三星HBM降价30%？是否会影响Dram和Nand?海力士/美光/三星竞争策略解读#三星 #HBM #存储 #dram

三星HBM4芯片影响

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发布时间：2025-10-29 08:51

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SK海力士凭70%市占率稳坐铁王座，三星却因HBM3E认证翻车痛失中国客户，而美光疯狂扩产台湾厂区，市占率直逼20%上演逆袭剧本。
真正的军火商竟是TCB键合机厂商——韩美半导体去年利润暴增639%，设备价格比同行贵40%还被疯抢，连新加坡ASMPT都祭出激光黑科技抢单SK海力士16层HBM3E！
最刺激的是中国长江存储携混合键合专利杀入战局，与三星达成技术联姻，韩国政府连夜开会想断供设备，却意外激活中国HBM全产业链觉醒！这场纳米级的技术厮杀，正在重塑全球AI算力版图！
摩根大通预测TCB键合机市场3年暴涨3倍，中国设备商专利年增300%，HBM4单芯片容量将达512GB#芯片制造 #HBM #TCB键合机 #韩美半导体 #韩华SemiTech #SK海力士#三星电子##HBM3#ASMPT#东丽#新川#SEMES#HBM4#热门#半导体
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曝三星1c DRAM良率突破50%,HBM4下半年量产 2025年7月18日，韩国媒体报道，三星电子在10奈米级第六代（1c）DRAM制程上取得重大进展，良率突破50%。这一成果将提升三星在高效能记忆体市场的竞争力，其计划下半年量产第六代高带宽记忆体（HBM4）。
1c DRAM制程技术节点约11至12奈米，与目前主流的第4代（1a，约14nm）、第5代（1b，约12 - 13nm）DRAM相比，优势明显。它密度更高、功耗更低、晶粒更薄，有助于在HBM4中堆叠更多记忆体层次，大幅提升容量和频宽密度。
三星自去年全力投入1c DRAM研发，由DRAM开发室长黄相准主导重设计。他指出，初期设计架构缺陷是性能和良率未达标的关键，必须从设计阶段彻底修正。此次高层介入调整设计流程，彰显三星重回技术领先地位的决心。
此外，三星计划下半年供应HBM4样品，将“客制化HBM”作为新战略核心。HBM4可整合逻辑晶片与DRAM，通过晶圆代工优化整体架构，满足不同应用需求。三星还将自研4奈米制程应用于HBM4底部逻辑晶片，提升整体效能与整合弹性。#真空回流炉 #芯片封装 #半导体设备 #半导体 #HBM4
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