华夏半导体怎么还不更新

你有没有听说昨晚华夏偷吃散户百分之零点六这个问题呢？我刚才去了解了一下，就是说基金呢，它其实是不存在被偷吃的现象，所有的偷吃呢，可能就是更新出来的比股值呢少了一些，每个季度呢，基金经理呢，都会适当的调仓换股， 所以说有些净股值的偏差那是正常。刚才也去看一下，华夏的一些持仓确实更新了，华夏里面现在目前好像是不含铜的天湖呢，我刚才也去看一下，持仓我放在这个视频上面，大家都去了解一下吧。

如何逼自己一周学会半导体工艺？存下吧，这比刷剧还爽！本视频耗时半年制作，共计一百六十九分钟，带你一口气学会半导体工艺，真正从零基础入行！机械含盖了所有半导体知识，其中包括工艺流程概述、拉硅棒、硅棒研磨、切硅片、倒角研 研磨、清洗、抛光、氧化涂胶、光刻、显影、刻石等等。为了让零基础的小伙伴学起来没有负担，我还准备了学习路线以及视频全套学习资料，对新手小白都超级友好，评论我需要即可全部带走。如果你看到了这也请给主播一个赞吧，我会持续更新更多优质视频的，接下来开始正式的学习。 关于半导体啊，也就是我们理解的芯片的话，其实总共是分为三部分啊，呃，第一部的话是这个单晶硅片的制造啊， 那么第一步的话是这个 ic 制造，也就是金源制造，第三步的话就是这一个 ic 啊，金源他的一个封装测试啊， 那么主主要的流程是分为这三部分的，那么这个单极硅片制造的话，它是属于前段工艺啊，这里是属于前段工艺，这里是属于中段工艺，这里的话是属于后段工艺啊！那么大家知道我我国卡脖子的工艺流程的话，是其实是属于这个中段工艺的啊，那么本节课的话，就先带着大家一起来看一下它整个的一个工艺流程好吧， 那么从那么从这个龟变之道开始的话，首先第一个是拉龟棒啊，拉龟棒，那么拉龟棒的话，顾名思义就是，呃，拉一根啊，单单只龟的一个棒子啊棒子，然后的话再对这个棒子的话进行一个研磨，研磨之后的话再把这个棒子把它一片一片一片的把它给切出来啊，就是切片， 那么切片之后的话，那么对于这每一个片的话，我们都会对它进行倒角，那么倒角之后的话，那么再对每一片的一个呃硅片的话都经研磨，研磨之后的话再来进行一个检测，那么检测之后的话，那么就是清洗啊，清洗，那么至此的话，我们这一个整个的一个单晶硅片的制造，也就是前段工序啊，就完成了。 好，那么后面的话就是我们的这个 ic 金源制造了啊，啊，这步的话就比较麻烦了啊，那么第一步的话是氧化，氧化，那么在我们这个硅片表面形成一层二氧化硅的氧化膜，那么第二步的话就是那个涂胶烘干了，那么这个涂胶的话，其实他涂的就是这一个光刻胶啊，然后再烘干，把这个光刻胶把它给烘干， 那么在下步的话就是光刻了，光刻的话大家知道也是我国被掐脖子的地方啊。光刻，那么现在主要的有那个 duv， 有 euv 光刻，是不是 啊？那么光刻之后啊，就是显影啊，显影就是把我们那个通过呃光线把它刻蚀的部分的话，把它给那个去掉啊，就是显影啊，显影。 好，那么下一步，下一步的话就是石刻，石刻，那么石刻之后的话，那么就是去胶了，去胶，那么去胶的话其实就是把我们在这里涂的光刻胶把它给去掉，是吧？好，那么去掉之后的话就是离子注入啊，那么这里注的是一些磷离子啊，磷离子 好，再然后就是退火，再就是薄膜成基啊，薄膜成基下一步的话就是金属化，其实这也是，其实这也是一部那个刻石啊，好，那么这里刻石之后的话就是研磨了啊，研磨，那么至此的话，我们整个的一个单个的金元其实就把它给制造好了啊，制造好了 好，那么这是我们的中段工艺，完成之后的话，那么就是我们的后段工艺啊，后段后段工序的话其实就比较简单了啊，第一个的话就是我们的机缘剪薄啊，就是我们要把这个机缘把它弄薄一点，因为我们把这个机缘我们是需要把它装在嗯，其他地方，所以说，所以说他就需要很薄啊，所以说这的话他就需要这个机缘剪薄设备 好，这个机缘剪薄之后的话，我们就需要画片了，就是就是把这个呃整个一个圆形的金片上，一个圆形的单金龟片上面的，把它画一些那个格子啊，格子啊， 好，那么画面制作啊，就是贴片啊，贴片，那么就是把我们这个呃一块块一块块的芯片啊，把它贴到我们那个呃封装板上面去啊，那么下部的话，那么就是引线结合了啊，那么就是呃，我们把就相当于这个导线啊，我们，我们把这个导线和我们这个芯片上面的一些地方把它结合啊，那么在后面就是封装 测试啊，那么测试之后的话，我们整个芯片的制造的话，那么就算是完成了啊，嗯，总共的话是有二十二十五个工序啊，总共的话是有二十五个主要工序流程啊，好，那么这就是我们本期的内容，那么从下期开始的话，我们就逐步的啊，来探讨啊，来讲解每一个工序它到底是怎么样的。好吧，那么同学们再见 啊，本节课的话，我们就来看到这个单晶硅片制造的工艺啊，那么首先的话，第一个工艺的话，就是我们这个拉硅棒啊，拉硅棒这个工艺的话，它需要的设备啊，是这个半导体啊，单晶硅棒拉金设备，那么这个设备的样子的话，它大概就长这个样子啊，因为这个设备的话，从原理上来看的话，它是比较简单的，它就是一个很大的加热炉，然后再加一个提升机构 啊，那么我们一起来看一下它的一个原理讲解啊，我们来看一下硅棒，首先你得准备一口锅，一口大锅得要石英做的， 然后你把多金龟放进去，加热到一千四百多度，使劲煮，这个时候多金龟就融化掉了，然后你放进去一块紫金慢慢往上拉，在拉的过程中，融化的龟就粘在紫金身上，然后逐渐凝固下来， 一圈一圈的往外生长，于是随着你逐渐往上拉，你就得到了一条大棒子，因为整个大棒都是在最初的紫金上生长出来的，所以它就是一整块晶体。是的，你得到了一条一米多长的单金龟大棒子，然后我们拿这条龟棒去滚磨打定位边，接下来就可以切片了 啊，那么这就是我们的第一个工艺啊，拉龟棒。那么拉龟棒这个龟的话，其实相对来说的话，其实是比较简单的，因为它那个炉子啊，我们用那种， 呃，用那种感应线的那个，我们在那个炉子侧边啊，呃，给他布一圈，给他布一圈那个线圈，然后再通过线圈通电，然后再加入我们这个炉子啊，就可以给我们这个大金龟加热了，是不是？那么加热的话再弄一个纸巾进去往外拉啊，他就自然而然的就会得到一个 纯度很高的一个龟蚌啊，那么这就是我们的第一个工艺啊，拉龟蚌，好吧，那么本节课到这就结束了，同学们再见。呃，在上节的话，我们是讲的这个拉龟蚌的工艺啊，那么这个龟蚌拉出来之后，其实它对这个龟蚌本身啊，我们是还需要进行一个滚膜跟那个 开边的啊，那么像这种滚膜的话就需要这种金棒磨床啊，金棒磨床，那么金棒磨床的话，它大概是长这个样子，对吧？那么就是把这种啊，呃，一个刚拉出来的硅棒啊，把它弄到这个基础上面去啊，对它的一个外表面进行个眼膜，让它表面光滑一点啊，光滑一点啊，那么我们一起来看一下这一个视频啊，这个视频 好，我们来看一下。呃，这就是一个拉龟蚌的，这，这就是一个龟蚌研磨的机床了啊，那么我们的龟蚌的话先放在这个上面，放在这个上面之后的话再通过两边去夹紧啊，夹紧定位啊，我们来看一下。 好，那么现在的话，呃，这个龟蚌假设单元进入我们这个加工区，然后上了单元的话，它就逐步的退出来了，是吧？那么是 那么可以看到这里的结构啊，其实它下面的话是由两个丝杆来控制我们这个夹爪来夹紧张开的是吧？这里的话应该是一个正反丝杆， 那么像我们这种单晶硅棒的话，它一般是要加工一个扁位或者一个微槽啊，那么它加工这个扁位或者微槽的目的其实是用来那个后面来去一个定位的啊，定位 好，那么至此的话，我们一根龟棒啊，我们就把它给研磨加工完毕了，对吧？好，那么这个龟棒加工完成之后的话，下一步的话，我们就开始那个切片了啊，那么上节课的话，我们是讲的这个龟棒研磨之后的话，我们就要对这个龟棒进行切片啊，那我们一起来看一下啊。 呃，那么这个龟片切片的话，这个龟片切片的话，他一般是需要切片设备的啊，那么我们就一起来看一下我们这个切片他是怎样的啊？来看一下 第二步片硅片咋片呢？你得准备一些钢丝线，钢丝线上加上金刚石颗粒，然后把它们拉直了，套到滚轴上，把硅棒放过来，滚轴一滚，硅片就给切成一片一片的了，这切法大使见了直呼内行啊。 接下来你需要进行打磨、抛光、倒角等一系列工序，然后现在你就得到了一张锃光瓦亮不拿手的硅片 啊。其实这个切龟片的这个工序的话是比较简单的，对吧？他主要是用那个一个绳子上面加一些金刚石，然后把它给 呃切开啊，切开啊，所以说这个工序的话，其实也难不到我们国内的一些厂商啊，也比较简单。大家好，我是青春教育卓华老师，那么在上节课的话，我们是说了这个切片啊，那么切片的话，呃，他切出来的龟片啊，他的边缘部分还是比较锋利的，对不对？那么这样肯定是不好，所以说我们就需要对这个龟片先进行一个倒角啊，倒角 啊，那么倒角的话他就需要那个金元倒角设备啊，那么我们一起来看一下他这里是怎么来倒角，通过什么原理来倒角的啊？来看一下 啊，他主要是通过这种啊，呃，这个轮子来倒角磨边的啊，来来倒角磨边， 那么这就是一个倒角的实际运行视频啊，我们来看一下啊，我把声音打低一点，不然可能有点吵啊。 啊，那么现在可以看到的话，他现在是已经开始旋转倒角了啊， 其实这个设备的话，其实对于我们一些那个电子原件的一些那个防护要求还是比较高的啊，防护要求，因为他的水比较多嘛，对吧？ 好，那么这样的话，我们这个龟片的话就给它进行倒角了啊，嗯，在上节的话，我们是说了我们这个龟片需要倒角，对不对？那么这个倒角的话，它的表面还是比较粗糙的啊，所以说这个龟片啊，它就需要研磨，对吧？ 好，那么这个研磨的话，一般是需要 c m p 研磨设备啊，那么我们就一起来看下它的研磨的原理是怎么样的。好吧，我们来看一下，将多个晶圆一次性放置在至有研磨液的上下两个反向旋转垫上 啊，他这里的话其实是一个太阳轮，行星轮结构啊，他中间的话是一个太阳轮，对不对？那么侧边缘色的话是行星轮，那么通过太阳轮旋转的话，从而带动我们这个行星轮旋转啊，啊，同时的话，他们的旋转和下面的旋转和上面的这一个研磨轮的这个旋转方向是不一样的啊，这样的话才能够更好的研磨 去除损坏的表面龟，并研磨至预期的均匀厚度。 呃，那么这就是我们这个研磨的一个过程啊，其实研磨这个工具的话，对于我们国产的，对于我们国产的设设备来讲的话，还是比较简单的啊，也比较简单。 好吧，那么这就是我们这个研磨的过程啊，同学们，再见。呃，在上节的话，我们是说了研磨了啊，那么研磨之后的话，其实对于我们这个机源啊，就需要那个检测了啊，不过这里的检测的话，其实它的原理很简单啊，它就是利用相机 c c d 进行一个 a o i 检测，对不对？那么这个原理的话也是比较简单的，所以说老师在这里我就不多做那个说明了。好吧， 好，那么检测之后的话，就需要对我们这一个呃，这个硅片啊，来进行一个抛光清洗啊，抛光清洗其实主要是清洗啊，清洗设备，那么清洗的话，其实我们也是有设备来清洗的啊，而且这个工序的话，其实也不难啊，也不难，那么我们来看一下他的一个视频 步骤四是抛光和清洗，将切割后的晶片放入石刻剂中去除表面杂质 啊，这里的话，我们主要是把这个硅片把它放到的放到一些化学溶剂中啊，他就可以来清洗了，来去除表面的杂质， 那么当然的话，这里的话可能还会配上那个超声波清洗啊，因为这样的话才能够，嗯，让他的清洗的一个程度更干净一点啊，配上配上那个超声波， 然后再就是抛光了，其实抛光和那个研磨差不多啊，差不多？为什么呢？呃，抛光的话他只是说他的一个目数啊，更大一点，他那个更细腻一点啊，其实原理上和那个研磨是差不多的啊， 上面所示的是晶圆，下面是抛光电和研磨液。在化学机械研磨 c m p 中，为了获得超平坦的晶体表面，应当使用超细颗粒对晶片进行机械和化学抛光，这一步骤完成后，我们就能得到一片可以使用的晶圆了。 好，那么至此的话，我们这一个金源制造啊就完成了，那么本节课的话，我们就来开始讲这个 ic 金源制造了，好吧，呃，那么我们这个金源制造的话， ic 制造其实它的第一步是氧化，那么这个氧化的话就是在这个硅片表面啊，生成一层二氧化硅的氧化膜啊。 呃，那么这的话他是需要氧化炉的啊，氧化炉因为氧化的话，一般他是需要跟那个空气反应，对不对？那么氧化炉的话，我们一般是用这种，有立式和卧式两种啊，两种。那么先来给大家来讲一下这个氧化它的原理，好吧。 第三步，氧化单金龟是很娇贵的，为了避免污染，我们需要给他加一层保护膜，这就是氧化。 微氧化以后得到二氧化硅，它是绝缘体，在芯片制造过程中可以充当绝缘层，避免漏电，同时还可以作为掺杂阻挡层，阻挡住不需要的掺杂。这一步比较简单，正常来说一块硅片，你把它放在哪里，它就会缓慢氧化，在表面形成一层二氧化规模。但是如果你着急，可以把它 放到一千二百度的烤箱中，再通入水蒸气，氧化速度就会大大加快了。到这一步，你拥有了一块表面镀膜的硅片，接下来你再给他涂上一层一微米左右的光刻胶，然后我们就可以进入最重要的环节，光刻 啊，那么这就是我们氧化的原理啊，其实也是通过那个高温啊，然后再加上我们的水蒸气啊，来让他这个氧化的过程啊大大加快啊。其实在我们的常温下，他也会氧化，只不过这个氧化的速率是很慢很慢的，所以说我们就利用高温和水蒸气啊，来让他加快氧化。 好，那么这是我们本节课的内容啊，那么在上节课的话，我们是讲到了氧化啊，那么这节的话我们就来开始涂胶烘干了啊， 那么这涂胶的话，其实它主要是涂那个光刻胶啊，光刻胶，那么这里涂胶的话，它主要是在涂胶的过程中，它需要转的很快啊，为什么呢？因为只有转的很快的话，它才能够把这个胶把它给分布均匀啊。好，那么我们来看一下涂胶这个工序的一个视频。 第四步，涂胶光刻机刻的并不是硅片，而是光刻胶，你需要先在硅片上涂一层胶，先看怎么涂胶吧，为了不影响曝光，光刻胶需要非常均匀， 所以现在一般使用旋转涂胶的方法，你需要先找一个能旋转的吸盘，把你的金元放上来，然后让他转起来，一边转我们一边把光刻胶滴到金元的中心去，这些低下来的光刻胶因为旋转的离心力就被甩出去了，于是在高速的旋转下，你的光刻胶就被均匀的涂抹在金元表面。 呃，对于这个工序的话，其实在我国来讲的话，他难的并不是旋转这个设备啊，难的也并不是说这个啊，涂胶设备，他难的是这个光刻胶这个东西啊啊，当然的话，现在这现在的话，这个光刻胶的话，我国是已经攻克了，对吧？好，那么这就是涂胶的一个 工艺啊，那么本节课的内容啊，到这就结束了啊，那么在上节课的话，我们是讲到了这一个涂胶烘干啊，那么涂胶烘干之后的话，我们这一个呃硅片的话，他就要进行光刻了啊，光刻，那么光刻的话也是我国被卡脖子的一个工艺啊，那么我们来看一下这个光刻啊，它到底是什么样子的，好吧啊，那么我们一起来看一下这个视频啊。 第五步，光刻，接下来进入光刻环节，你需要一台光刻机，因为并没有光，嗯，现在这个视频上面的看到的这个光刻的话，其实它是 usmad 的 这个集子外的这个 ev 光刻机啊，光刻机厂商找我们掐饭，所以我们就不放购买链接了，有需要的小伙伴请自行搜索。 光刻，顾名思义就是用光来刻，其实不对，光在其中并没有起到雕刻的作用，它只是用光把光眼膜上的图像转移到光刻胶上，将光透射出去，在光刻胶上成像。光刻是缩小图像，我们需要把光眼膜上的电路缩小到更微观的尺寸上， 在光的照射下，光刻胶上的化学物质就开始产生化学反应了。有的光刻胶再见光以后会变成可溶解的状态，这就很容易在接下来的环节中被冲洗掉，这种胶叫做正胶。另外一种光刻胶则会再见光之后变得更加坚固， 所以不见光的地方更容易冲洗掉，这种胶叫做副胶。现在的工艺我们一般使用正胶，光刻是芯片制造里技术含量最高的一个环节，涉及到非常多的技术问题。 好，那么这就是光刻的一个大概的原理，对吧？他就是利用那个光和这个光刻胶啊，来发生一个化学反应，从而来生成一定的电路图案， 对不对？那么这里比较复杂，就是这里的光啊，我们应该怎么来发声，对不对？因为光这个东西的话，他像一个光子啊，像一个光子的话，他的一个他没有质量，而且他的题是非常非常非常非常小的， 所以说就比较难控制，是吧？好，那么光刻之后的话，那么这个光刻胶啊，它就可以溶解啊，可以溶解，所以说下一步的话，那么就是显影了啊，显影， 好吧，那么本节课的内容啊，到这就结束了啊，那么在上节的话，我们是讲了光刻，对吧？那么光刻之后的话，那么这个光刻胶它就变成那种可溶解的状态啊，所以说下一步的话就需要显影啊，显影好，那么显影的话，它一般是需要显影机的啊，那么我们来看一下显影它到底是怎么回事？好吧，它的工艺是怎么样的？ 第六步，显影，光刻胶曝光以后就进入显影阶段了，所谓显影就是把光刻胶上不需要的部分冲洗的问题，比如因为液体的张力很细，小的地方可能进不去就溶解不干净。同样其他的显影方式，比如喷雾式显影，一边喷显影液一边冲洗 啊，同学们要有个概念啊，他刚才视频里面刚才所说的啊，他溶解不进去啊，他溶解不进去，那么这里的小的话，他是指的那种 纳米级别的一些纳米级别的一些那个尺度啊，所以说水，他因为张力进不去啊，所以说这，这，所以说这显影液他因为张力进不去，这是很正常的好吧， 可能进不去就溶解不干净。同样其他的显影方式，比如喷雾式显影，一边喷显影液一边冲洗， 或者还有混凝式显影，先喷一层显影液泡一会，然后喷雾旋转烘干。接下来你需要把它放到一百三至两百度的烤箱中烤三十分钟，这是为了让它酥脆可口的，是为了让剩余的光刻胶粘的更牢固，因为接下来他就要接受更严酷的考验了。 好，那么这就是我们显影的这个工艺啊，那么显影之后的话，他下一步的话，其实就要开始这个刻石了啊，那么本节课的话，我们就来看一下这个刻石啊，他到他到底是怎么回事啊？在上，在上面的话，我们是已经讲到了显影啊，显影的话，他就是把把那个光刻胶被那个光刻机啊 刻到的地方，把它给充解，把它给溶解掉，对吧？好，那么他，呃把那些地方溶解之后的话，那么就要刻石了，那么刻石的话，他是需要那个刻石机子啊。好，那我们来看下这个刻石它到底是怎么样的？ 第七步，刻石。为了把光刻胶上以及显影的东西刻到芯片里，我们需要进入下一步了，这就是刻石。刻石其实和显影有点类似，显影是在光刻胶上挖坑，刻石是在硅片上挖坑。既然，对啊，这个我们显影是在光刻胶上挖坑啊。这个， 嗯，刻石是在龟片上挖坑，当然的话，他这里挖的坑其实是他表面的一层氧化层啊，二氧化硅。光刻胶上不需要的地方已经被去掉，露出了下面的龟片。最容易想到的挖坑方式还是浸泡，我们把整个龟片放到刻石液中，露出来的部分就被溶解掉了，于是光眼膜上的图像就被永久的刻到了龟片上。 这种通过浸泡来溶解挖坑的方式叫做施法克石。施法克石很简单，比如各项同性问题。你希望的克石方式是这样的，只溶解下面的部分，但克石液在实际溶解的过程中可是不分前后左右的，于是最后挖出来的坑可能是这样的，这就叫各项同性问题。再比如选择比的问题， 克石液在溶解硅片的同时也会溶解光刻胶，只不过一个溶解的快，另一个溶解的慢，两者溶解速度的比值就叫做选择比。 假设你要在龟片上挖出一个深坑，但是刻蚀液的选择比却不够大，那么很可能你坑还没有挖完呢，周围的光刻胶已经被溶解干净了。于是为了满足更高的工艺要求，我们有了干法刻蚀， 叫做干法刻蚀。你需要一个容器，这个容器叫做反应使，反应使上方有一个圆盘状的电极，能够产生射频电场。在反应使的下方，我们接上负极，同时把金元放上去，然后我们从一边通入反应气体。 反应气体在射频作用下就会被电离成等离子体，等离子体由带负电的电子和带正电的离子组成，于是带正电的离子就会被吸引到晶源这一边。高速的离子撞击到晶源上，就会把晶源上漏出来的部分克制掉。 肝法克时，因为反应气体的不同，会有不同的特点，如果反应气体是腐蚀性气体，主要还是靠腐蚀，这种攻击就是化学攻击，选择比会比较好，但是各项同性问题会更严重。如果反应气体是惰性气体，那就主要是靠高速的离子把金元上的原子撞飞，这就是物理攻击， 各项同性问题可以避免一些，但是这种攻击属于无差别攻击，所以选择比就会差很多。说到这里，我们顺便说一句，刻石是我们在整个芯片制造流程中最少被卡脖子的环节之一。中微公司的三纳米刻石机已经能够量产，具备了在国际市场上和顶尖厂商掰掰手腕的能力。 刻石在芯片制作中有很多作用，它既可以刻出芯片上的沟槽和凸起，也可以刻石掉表面的二氧化硅阻挡层。好在硅晶体中掺杂别的元素来制造晶体管。我们回头看看一开始提到的慕斯管，上面这两块是施主，也就是 n， 需要掺零，只需要通过掺杂来实现。 好，那么这就是课时啊，课时，那么课时其实说白了啊它就是一个化学反应啊，不管是用我们的这个课时液来实现还是说用那种干法课时来实现，对不对？所以说的话从原理上讲的话这个课时是比较简单的啊， 是比较简单的，所以说啊我国也很少被卡脖子，对吧？好，那么本节课的内容到这就结束了啊。嗯在上节课的话我们是说了课时啊，那么课时之后的话其实我们这个 芯片表面啊他需要用光刻的地方的话他也都被光刻了对不对？所以说他后面呀也不需要光刻了，所以说这个光刻胶他就没用了对吧？那么没用的话就需要去胶这一步 工序啊。那么去胶呃去胶的话其实他是需要这个机缘去胶设备，其实他也是呃利用这些化学反应来把这来把这上面的光刻胶把它给去掉啊。好，那么我们就一起来看一下他这里的去胶到底怎么样的好吧。 聚焦是光刻工艺中的最后一步，在刻蚀离子注入等图形化工艺完成后晶莹表面剩余光刻胶已完成图形转移和保护层的功能，通过聚焦工艺进行完全清除，避免影响后续集成电路芯片制造工艺效果。 聚焦工艺可分为湿法和干法聚焦两类，湿法聚焦工艺使用溶剂对光刻胶等进行溶解，干法聚焦工艺可视为等离子刻蚀技术的延伸，主要通过等离子体和薄膜材料的化学反应完成。湿法聚焦中使用的溶剂包括有机溶剂以及无机溶剂， 有机溶剂主要有丙酮和芳香族的有机溶剂等，而无机溶剂则主要是硫酸和双氧水等。将光壳胶中的碳元素氧化成为二氧化碳，把光壳胶从硅片的表面去除。由于溶剂易与金属反应 因子，不适合用于铝同等制成的去胶。干法去胶利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例，硅片上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应生成的气态的一氧化碳、二氧化碳和水分等可以由真空系统抽走。干法去胶适用于绝大部分的去胶工艺，是当前的主流方案。 相较于半导体制成中的其他设备，聚焦设备的市场规模相对较小，整体价值量较低。根据嘎腾的数据，二零二二年全球集成电路制造干法聚焦设备市场规模为七亿美元左右。近年来，全球集成电路制造干法聚焦设备领域呈现多寡头竞争的发展趋势， 主要参与者包括一堂半导体、比特科、日立高新、范林半导体、泰式半导体等，前五大厂商的市场份额合计超过百分之九十。在国际巨头历来占据主导地位的半导体设备领域，一堂半导体凭借百分之三十一点二九的市场占有率位居全球第一， 就立了在干法聚焦设备细分市场中国际领先的行业地位。目前，聚焦设备是我国半导体设备国产化替代中最为成功的部分。由于干法聚焦设备整体市场规模有限，一堂半导体也在向其他工艺段设备发展，包括快速热处理设备、干法刻蚀设备等。 啊，那么这个聚焦的话啊，我国的那个国产芯片是比较多的，对吧？为什么呢？也是因为他比较简单，对不对？也是一些那个化学反应啊。好，那么这就是我们的聚焦工艺的讲解啊。那么本节课的话，我们来讲一下这个离子珠珠啊，也叫掺杂啊，那么这个离子珠的话，它其实是把其他一些离子把它掺杂到我们这一个金源里面去啊。 好，那么我们就来看一下这个离子珠珠啊，它到底是什么样的一个原理。好，我们一起来看下这个视频啊。 好，我们来看一下第八步，掺杂。假设现在我们已经在二氧化硅薄膜上用刻石挖出来两个洞，接下来我们就需要把零通过这两个，就像墨汁在水中会散开一样，在固体当中原子也会散开， 不过我们需要足够的温度和浓度，所以我们把晶源放在高温的扩散炉管中，通入足够浓度的杂质蒸汽杂质原子就会扩散到晶源上，然后一点一点扩散到里面，然后你就完成了掺杂。 但是随着芯片尺寸越做越小，扩散方式的掺杂因为不能精确控制，就不太够用了。输入是用高能粒子数将杂质直接摄入到微。嗯，那个刚才那个扩散的方式的话，其实它就只适于那种， 呃，只适于那种精度不高的金元，比如说那种二十八纳米的呀，或者说一百纳米以上的，对不对？那么像像我们现在七纳米、三纳米这种， 前面的话，用这种掺杂就不可能实现了啊，就不可能，那么这里的话他就需要用到其他的方式了，那么我们一起来看一下一片柱离子注入装置，长这个样子， 最上头是离子注入源，因为气体最方便操作，所以一开始我们注入气体，比如灵丸或者三伏化棚， 这些气体通过离化反应使时被里面的高速电子撞击，电子撞飞了，变成离子状态。不过这个时候的离子成分很复杂，比如我们现在需要硼离子，但撞出来的离子可能既有硼离子，又有负离子，还有各种孵化硼离子要是一股脑给射到金源里，这块金源就毁了。怎么办呢？ 需要通过质谱分析仪把需要的离子挑出来。怎么做呢？给他加一个外部的磁场，磁场的作用就是让离子发生偏转啊，因为这个离子的话，它是带电赫的啊，那么带电赫的东西的话，它在磁场里面的话，它是会受到 一定的作用力，所以说它就会发生偏移，那么这个偏移的话，其实它是根据你这个带电赫的数量啊，发生偏移也不同啊，所以说它就是这个原理啊。 这些离子有的大，有的小，有的速度快，有的速度慢，于是当他们转弯时，有的画的圈更大，有的画的圈更小，我们在终点只留下很窄的一条缝隙，于是偏转轨迹不对的就被挡住了。只有你需要的那种离子，因为速度和运动轨迹正好合适才能通过去，这样就筛选掉了其他的离子。 这些剩下的粒子通过加速管被磁场加速到足够高的能量，然后通过磁透镜再次聚焦。在飞行的过程中，他们可能和空间中残留的气体分子撞击，导致某些粒子被中和， 清除掉这些中性粒子，我们必须再加一个弯曲磁场，于是带正电的粒子再次成功拐弯，最后撞击到晶圆上，而中性粒子就直接飞出跑道之外了，这就是粒子注入方式的掺杂了。粒子注入可能会撞坏原来 啊，那么这就是离子注入了，那么这个离子注入的话，其实在这个过程当中的话，其实有一个比较严格的要求，就是要要求真空啊，真空，因为如果说你，你不是真空环境的话，那么你这个你这个离子啊，那么就会和空气里面那些分子来撞击的话，那么这样的话整个过程就毁了，对不对啊？所以说就需要真空环境啊， 好，那么这就是离子注入啊，那么我们离子注入的话，呃，他也可能会撞坏原来硅晶体中那些金格结构，硅晶体中的金格结构造成损伤，为了修复这些损伤，我们需要把它放在六百至一千度的氢气中烤一下，俗称退火，对啊， 所以说我们离子注入之后的话，下一步工序它就是退火了，好吧，嗯，在上节课的话，我们是讲的这个离子注入啊，那么离子注入之后的话，因为，呃一些离子的话破坏了它的金格结构，所以说它就需要用退火啊，来修复它的结构啊。好，那么我们就来看一下这个退火啊，它的工艺有哪一些？ 在芯片制造中，退货工艺无处不在，通过将晶源加热到一定温度，并再次温度下保持一段时间，然后以恒定的速度冷却，以达到修复金格缺陷，促进杂质分布的目的。 金源退货工艺可分为炉管退货、快速热退火、 rta 激光退火、离子束退火等。目前金源厂中最常见的 rta 退货系统，成本适中，均匀性好，能够在几秒到几十秒的几段时间内迅速升温、保温与冷却，大大提高了金源退火效率与效果。 好，那么这就是退火的一个流程啊。那么退火之后的话，其实我们这个金源啊，就要开始 薄膜沉积了啊，薄膜沉积好吧，好，那么在退火之后的话，我们就开始薄膜沉积了啊，薄膜沉积的话，其实它主要是气象沉积啊，气象沉积，那么我们一起来看一下它的一些原理是怎样的啊？ 好，我们来返回一下啊，有点卡。第九步，薄膜沉积。说到现在 我们说的都是怎么挖坑的技术，但是芯片上除了向下挖坑以外，还需要向上生长出很多层，这就是需要薄膜沉积技术了。 要在金源上长出一些气象尘疾，种类很多，但简单来说都是利用化学物质在气态下的反应来生成的。比如假设我们想要在金源上再生成一层硅膜，可以通入两种气体，一种是四氧化硅，一种是氢气。 四氧化硅和氢气反应生成硅和氧化氢，氧化氢就是气体就跑掉了，而硅是固体就沉淀下来，在金源上生成了一层硅膜。 而物理气象尘基则是用物理方法把要尘基的元素送达到晶体表面，比如建设尘基，他和前面讲的三法克石有点类似，主要也是靠离子来轰击，不过这次轰击的不是晶源，而是镀膜用的材料，把你镀膜用的材料作为把才放到蒸发器里，接上负电， 然后通入亚气电离层，等离子体带正电的离子被电场加速，就会撞击到负电端的靶材上，把靶材的原子直接撞出来， 这些原子在空中飞来飞去，有一部分就飞到金元上落下来形成一层薄膜。这物理现象层级很多时候用来处理金属，在硅片上形成金属膜，好，接下来刻出导线电路 啊，那么这就是我们的这个薄膜层级啊，因为这个薄膜层级的话，其实它主要是为了那个金属化来做一个准备啊，因为我们烧的话是要在这个金元上面呢，是需要刻出电路来的啊。好，那么这是我们薄膜层级的一个原理啊， 嗯，在薄膜成型之后的话，我们就要需要进金属化了啊，那么这个金属化其实也是刻石啊，也是刻石，只不过他们刻石的对象是不一样的啊，是不一样啊，那么我们一起来看一下它这里的原理是怎样的啊， 所以我们现在说第十步，金属化，通过掺杂、沉淀和刻蚀，你现在已经在硅片上形成了一些器件，它们就像一座座独立的房子，需要道路连接起来，所以接下来我们需要用导线将它们连起来，这个形成金属导线的过程就叫做金属化。 金属化其实很简单，首先在绝缘层上挖个孔，将金属沉集进去，然后再在上面生成。呃，然后在上面生成一层金属膜啊，这个工艺过程其实就是我们上一步所讲的薄膜沉集啊，薄膜沉集对吧？ 其实就像于是深层镀膜啊，镀膜成一层金属膜，然后使用刻蚀，把不需要的部分挖掉，你就得到了把不同器械连接在一起的导线。当然，随着芯片的缩小和复杂化，原先仅仅一个平面的金属连线已经不能满足需要了，就像发达的城市需要立交桥来解决复杂的交通问题一样， 我们也可以把金属连线做成好几层，来处理更复杂的布线问题。这也不难，无非就是把单层布线的过程重复多次，再在不同的金属层之间加上绝缘层而已。 使用金属化完成这一切以后，基本来说你的芯片就完成了。当然，严格来说，他现在还不能叫芯片，只能算一块布满芯片的晶圆，你还要把它切割封装，最后他才能变成一块一块的芯片。但这不是我们要说 的重点了，所以今天就此打住吧。现在我们回头再看一看一开始提到的慕斯管，这下面是受住，也就是屁，也就是需要掺横和少量的零， 上面这两块是施主，也就是 n， 需要掺零。然后上面还有一层绝缘层和一个可通电的山极，你大概知道它是如何被刻出来的吧。 我们假设现在的硅片是已经预先做了屁形掺杂的了，那么要在这两个位置掺杂零，我们需要先挖坑，也就是说先氧化形成氧化层，然后涂光刻胶，用光刻在光刻胶上挖出洞， 接着用刻石把氧化层挖掉，再氧化，这样就在挖的坑上形成了一层薄的二氧化硅，这层二氧化硅是为了做山脊下面的绝缘层的，接着我们用薄膜沉集在上面生长出一层能导电的多金龟，是的，这一块就是将来的山脊， 现在需要的几层都已经准备好了，我们把它刻出来，还是先涂胶再光刻，然后挖掉光刻胶，接着用刻石挖出坑。 现在你已经拥有了绝缘层和山脊，接下来就该掺杂上场了，通过掺杂，我们在这两个坑的底部掺杂进零原子，于是两块 n 型半导体就生成出来一个貌似管已经基本起火了。 最后两个步骤，首先再生成一层氧化层作为绝缘层，然后再次动用光刻和刻石，在氧化层上打上三个洞，通过金属化生成一层金属膜，把金属放进去，然后在整个表面再生成一层金属膜， 再次动用光刻和刻蚀，把不需要的部分挖掉，只留下导线部分，于是一个可以和其他器件相连接的慕斯管就制作出来了，而一个芯片就是这样，无数个器件通过复杂的导线连接起来，才能够完成复杂的运算任务 啊，那么这就是我们整个金月啊，他中段的工艺啊，那么他整个中段的工艺其实也是最难的，对吧？那么当然的话，其实不同规格的芯片啊，他们的工艺流程的话，其实也是光刻呀，那个显影啊，以及那个刻石啊， 这些工艺不断的来叠加的，对不对？那么像华为的话，像华为他他们的芯片的话，他们就是通过多重曝光的那个形式啊，来达到那那那个效果，对吧？ 那么那么当然的话，实实际的工艺的话，肯定是肯定是比我现在给同学们讲的话，他会更复杂一点，好吧，好，那么这就是本节的内容，同学们，再见。那么在金属化之后的话，我们下一步话，其实对于我们这一个 金源其实还是需要进行一个研磨的啊，那么这个研磨的话啊，其实和之前的研磨差不多啊，也是需要这个 cmp 研磨设备是吧？好，那么这个的话之前也说过了，对不对？研磨的话，他也不是属于什么非常高端的工艺啊。 啊，那么这个 ic 制造完成之后的话，那么下一步的话，他就是那个 ic 封装测试了啊，那么这个 ic 封装测试的话，首先第一步的话，他就是这个筋缘剪薄啊，他不需要那么厚啊，所以说我们就需要把它的背面再给它磨薄一点点啊，那么我们来看一下它的一个视频， 好吧，那么其实关于后端的设备的话，我们国产是都没问题的。金元减薄的具体步骤是把所要加工的金元粘贴到减薄膜上，然后把减薄膜及上面芯片利用真空吸附到多孔陶瓷成品台上。飞行金刚石砂轮工作面的内外圆呢，就是通过这个上面的这个砂轮啊，来磨这个 整整个金元的背面啊，从来是点拔的目的，从中线调整到龟片的中心位置，龟片和砂轮照各自的轴线回转进行，切记，磨削磨片时需要在正面贴胶带保护电路区域，同时研磨背面，研磨之后去除胶带，测量厚度。 好，那么这就是我们整个机缘剪薄的一个原理及过程好吧，呃，那么在上节的话，我们讲的这个机缘剪薄，那么机缘剪薄的话，其实就需要对我们这个机缘上面啊进行画片了，因为我们一个机缘上面它是有很多个芯片的，所以说它是需要切割的啊，需要切割， 那么像这个机缘画片设备的话，其实它一般啊，可以采用那种激光画片啊，激光画片，我们来看一下，这是一个机缘切割三级动画 啊，这里的话他先取一片金元啊， 那么像这种取金元的金元手的话，其实都是集成的啊，都是集成的， 通过视觉来定位啊，这里的话是先通过视觉来定位啊，那么视觉定位之后的话，再通过激光来切割啊，划线，激光划线切割 啊，就这么循环复的话，就把整个这个金元把它给切割成很多成小的芯片了啊， 啊，那么到这里的话，他其实他就切完了，切完之后下一步就是切片了啊，切片 再来切下一片啊， 那么这就是我们的这个切片的工艺一些一些那个演示啊，那么本节课的内容到这里就结束了啊，同学们，嗯，在上节的话，我们是已经讲了，这个滑片啊，就是切片工艺啊，那么切片切片之后的话，我们就需要把一面的芯片啊，单个芯片把它给贴到其他地方去，对不对？所以说这里的话他就需要切片啊， 那么就需要贴片机啊，贴片机，当然的话，这里的贴片机它并不是指的那种 s m t 的 贴片机啊，它们贴的是不不一样的东西。好吧，那么我们就一起来看下这个金元贴片啊，它的是什么样子的？什么是金元贴片？从完成画片的金元中选择合格的 封装底座上，然后用粘合剂固定，这个过程称为贴片，关注我啊，其实很简单啊，就是把那个， 呃，就是把已经切好的芯片啊，把它通过搬运，把它放在我们那一个封装底座上面，然后再通过胶水什么的把它们粘在一起啊，这就是机缘贴片了是不是？这个过程其实也比较简单，最多可能就说需要洁白快一点啊。 呃，在上节的话我们是已经说了这个贴片啊，我们是把那个芯片把它放到我们那一个封装底座上面去，对不对？那么放到封装底座上去之后的话，我们就需要通过 引线啊，把这个封装底座上的一些针角和我们这一个芯片上面的一些位置把它连起来啊，从而形成一个闭合的电路，对吧？那么所以说在这个过程当中的话就需要这个引线见盒啊设备，对吧？好，那么我们就一起来看一下啊，这里是个什么原因啊？ 你见过世界上最精密的缝纫机吗？芯片见盒设备是一种用于将芯片与引线连接的关键设备，其工作原理是将微小的金线或铜线焊接到芯片的引角上。第一精度， 芯片剑核设备的精度非常高，通常可以在二十微米以下的范围内定位金线或铜线，这相当于人类头发直径的五分之一。第二速度，它的速度通常以秒计算，比如每秒可以完成数百个汉字，这种速度非常快，相当于人类眨眼的速度。 第三效率，芯片剑合设备的效率非常高，通常可以在短短几秒钟内完成成千上万的焊接，这相当于人类需要几个小时才能完成的工作量。芯片剑合设备具有极高的精度、速度和效率，可以在非常短的时间内完成大量的焊接工作，它是芯片制造中不可或缺的重要设备。你知道国内有哪些芯片剑合厂家吗？ 啊，那么其实这个设备还是有难度的啊，为什么？就是因为他的那个节拍太快太快了对不对？节拍快精度高啊，其实精度的话还好啊，精度啊，二十厘米两个四啊，两两个四的精度其实还好，主要是他的节拍太快了啊。节拍，那么这就是我们的这个箭盒设备啊。 呃，在上节的话我是说了这个隐形箭盒啊，那么其实隐形箭盒之后的话我们这个芯片他就需要封装了啊，封装的话其实是就是在那个封装底座上面啊，再来给他扎一层防护啊。那我们来看一下这个封装是什么样子的啊？ 为什么有的芯片是引角封装，而手机的芯片只是用的底部？ bga， 求三正面封装。我们先看这个芯片，所谓的芯片其实只有中间很小的一部分， 仔细看到的结构芯片是正面朝上，内部的电路会连接到四周的凸块，然后再一根一根打线，打出比头发丝还要细的金线连接到引角，然后再用外壳粘连保护。这种封装又称为打线封装啊，其实这的话他可能是需要那种成型设备啊，成型，通过那种塑料粒子成型， 随着芯片的功能越多，四周引角数量也要随之增加，相应的外壳体积就不得不做的更大，如果要做成手机处理器级别的芯片，估计光一块芯片体积就得和遥遥领先差不多大，很显然这种封装肯定不合适。我们再来看看另一种封装是如何解决体积问题的。 拆开芯片外壳，芯片是正面朝下，然后整面铺满凸块，这些凸块紧贴着一块导线窄板，注意看，导线窄板的线路是直接穿孔到另一面，然后植入金属球，芯片就是通过这些金属球和外部连接，对比之前面积变得更小，引角数量可以变得非常多。 如果是用在手机里的芯片，到这一步还不够。手机芯片除了核心计算，还有存储、基带、其他等等多种模块，也就是要将多个模块的芯片实现相互通信，并且整合在一个封装里。 它的原理是将所有芯片模块朝下放很多非常细微的凸块，然后接上一块系中介板，利用化学的方法在系中介板是刻出线路，并且这些线路是穿孔打通，线路只有十微米，略为头发丝的十分之一 一个丝吗？再放金属凸块连接导线窄板，导线窄板的线路同样也是穿孔打通，再接上非常多的金属球。这一种封装就是二点五 t 封装， 目前遥遥领先。芯片以及其他芯片都是采用这种封装。从实物可以看到，背部的金属球非常密集，金属球之间的间距也非常窄，在焊接电路板的时候稍微有点倾斜，金属球非常容易接触焊盘，所以手机芯片的焊接环节会采用 s m t 贴片机，利用机器来识别焊盘的位置，精准贴装芯片。 想要看压在中间的焊盘是否准确对准，直接看肯定是看不到的，所以 smt 工厂会采用 s 瑞设备，它的原理类似于照 s 光，可以清楚看到内部的接触状况，透过这个镜头也能清楚看到非常细小的线路片采用的二点五 d 封装，想要突破，无论怎么摆，所有芯片模块都是平铺在一个面， 还有更加突破的技术，这是连芯片本身也进行穿孔，也就是中间层的芯片本身既保持原功能，还要打孔，起到上下相通的作用，所以要在晶体管时刻阶段就要考虑走线穿孔的问题，这个难度非常非常大。目前能够做到穿孔的芯片只有一种，就是低润内存芯片， 目前已经实现 3 d 封钻的芯片是用在摄像头的头向处理，芯片顶部是用于受光的传感器，中间是低温实现，中间穿孔，底部则是用于逻辑运算的计算模块，正好组成一组 3 d 封装。所以未来芯片的发展方向是将所有芯片实现穿孔堆叠在一起，这个难度非常非常难，目前还没能够实现。 以上就是芯片的封装原理，好，那么这就是我们的封装啊，那么本节课的内容啊，到这就结束了，嗯，在上节课的话，我们是说了这个封装对不对啊？那么封装之后的话，那么就是测试了啊，那么测试也是我们整个芯片啊制造的最后一个环节了啊， 那么通过这个测试的话，来检测我们这个芯片它各个方面的一些功能，对吧？我们一起来看一下啊。芯片的测试原理是基于对芯片的电性能、 功耗、温度和容忍度等参数的评估。具体而言，芯片测试主要包括以下几个方面，一、电性能测试芯片的电性能测试是验证芯片工作时的电压和电流特性。常见的测试方法包括输入输出特性测试、直流电压测试、交流电压测试等， 用于评估芯片的稳定性和可能性。二、功耗测试芯片的功耗测试是为了评估芯片在不同工作条件下的能耗情况。通常使用功耗测量仪对芯片进行测试，记录芯片在不同负荷和频率下的功耗数据， 并通过分析数据来优化芯片的功耗性能。三、温度测试芯片的温度测试是为了屏幕芯片在工作过程中的温度变化情况。常见的测试方法包括使用温度计或热向仪对芯片进行测量，以获取芯片的温度分布图，从而了解芯片的散热效果和热点分布。 四、容忍度测试容忍度测试是为了屏幕芯片在不同外界条件下的容忍程度，比如电压波动、电磁干扰等。 通过模拟外界条件的变化对芯片进行测试，并分析芯片在不同条件下的响应和产生的误差，以提高芯片的抗干扰能力和可能性。芯片的测试原理主要是通过对芯片的变性能、功耗、温度和容忍度等参数的评估来验证芯片的稳定性和可能性，以及对其进行优化和改进。 好，那么这就是我们整个的一个测试啊，那么至此的话，我们这个芯片的制作啊，算是完成了啊，嗯，其实像这种半导体的产业啊， 嗯，他的工艺啊，其实是比那个，他的工艺啊，是要比那个设备啊，就说更难的啊，因为一般都是先有工艺啊，后才会有这个设备好吧。 啊，那么这个专题啊，到这里就结束了啊，那么如果说同学们，呃，想要知道其他方面的一些知识的话，那么也可以在评论区留言，好吧，那么同学们再见。