芯片突围！北大光刻胶突破卡脖子，全产业链深度解析#股票#股民#光刻胶#光刻机#半导体

北大光刻机突破与哪家公司合作

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发布时间：2025-10-29 10:30

三分钟读懂一家上市公司

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光刻技术：北大光刻胶显影工艺新突破意味着啥？
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一，算力快，二，模拟计算精度准确，
三，省，能效高，
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这项突破对AI大模型、（未来）6G通信的等被卡脖子领域，会带来什么影响？ #股票干货 #股民 #股票 #短线交易 #北大
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光刻胶被北大解决了？ #光刻胶 #光刻机 #AI #芯片近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文近日刊发于《自然·通讯》。
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放弃光刻机？中国换道超车：北大模拟芯片算力超英伟达1000倍，Nature重磅认证！#芯片 #技术突破 #光刻机
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北大团队破解光刻胶奥秘,7纳米以下制程迎曙光据媒体报道，近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者取得重要突破。长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为如同“黑匣子”，制约着7纳米及以下先进制程良率提升，工业界只能靠反复试错优化工艺。
为破解这一难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域，成功在原位状态下解析光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，合成出分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”，克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的痛点。
研究发现，溶解后的光刻胶聚合物大多吸附在气液界面，易发生“凝聚缠结”，形成约30纳米的团聚颗粒，这是潜在缺陷根源。团队提出两项实用方案：提高曝光后烘烤温度抑制聚合物缠结；优化显影工艺让晶圆表面有连续液膜带走聚合物。结合实施后，12英寸晶圆表面光刻胶残留物引起的图案缺陷降幅超99%。彭海琳称，该技术将为先进制程关键工艺的缺陷控制与良率提升提供助力。#光刻胶 #芯片 #芯片封装 #半导体 #真空回流炉
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