硅原子哥哥笑纳原唱歌词

这是硅原子，每个硅原子最外层都有四个电子，这四个电子会与周围的四个硅原子的最外层电子结合，形成四个共用电子队，也就是四个共加键。 当然，实际中他们是立体的，会排列成这样的正四面体的形状，许许多多的龟原子就会形成这样的晶体结构。如果一整块龟内部全部都是这样的排列，那么这块龟就被称之为单金龟。 在单金龟中，电子都被稳定的供架件所吸引，所以正常来说，单金龟是不导电的，不过你用超大的电压去击穿它也是可以的，这就属于另外的知识了。只有单金龟是造了计算机的，还需要对单金龟做 进一步处理，这种处理叫做参杂。这是十五号元素零，它的最外层有五个垫子。 如果我们往本正半导体中参入一些零元素，那么零元素最外层的四个电子就会和周围的硅原子电子组成共加键。此外还会剩下一个电子孤独的存在，这个电子就会变成自由电子， 也就是说，进行参杂的部分就变成可以导电的了。这部分中可以用来导电的例子是带负电的电子，所以用 negative 负电来表示，简称 n 型半导体。 这是五号元素棚，它的最外层有三个电子。如果我们往单金龟中参入一些棚元素，那么棚原子最外层的电子会和周围的硅元 子电子组成供架键。但是需要注意的是，会有一个供架键，缺少一个电子就会形成一个空穴，这种不太稳定的结构中很容易再吸引一个电子过来。而由于蓬原子原子核内只有五个带正电的质子， 所以被吸引过来，这个电子也很容易被重新失去。这种缺少一个电子的结构，我们称之为空穴。这个空穴也可以用来导电，也就是说这部分参杂的部分也变成可以导电的了。 在这部分中，可以用来导电的是显正电的空穴，所以用 positive 来表示，简称 p 型半导体。 如果我们取一块单金龟，一边给它掺入一些零，使其变成 n 型半导体， 另外一边参入一些棚，使其变成 p 型半导体。在两者的交界处，电子会从浓度较高的 n 型半导体扩散到浓度较低的 p 型半导体内，这一现象被称之为扩散运动。 此时 n 型半导体失去了电子，将会呈现正电。 p 型半导体的空穴被电子所填充，将会呈现负电，这样发生扩散的部分就会形成一个内电场，内电场方向由 n 到 p， 这部分内的电子也会受到这个电场的作用，发生和扩散运动相反的运动，被称之为漂移运动。随着扩散运动的加强，相应的内电场也会被加强，漂移运动也会被加强。最终扩散运动和漂移 运动将形成一个动态平衡，这种动态平衡存在的区域就被称之为 p n 结。 这时候，如果我们为这块半导体施加一个由 p 指向 n 的电场，当这个外电场的大小足以抵消内电场的时候，平衡就被打破，拼接就消失。 n 区的自由电子会经过 p 区空穴的传递，最终到达电源的正极，形成回路。此时这块半导体就处于倒通的状态。 而当我们将电源的正负极倒转，改变半导体外电场的方向，此时外电场和内电场的方向是相同的，于是拼音节被加强，这块半导体就是断开的状态，这就会产生一个 单向导通的现象，这种技术就可以用来制造二极管，而现在我们要利用这一现象制造更加高级的东西。我们取一块单金龟，在这里和这里参入些零，使其变成 n 型半导体。 在其他位置参入些棚，使其变成 p 型半导体。根据我们刚才刚学的知识，在两种半导体的交界处就会产生 pn 结。 如果我们给两块 n 型半导体分别接入一块电池的正负极，如果这边接入正极，那么在 y 电筒的作用下，这边的拼音节将会被加宽，整个结构就不会形成回路，也就是断开的状态。而如果颠倒正负极也是一样的， 这边的拼结就会被加宽，整个结构也不会形成回路，也是断开的状态。 那么有没有一种可能让我们动一些手脚，让这个结构变成可以倒通的状态的呢？ 这里我们来看一下另一种常见的电路元件电容。我们准备两块金属板，让他们相对摆放，中间再夹一个绝缘层，防止他们粘到一起。 分别将这两块金属板接入电池正负极，此时接正极的金属板中电子会被电池吸引走， 这块金属板就会显示正电，而电子会在电池作用下涌向另一块接负极的金属板，这块金属板就会显示负电。这样两块带不同电信的金属板 中间就会产生一个电场，如果此时电场中有电子，那么这些带负电的电子就会被带正电的电极所吸引。 我们将这个类似电容的装置接到我们刚刚做的结构里面去，此时我们给上面的这块金属板接上电源的正极，下面的这块金属板接上电源的负极， 那么在正负极之间就会形成一个电场。在这个电场作用下，会有很多电子进入到 p 型半岛体内， 并且在正极的吸引下，这些电子会涌向上方。这些电子来到上边之后，会首先填充 p 型半导体内的空穴，之后电场力继续作用，这里还会积累很多自由电子。此时我们来观察一 这片区域， p 型半岛体内的空穴被电子填充，并且还有很多自由电子， 除了掺杂的原子核是蓬原子之外，这不就是块 n 型半导体吗？于是我们就可以发现，在外电厂作用下，我们将这块 p 型半导体的一部分变成了 n 型半导体， 这两块 n 型半导体就被连接了起来，此时电路就是可以导通的状态了。中间的这部分因为具有 n 型半导体的性质，所以我们就将其称之为 n 勾道， 这样我们就创造了一个 mos 管出来，左边这个被称之为原极，也就是电流流入的极。右边这个被称之为漏极，也就是电流流出的极。中间的这个电极 用来控制圆集和漏集的通断，被叫做山集，不知道为啥叫山集的，去看我电子管那一期视频这样一个装置，我们就把它叫做 mosfat 金属氧化物半导体长效应晶体管， 金属就是指这上面的电极氧化物，就是我们刚刚在山极下面放置的绝缘层。在实际制造过程中通常使用二氧化硅来制作半导体，就是下面的 n 型和 p 型的半导体。厂效应，我们刚才的各种电厂就是厂效应。 晶体管，我其实也不知道为啥要叫做晶体管，可能因为都是晶体吧。我们现在使用的各种芯片，电脑里的也好，手机里的也好，其基本组成单元就是今天介 少的貌似管。我们经常听到广告里边说某个最新款的芯片里面集成了多少多少个晶体管，就是说这块芯片里边含有多少个这样的貌似管。 那么这种 mos 管是如何变成芯片的呢？关注我下期视频，我们来研究门店路。

在自然界中，有人半导体叫归，他是今天结构。在每一个归原子周围都有四个归原子， 相互交织，相互融合。我们画一个最简单的柜的机体结构，每一个柜周围都有四个垫子，这里面是四个垫子。然后最下面的呢，他也是四个垫子。最左边的呢，外围也是四个，也是四个垫子。 最上面的呢，也是四个电子，最右边的也是四个电子啊。在这种情况下，中间的这个龟原子正好有八个电子，他是爆合的。所以说这个龟要想使他失去电子，难度非常大。 有一次，科学家将中间的这个龟把它换成了零。当把这个龟换成零过后呢，我们再换下电动机构，看看什么情况。首先，人的周围有无电子，想换无电子。 而龟周围每龟周围仍然有四个垫子。往右边一二三四，下面的龟也是四个垫子，一二三四。左边的一二三四好，上面的一二三四，很显然，中间的这个零最后有几个，我数一下一二， 所以说零，他的外面多了一个电子，这个我们称之为多电子，我们称之为多子，或者叫自由电子。 那么科学家又做了一件事情，当他把这个龟换成了糖元素过后，又有什么情况呢？我们这个糖元素作为是带单电子，我们先发出三个电子，第一 二三。好，我们再把龟周围有四个垫子画上去。一二三四，一二三四，一二 三四，一二三四。好，我们数一下。彭州有个电筒，一二三四五六七。很显然，棚外围只有七个电子，所以他是不保的。所以这个地方有一个空穴，空穴就等着电在空，这个地方称之为空穴。 由于参杂了零过后呢，这个结构呢，有这个电子多字，科学家给他命名叫 n。 参加了这个棚元素过后呢，他这地方多了一个空穴，我们称之为 p。 这就是我们经常讲的拼音。这个拼音拼音我们很熟悉， 那么如果说我们把 p 结和 n 结放在一起去，会产生什么结果呢？我们先各自画一下 p， n 把这个结构 假设这是 p， 这是 n。 我们知道 p 有空缺，假设就换六个空缺。再进一下， n 有多子有多子。 p 和 a 没有结合的时候，他们各自过着安详的生活。他们分别不带电。虽然说这个 a 外面有多余的自由电池，但是他的原子核内部的直子跟他之间是综合的，所以他本人不带电。当我们把他碰到一起去的时候，会出现什么情况呢？ 打开支屁打开支 a 好，屁有空缺。六个空缺， a 有六个电子，当我们把它放在一起去的时候，很显然，电子会和带负面电子和带正电的 空缺，他俩会结合。哎，找对象，他找男朋友呢，哎，他也找男朋友啊。这边可能还有很多很多很多很多啊，可能会有很多很多很多。就在这个 p 和 a 结合的位置，各自找对象，好结伴， 好在找对象。这个区域密度非常高。这个密度指的就是电子和空穴之间结合，密度非常非常高。这个地方 我们吃这个以后，进去 耗尽成行程比较高。那么在耗尽成之外的这些店子也想找对象对吧？也想找朋友。 那么他们要想越过耗尽层，难度比较大，在没有外界施渣的情况下，这些电子和这些空缺仍然保持单人状态，是没有办法，没有耗尽成。那么耗尽成电子越过来过后，在这个地方一定会形成一个压差。那么压差是多少呢？如果说是归管，这个地方在电视差是零点七伏， 如果是折管，电视上是零点三幅。好，我们今天只讨论归管，不讨论折管。 那么拼音节的单向导电型又怎么回事呢？ 我们画一个点火，示意我们给拼接加上电池的正极。在 a 端我们 加上电池的负极，当我们开关在关闭的一瞬间，我们知道电池的负极 有大量的电子，当我关闭过后，这个电子就会顺着导线大量的渗入到分解这一段。也就是说这一段的电子会聚集的非常非常多，非常非常多。所以就像打仗一样，我这个地方不断的增援，不断增援。 当我的这个电池的电压大于零点七伏的情况下，比如比方说我给他一点五伏啊，大于七伏情况下，电子 拿着枪，扛着炮，就一下子越过了浩景城，一下子越过了浩景城，一旦越过浩景城，那整个拼音节就打通了。这就是二区管导电性这个原理，单向导电性的原理。如果说我接反了，我这个地方接的 是正极啊，如果我接反了，这个要接正极，这句话接的是负极。那么这个时候呢？我们知道这个地方是如果接反，这个人会放到垫子，那么垫子会把这个空缺往这边拽，往这边拽，而这边在正极， 电子也被往这跑。这种情况下就会使得耗尽层无限的扩大，耗尽层越来越大，越来越大，使得他无法导电啊。那就是为什么二极管具有单向导电型。 简单的说，如果电池和 png 的二极管正向相结的话，在 png 附近的电池会透过耗精层和 空穴链接，在 pn 节这边会形成薄薄的一层耗尽。耗尽层越窄，导电性越强。如果电池和 pn 节反向相近的话，电子和空穴 分别两头往外跑，导致中间的耗尽层越来越大，使得二级慢无法搞定。