供了一种安全可靠的互联网连接方式。然而，用户在选择和使用 vpn 时需要注意其局限性，并选择合适的 vpn 服务提供商，以确保最佳的保护效果。

芯片管角英文缩写和含义。

本期视频聊一下芯片制成工艺，我们经常听到一些芯片厂商宣传自己的芯片是几纳米制成工艺，但是这几纳米到底是什么意思呢？今天我们就来了解一下它。在解答这个问题之前，我们需要了解一些基础概念。 先来认识一下 pn 结，就是将 p 型半导体与 n 型半导体制作在同一块半导体机片上， 具备单向导通性、反向饱和、漏电性、击穿导底性，是集成电路最重要的基础元件。利用他的单向导通性就可以做出二极管。而将两个 pn 结组合在一起，组成 pnp 或者 npn 结构，就是三极管了。 这是一个 npn 结构的三极管，作为一个整体，它可以自由控制自身是否具备导电性。左侧的 n 是原级，右侧 n 是漏级，而中间的 p 就是山级。正常情况下，由于其物理特性， npn 是无法通电的，而如果对山级增加一个电压， npn 结构就变成了导体，所以山级的英文是 get。 计算机世界是二进制零和一构成的，通常用晶体管通电表示一，断电表示零。所以这些基础的二极管和三极管元件在集成电路中是最基础最重要的。而这里我们就要回答我们今天的主题，几纳米到底是什么意思。 最初的定义其实就是这里的山级宽度，也就是图中的 l。 山级宽度的降低意味着完成一次任务能耗更低，速度更快，如果用 cpu 的产品表现来说，就是更好的能耗，比，更高的频率。但是很多技术都是有瓶颈的，当山级宽度降低到二十纳米左右时，漏电率会极 继续上升，新的技术诞生了，但是也带来了制成工艺的一些历史故事。 film fight 可以理解为一种三 d 结构的三极管，通过增加山机接触面积，在宽度较低时减少漏电。各种新技术带来更好的效果，使得即使山机宽度同以前一样，也可以得到更高的性能。 这个时候，山鸡宽度确实已经不是制成是否先进的唯一衡量标准。作为行业内最守规矩的公司，最初因特尔一直还是坚持沿用山鸡宽度命名。法库瑞三代虽然用了 fifth 技术，对外宣传依然是二十二纳米制成， 但是三星公司在使用 fifai 的技术之后，直接把实际山区宽度三十纳米的制成改名叫十四纳米台机电。在因特尔和三星之间还是义无反顾的选择了三星路线，也进行了改名，这支持使用几纳米的制成工艺命名规则 完全成了市场宣传手段。举例来说，现在各厂商收到七纳米制成工艺，实际上没有什么参数是真的能达到七纳米的， 而制成工艺的本身也不能简单的看一两个参数来评估了，而是一套综合的解决方案。但是人通常是懒惰的，大多数人还是喜欢用一两个简单易懂的指标来衡量一个事物，现阶段就是用晶体管密度来评估制成工艺的优劣。 我们来看一下不同厂商各种制成工艺的参数。这个表格收录了三大代工厂商已经发布的各种工艺的晶体管密度， 实际在宣传上，三星依然是最自信的，而英特尔依然是最谦虚的。可以看出，英特尔的十纳米工艺好于三星的七纳米，和台机电的七纳米非常接近，但是五纳米之下的工艺，台机电和三星灯 领先因特尔很多，不清楚因特尔什么时候可以追赶上。当然，除了晶体管密度，良品率也是一个不得不考虑的问题，随着制成工艺越来越极限，良品率呈现越来越低的趋势，这意味着怠工成本飙升和产能不足。 最后来分析一下市场前景吧。现在是个全民造新的时代，为了降低能耗，提升效率，越来越多的场景都喜欢用硬件芯片实现，芯片代工无疑是未来科技战的必争之地，这也是其掺杂了太多政治因素的原因。 当前的公益水平，台机电无疑是一骑绝尘的，并且市值已经非常恐怖了，但是考虑国际局势和战略博弈，我个人更看好英特尔，只是纵然英特尔在技术层面追赶并超越了台机电，如果失去中国市场，前期发展依然会非常艰难。点赞加关注，人生不迷路！

在电路中，芯片引角经常会出现 d， c， c， n， c， s， r， s， t， n， p， d， c， l， k， c， t， r， l， s， w， f， b， t， x， r， s， d， d， d， d， s， s， v 和 g， n， d 这些标识刚学的话会感到一头雾水，不知道他们都代表什么含义。 这期视频就为大家讲一下芯片引脚常见英文缩写代表的含义，希望会对大家有帮助。 bcc 一般表示通用芯片的电源引脚，比如一些模拟运放的正电源引脚， bcc 一般接相应的正电源电压。 n 一般表示使能引脚使芯片能够工作，要用的时候就打开按脚，不用的时候就关闭。有些芯片是高使能，有些是低使能，要看规格书才知道。 cs， 一般表示片选银角。芯片的选择通常用于发数据的时候选择哪个芯片接收。例如一根 sbi 总线可以挂在多个设备， ddr 总线上也会挂在多颗 ddr 内存芯片，此时就需要 cs 来控制把数据发给哪个设备。 rst 一般表示重启银角， 有些时候简称为二，或者全称 liset， 也有些时候标注 rstn， 表示 reset 信号，是拉低声效， 一般表示中断引脚中断的意思就是你正睡觉的时候，有人把你摇醒了。 pd， 一般表示断电引脚 断电不一定非要把芯片的外部供电给断掉，如果芯片自带 pd 角，直接拉一下 pd 角也相当于断电了。 clk， 一般表示时钟引角时中线容易干扰别人，也容易被别 别人干扰。魅傲的时候需要保护好。对于数字传输总线的时钟，一般都标称为 x x x x c l k。 如， s b， i， c， l k c o c l k i r s m c l k mainclub 对于系统时钟往往会用标注频率， 如 size， 二十六 m， 三十二 k 等。标了数字而不标 clk 三个字也是无所谓的，因为只有时钟才会这么标。 c t r l 一般表示控制引脚，写 control 太长了，所以都简写为 c t r l 或者有时候用 c m d 表示。 s w 一般表示开关引脚、 信号线开关、按键开关等都可以用 sw。 f b 一般表示反馈引脚。升压、降压电路上都会有反馈信号，意义和 reference 是类似的。芯片根据 外部采集来的电压高低动态调整输出，外部电压偏低了就加大输出，外部电压偏高了就减小输出。 tx 二次一般表示发送和接收。银角这个概念用在串口上是最多的，一根线负责发送，一根线负责接收。 这里要特别注意，一台设备的发送对应另一台设备就是接收 t x， 要接到 r x 上去，如果 t x 接 t x， 两个都发送，就收不到数据了。 vdd 一般表示数字芯片的电源影角。如果在 vdd 上加上 a， 则表示该芯片内部模拟部分的电源影角。 如果加上 d， 则表示该芯片内部数字部分的电源引脚。 vdd 一般接相应的正电源电压。 vss 一般表示数字芯片电源的参考零电瓶引脚。在芯片中一般 与 bdd 成对，出现一般接电源的 gnd。 b 一般表示芯片电源的参考零电瓶影角或模拟芯片的负电源影角。在芯片中一般与 dcc 成对，出现一般接电源的 gnd 或者负电源电压。 gnd 表示芯片电源的参考零电瓶影角，一般接电源的 gnd。

财经老师他比较看好这个半导体的钱到设备，而且他可以梳理出来整个这个工艺流程，为什么坚定的看好这部分？咱们先从整体的这个工艺流程开始，大家可能听我们在做节目的过程当中会说什么很多的 名词啊？它是什么意思？在这个整个的工艺流程代工里面它起到了一个什么作用？跟大家说一下。最开始的时候精元代工，大家看就是那一个圆盘子上面有一些彩色的那个芯片，最后是怎么做出来的？ 最开始的时候一个锃光瓦亮打龟片，然后最早的时候要给他做一层氧化，然后在这个龟片上面形成一层氧化层，然后是涂胶显影，把一张光刻胶涂上去，然后用光刻机把光眼模板 上的电子图形转移到光刻胶上面。灰片层氧化层，然后光刻胶层，用光刻机给它转移到这个光刻胶上面，嗯，就相当于是一个光刻光刻完了之后，把光刻胶图形显露出来，之后用刻实刻到氧化层上面去，然后再用离子注入机打到最 最底下的那一层，有的叫精原层，有的叫推片层，相当于到最底下的这一层，然后去做薄膜沉积，薄膜沉积有两种，一个是物理的，一个是化学的。薄膜沉积做完了之后把这个上面再涂一层材料，然后用 cmp 抛光机 把整个的这一层东西给抛光完，这样的话形成了整体灰片工艺的第一层。这种模型刚才提到了几种，涂胶、剪影、 光刻、刻实、离子注入，还有 cmb 抛光，然后还有两种，一个叫清洗设备，主要是在面对有一些什么杂质的情况下，去做一些超声波的一些清洗。还有一种叫量测设备， 主要在这个工艺当中做一些涂光刻胶的，这些膜的薄厚的一个程度啊？电子数刻时刻的准不准啊？有计量，有检测的这样的一个设备，整体的这一套设备刻实占的价值量是最大，然后是光刻机，然后是薄膜沉积，然后是量测。

大家好，我是光头气垫，很多出去的朋友啊，在分期电动的时候，或者是他查芯片资料的时候， 对这些字母的这标识 vccvddvss 感到很迷糊，也就是我学了半天的这个电子技术，还是他认识我，我不认识他，所以今天带大家重新认识一下子， 这个希望大家花点时间呢，记一下啊，你记住了，下一次分析电路的时候，对你的帮助是很大的，大家看到他的共同点没有？前面都有一个微字，对吧？微字表示电压，在电路里面表示电压 啊，电压的单位福特也是微，这个大家都知道啊，微表示电压，所以在这里 vccc， 在这里，这个单词表示电路的意思，那么 vcc 的话就表示 接入电路的电压，系统接入电压，如果你一个芯片某一个银甲上边的 vcc 的话，也就是这个芯片，他的供电电压 就是 vccvdd， 也是我们常见的一个标识。第一表示器件的意思，对吧？那么 vdd 前面加了一个 v 也是电压，也就是器件内部的工作电压，他不是系统输入电压， 也就是四年所用的元气件内部的工作电压，大家记住工作电压就可以了，这个是供电电压，这个是工作电压，两个是不一样的啊， 打个比方，我这个芯片，我这个是一个三八四二，我接在电脑板上面，这个电脑板输入的电压 四十二伏，而这个芯片他的工作电压是九伏，我这是打个比方，那么 vcc 就是十二伏，那么它的 vdd 就是九伏，懂了没有？ vsss 是这个英文单词，源头表示公共连接的意思啊，电子的源头，电子它的方向和电流方向是相反的，所以 这个就表示是 d vss。 公共 d v e 就是负电压，负电压供电， 而有一些芯片，而有一些电路他需要负电压供电，那么这个接头这个表示就是 v e evpp 表示偏沉，然后插除电压。这个现在我们用的比较适合电路板当中 啊，这里有个芯片，这个芯片它是可读写的，通过高低频或者低低频把里面的这个程序擦掉，就是这个电压。 vpp 插除电压。 另外还有一些特殊情况和大家讲一下子，就是有些芯片啊，他既有 add 也有 vcc， 如果同时有这两种银角的这个芯片呢，证明它里面有电压转换电路。另外还有着特殊情况，就是在那个厂商用管电路当中， v d d 表示场上一管的漏级， v s s 表示原级，就是这两个 v d d 和 v s s 呢， 表示这个 c 猫屎，或者这场上一个银角不代表电压这方面，我们拿我们最熟悉的这个芯片和大家看一下子呢， 这是 uc 三八四号，他各个演讲，我们来看一下他字母啊，这里七下 vcc， vcc 表示系统的供电电压，对吧？三八三的供电电压是多少 大家应该知道吧？ vcc 七角，然后这个是八角， v r e f 是基准的意思， 大家都知道 uc 三八三，它的第八角输出是一个五伏的基准，四角 r t c t 电阻，电容 r 是电阻， c 是电容， t 表示时间，也是定时电容和定时电阻。 接入了这个角，五角是 d 是吧？第六角 o u t p u t 输出三角，三角的电流取向反馈端 s 一呢？是一，有些会标一个书写 c s， 这是 一个电流许愿反馈，是吧？这里接一个电流许愿电阻，对吧？在这个地方呢，电流许愿反馈，然后第一讲是用 p， 这是补偿，补偿缴 vfb 反馈， 从这一口下来，同一个店主连接官网是吧？官网通过这边反馈给他，所以这些常见的这个书写字母啊，大家应该记一下子， 这下子，下次你遇到这些东西，你查资料的时候，你看一眼就知道这是怎么回事，然后你在分期电路的时候就很方便了， 大家可以把这个图截下来，然后慢慢去呼吸消化，一下子，记一下子啊。好嘞，今天就给大家讲到这里，谢谢大家，我们下一期。