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tjsy占海力士营收多少

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发布时间：2025-11-09 07:53

Global AI investment

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AI三巨头联手！SK海力士、台积电、英伟达共同开发新代HBM 8月23日消息，半导体行业的领军者SK海力士、台积电与NVIDIA即将展开深度合作，共同致力于下一代高频宽内存技术（HBM）的研发。这一重大合作计划预计将在9月举行的中国台湾国际半导体展（Semicon Taiwan）上正式宣布，届时SK海力士社长金柱善将发表专题演讲。
此次合作的核心目标是掌握AI服务器关键零组件的制高点，共同推进HBM技术的研发。作为一种高性能的3D堆叠内存技术，HBM对AI和高性能计算处理器的内存性能具有重要影响。合作方计划在2026年实现HBM4的量产，采用台积电的12FFC+及5纳米工艺制造接口芯片，以实现更微小的互连间距。
SK海力士作为NVIDIA AI GPU HBM内存的独家供应商，预计将在2026年为NVIDIA推出的Rubin系列正式采用HBM4技术。此次合作将进一步巩固三方在AI半导体产业中的领导地位，并扩大与竞争对手的差距。同时，台积电也在加强其封装技术产能，以支持HBM4的大规模量产。
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SK海力士放大招：1c nm DRAM良率80%达标你知道吗？韩国SK海力士的1c nm DRAM内存工艺良率已经接近80%，这意味着什么？让我们来一探究竟！
据韩国媒体《hankooki》报道，SK海力士的1c nm（第六代10纳米级）DRAM内存工艺近期良率约为80%，相比去年下半年的六成有了显著提升。一般而言，DRAM内存工艺在良率达到80%~90%时，就可以进入正式量产阶段。因此，可以说SK海力士的1c nm制程即将达到大规模生产所需的水平。
SK海力士去年8月宣布成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM，该制程节点是1b DRAM平台的扩展，拥有更高生产率，并在运行速度、能效方面取得了改进。除了DDR5，LPDDR6、GDDR7等也将采用该制程。然而，虽然SK海力士在第六代10纳米级工艺上取得了重大进展，但该工艺尚需更长时间才能在需求火热的HBM领域得到应用。据消息透露，SK海力士在今年内量产的HBM4内存上仍将采用更为成熟的1b nm DRAM。
这项技术的提升不仅意味着SK海力士在内存制造方面取得了重大进展，同时也为全球内存市场注入了新的活力。随着良率的不断提高，我们可以期待更先进的内存产品不断涌现，满足人们对于高性能内存的需求。
总的来说，SK海力士的1c nm DRAM内存工艺提升令人瞩目，让我们期待更先进的内存产品。你对于这项技术的未来有何期待呢？欢迎在评论区留言分享你的看法。#Sk海力士 #芯片 #半导体设备 #三星电子
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