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SK海力士10月将完成HBM4高带宽内存的流片
#芯片
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#HBM
#科技
HBM4的成本是HBM3E的多少倍
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发布时间:2025-11-09 10:19
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亿诺杨总
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#中国芯片崛起 #国产芯片 #HBM芯片 #半导体
再次分享关于HBM存储芯片知识 。HBM存储芯片国内以前是从韩国购买的,现在面临美制裁。国内公司正在努力奋斗,虽然和高技术HBM存储芯片还有距离,但是在中低端国内多间上市公司还是有技术储备的。生产出HBM存储芯片需要多公司间配合,在不同环节技术含量不同,成本占比也一定不同。本视频资料介绍 TSV技术是关键一环。本人正在寻找有实实在在TSV技术上市公司。有时觉得,虽然有的公司介绍里说有TSV技术储备,但是是否真实?是否达到量产水平,只能通过不断学习去伪存真。
HBM生产的核心难点之一在于晶圆级先进封装技术,主要包括TSV、micro bumping和堆叠键合。
HBM首先使用TSV技术、micro bumping技术在晶圆层面上完成通孔和凸点,再通过TC-NCF、MR-MUF、Hybrid Bonding工艺完成堆叠键合,然后连接至 logic die,封测公司采用cowos工艺将HBM、SoC通过interposer硅中介层形成互通,最终连接至基板。
其中,HBM制造中TSV成本占比最高,直接决定良率。
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韩美半导体董事长:HBM4/5内存导入混合键合犹杀鸡用牛刀 7月16日消息,当地时间昨日,韩国半导体设备企业韩美半导体董事长郭东信发表观点,认为在HBM 4/5世代为HBM内存导入混合键合工艺实无必要,如同“杀鸡用牛刀”。
韩美半导体是全球HBM内存TC(热压缩)键合机台的头号供应商。郭东信透露,近两年,经该企业设备实施键合步骤的HBM堆栈,占英伟达HBM3E内存整体供应量的九成,足见其在行业的重要地位。
郭东信指出,混合键合设备价格高昂,一台超100亿韩元(约合5190万元人民币),是传统TC键合机的两倍多。而且,JEDEC制定的HBM4规范放宽了堆栈高度要求至775μm,在此情况下,无需通过无凸块的混合键合进一步降低DRAM Die间距,传统TC键合机完全能满足HBM4乃至HBM5的工艺需求。
此外,韩美半导体也有新规划。公司计划今年推出无助焊剂(Fluxless)类型的HBM键合设备,而针对HBM6内存需求的混合键合机,目标在2027年推出,持续在半导体设备领域发力。#真空回流炉 #芯片封装 #HBM4 #混合键合 #半导体
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三星 HBM3E 欲降价抢单 8 月 3 日消息,半导体业务受挫后,三星正积极求变。为提升获利,其计划降低 HBM3E 内存成本,进而拉低售价,试图吸引英伟达采用。当下英伟达 AI GPU 主要依赖 SK 海力士的 HBM。三星此举旨在让 HBM3E 更实惠、易获取,以在 AI 计算市场分一杯羹 。#三星 #芯片 #科技
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