MicroLED CPO是什么?英伟达的下一个风口来了? #CPO #光模块 #算力 #MicroLED #人工智能

MicroLED+CPO工作流程

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发布时间:2026-03-08 08:54
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它把显示技术里的微型LED阵列(尺寸<100μm)直接当光源,取代传统激光器,实现芯片与光引擎共封装(CPO)。核心思路是用“宽而慢”并行架构:数百到数千颗蓝光MicroLED,每颗对应一个独立数据lane,只需100µA极低电流就能跑4Gbps,采用NRZ简单直接调制。
光信号通过多芯成像光纤束并行传输,每根光纤芯精确对准一颗MicroLED和接收端的PD阵列。接收端用CMOS集成PD阵列,把光转回电,整个过程无需复杂WDM或高速SerDes,功耗直接砍到80fJ/bit(Tx端,无FEC)。
技术体系分层:
•  发射端(Tx):MicroLED阵列 + CMOS驱动电路
•  互连介质:多芯成像光纤束(支持10米+)
•  接收端(Rx):硅PD阵列 + CMOS放大电路
•  封装层:支持SoIC/CoWoS先进封装,与ASIC直接共封装
•  系统层:兼容UCIe/BOW协议,实现>1 Tbps/mm²带宽密度
关键性能参数(Avicena 2025-2026最新演示):
•  单lane速率:4Gbps(可扩展)
•  Tx电流:100µA/LED
•  Tx能耗:80fJ/bit
•  BER:<1×10⁻¹²(raw,无FEC)
•  传输距离:>10米(已演示30米)
在100k GPU集群中,机架间互联若全用MicroLED CPO,一年可省约1500万度电,整体链路功耗仅为铜缆的5%。
与传统激光CPO对比:
MicroLED CPO功耗仅80fJ/bit(激光CPO 0.5-1pJ/bit),密度>1 Tbps/mm ²(激光CPO约0.5 Tbps/mm²),延迟更低(无激光启动时间),架构更简单(无需WDM)。激光CPO靠WDM实现单纤高带宽,但激光阈值电流和温度敏感性导致功耗更高、热管理更难。
MicroLED CPO在AI Scale-Up低功耗场景全面领先,是CPO技术的2.0版本,目前处于工程样片向小批量商用过渡阶段。
#MicroLED  #AI光互联 #CPO #AvicenaLightBundle #AI算力
    01:41
    MicroLED CPO(MicroLED-based Co-Packaged Optics)是AI光互联领域最前沿的低功耗方案,由Avicena的LightBundle平台主导。
    它把显示技术里的微型LED阵列(尺寸<100μm)直接当光源,取代传统激光器,实现芯片与光引擎共封装(CPO)。核心思路是用“宽而慢”并行架构:数百到数千颗蓝光MicroLED,每颗对应一个独立数据lane,只需100µA极低电流就能跑4Gbps,采用NRZ简单直接调制。
    光信号通过多芯成像光纤束并行传输,每根光纤芯精确对准一颗MicroLED和接收端的PD阵列。接收端用CMOS集成PD阵列,把光转回电,整个过程无需复杂WDM或高速SerDes,功耗直接砍到80fJ/bit(Tx端,无FEC)。
    技术体系分层:
    • 发射端(Tx):MicroLED阵列 + CMOS驱动电路
    • 互连介质:多芯成像光纤束(支持10米+)
    • 接收端(Rx):硅PD阵列 + CMOS放大电路
    • 封装层:支持SoIC/CoWoS先进封装,与ASIC直接共封装
    • 系统层:兼容UCIe/BOW协议,实现>1 Tbps/mm²带宽密度
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    • 单lane速率:4Gbps(可扩展)
    • Tx电流:100µA/LED
    • Tx能耗:80fJ/bit
    • BER:<1×10⁻¹²(raw,无FEC)
    • 传输距离:>10米(已演示30米)
    在100k GPU集群中,机架间互联若全用MicroLED CPO,一年可省约1500万度电,整体链路功耗仅为铜缆的5%。
    与传统激光CPO对比:
    MicroLED CPO功耗仅80fJ/bit(激光CPO 0.5-1pJ/bit),密度>1 Tbps/mm ²(激光CPO约0.5 Tbps/mm²),延迟更低(无激光启动时间),架构更简单(无需WDM)。激光CPO靠WDM实现单纤高带宽,但激光阈值电流和温度敏感性导致功耗更高、热管理更难。
    MicroLED CPO在AI Scale-Up低功耗场景全面领先,是CPO技术的2.0版本,目前处于工程样片向小批量商用过渡阶段。
    #MicroLED #AI光互联 #CPO #AvicenaLightBundle #AI算力
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