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长江存储首席科学家:中国三维闪存芯片实现了跨越式发展 在2025年北京大学研究生毕业典礼上,长江存储首席科学家、北大校友霍宗亮以“与国家同行,与民族共命运”为主题,为毕业生送上了一份饱含家国情怀的“职业指南”。他强调,北大人血脉中始终流淌着“家国天下”的基因,选择投身国家需要的产业,既是时代赋予的使命,也是实现人生价值的关键路径。 “存储产业在我毕业时并非热门,但我坚信它是国家战略所需。”霍宗亮以自身经历为例,回忆起加入长江存储的“十年磨一剑”历程:团队从零开始,卧薪尝胆,在3D NAND闪存领域突破技术封锁,推动我国三维闪存芯片从“无”到“有”、从“落后”到“赶超”,最终实现跨越式发展。他特别提到,2020年长江存储成功研发第三代TLC/QLC闪存,其中X2-6070型号创下当时业界最高I/O速度、最高存储密度和单颗容量三项纪录;2021年更推出零售品牌“致态”,填补了国产存储终端市场的空白。 霍宗亮指出,当前全球科技竞争加剧,半导体产业作为国家战略支柱,更需要年轻一代“沉下心、坐冷板凳”,在自主研发的道路上默默耕耘。他呼吁毕业生摒弃“快速回报”的浮躁心态,将个人理想融入国家需求,在芯片、存储等“卡脖子”领域勇担重任。 作为国内唯一专注于3D NAND闪存的半导体企业,长江存储自2016年成立以来,已构建起从设计到制造的全产业链能力,产品覆盖嵌入式存储、固态硬盘等场景,其技术突破被视为国产存储产业自主化的里程碑。霍宗亮的寄语,不仅是对北大学子的期待,更折射出中国科技工作者“以产业报国”的集体信念。#真空回流炉 #芯片封装 #半导体设备 #长江存储 #闪存芯片
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