台积电量产的2纳米芯片是什么原理

hello， 大家好，欢迎收听我们的播客。呃，今天我们要聊的呢是台机电在台湾开始量产先进的二纳米半导体芯片， 然后我们会跟大家聊一聊这个二纳米的 n 二工艺到底有哪些新的突破，以及说现在有哪些公司在抢购这些二纳米的产能， 以及说台积电在未来的工艺规划上面还有哪些值得关注的地方。好的，那我们就开始今天的内容吧，我们先来聊第一块儿啊，就是这个二纳米的 n 二工艺到底新在哪儿？首先第一块儿就是这个晶体管儿， 这个 g a a 的 纳米片晶体管儿，这个东西到底给我们带来了哪些新的变化？就是这个 n 二工艺呢，它是台积电第一个 使用了这种全环绕炸极的这种纳米片的晶体管，那这个东西最大的好处就是它的这个炸极是完全把这个勾道给包起来了，嗯，所以它的这个静电的控制能力就非常强， 然后它的这个漏电也可以大大降低，所以它就可以把这个晶体管做的又小又省电，听起来对芯片设计非常友好，没错，然后这个东西就会让 芯片设计师可以非常灵活的去调整他的这个无论是高性能还是低功耗的这个单元。 同时呢，这个 n 二的这个工艺，它的这个混合设计的晶体管的密度可以提升百分之十五，纯逻辑的可以提升百分之二十，这个 s r a m 的 密度也创造了一个新的记录，所以这就是为什么它可以同时兼顾高集成和高能效这两个很难的事情。 听起来确实很厉害，那除了这个晶体管的结构的变化之外， n 二工艺在供电和能效方面有哪些具体的提升呢？这个工艺它集成了这种超高性能的这种金属绝缘体金属的这种电容器， 然后他的这个电容密度是比上一代翻了一倍，同时他的这个薄层电阻和这个通孔电阻都降低了一半，所以他的这个供电的稳定性和顺太响应都有非常显著的提升，所以说就是芯片的这个电压波动啊和这个响应速度啊都优化了，没错没错， 然后同时呢就是 n 二还采用了这种低阻值的这种重分布层，所以它可以让这个信号的损耗更小，电路的稳定性更高，再加上它的这个 在同等的功耗下可以提升百分之十到百分之十五的性能，或者说在同等的性能下可以降低百分之二十五到百分之三十的功耗，所以它就是 让这个芯片的这个能效表现又上了一个新的台阶。哎，所以说台积电这个 n 二工艺在量产和未来发展上有哪些让人眼前一亮的地方？ 它这个工艺呢就是在今年二零二五年的四季度就已经正式进入了量产，然后它是在台积电的高雄的这个工厂首先实现的量产，而且它一开始的这个月产量就可以达到五万片， 预计到明年就可以每个月有十二三万片的产量，就它的这个扩产的速度是非常快的。这么高的产量，然后呢良品率怎么样？良品率啊，就是 n 二的这个良品率啊，在量产的初期就可以达到百分之九十左右， 就这是一个非常夸张的数字啊，对于一个新的工艺来说，然后同时呢它的这个缺陷率也比七纳米、五纳米、三纳米 这些前辈们都要低，而且它是可以同时支持智能手机 ai 芯片和高性能计算芯片的这样的一个生产，而且它后续还会有 n 二 p 和 a 十六等工艺不断的去升级它的这个性能， 所以它就是台积电的这个领先的地位啊，就变得更难去撼动了。咱们来聊第二个话题啊，就是市场布局和需求 这一波啊，就是说这个二纳米的产能到底被哪些巨头抢走了？台积电的二纳米的产能啊，就是还没有正式量产，就已经被预定到了二零二六年底，甚至二零二七年，就是苹果 几乎包下了新竹的这个首批的一半的产能，然后高通、 amd、 英特尔、英伟达、 联发科博通这一些大厂全部都在疯狂地抢份额，连明年的都已经被抢光了。对，连明年的都已经被抢光了。然后除了这六大厂商之外，还有亚马逊的那个 anna perna， 还有 google， 还有这个 open ai， 还有这个特斯拉， 还有很多这种 ai 芯片的初创公司都在里面抢，就是前十五大客户里面有十家都是搞高性能计算和 ai 的， 所以这个二纳米的工艺就变成了大家兵家必争之地，哎，所以说这个二纳米的芯片到底是被哪些领域在抢着要，最主要的驱动力其实是来自于 ai， 这个领域就是大模型还有这个云端的 ai 推理， 这是最主要的驱动力，然后高性能计算和数据中心的这个需求是暴涨，就大家都想要用这个二纳米的芯片来做这个算力的这个加速，因为它能效比和这个晶体管的密度都有非常大的提升，所以说这个二纳米就成了新的这个兵家必争之地，对，没错没错，没错。 然后除了这个 ai 和高性能计算之外，其实高端的智能手机，比如说苹果的这个 m 系列的芯片，还有就是安卓的一些旗舰机，它们也都是用二纳米作为一个性能的分水岭，再加上一些网络设备啊，还有一些汽车电子啊，它们也开始挤进来抢这个潜能， 所以就是整个市场的这个需求远远超过了台积电能够供应的这个量，所以就导致就是这个二纳米的这个工艺至少在未来两三年都是一个极度紧缺的状态。 所以说面对这么大的需求缺口的话，台积电到底是怎么来应对的？然后包括二纳米的这个市场格局到底有哪些新的变化？台积电就是一口气把它的月产能在二零二五年底的时候提升到了五万片， 然后到二零二六年的时候翻倍到十万片，到二零二八年的时候更是冲到了二十万片。就是他的这个扩产的速度是非常吓人的，而且他的这个新的工厂不光是在台湾，他也在美国， 美国的工厂也开始上二纳米了吗？对，没错没错没错，然后美国的亚利桑那州的工厂呢？ p 二产线也是提前在二零二八年就量产了二纳米，而且他规划的是到二零二八年的时候，要让美国的这个产能占比达到三成， 那就是啊，三星和这个 rapids 其实他们也在紧追不舍，但是台积电的这个二纳米的量率已经超过了百分之九十， 所以就是他还是在这个市场上是占据一个绝对的主导地位，就客户已经把他未来几年的潜能都提前锁死了，所以就是啊，台积电的这个溢价权也大幅提升。咱们来聊第三个部分啊，就是说 n 二之后的工艺到底有哪些新的突破？ 第一个问题啊，就是说 n 二 p 这个工艺到底在哪些方面做了升级，然后会主要用在哪些地方？ n 二 p 其实就是 n 二的一个进阶版嘛，它是台积电在二零二六年的下半年会量产的一个工艺， 它主要的就是通过优化晶体管的结构和升级一些材料，然后让它的这个性能在同样的功耗下比 n 三 e 提升了百分之十八， 或者说在同样的性能下，它的能耗可以降低百分之三十六，它的这个晶体管的密度也提高到了 n 三 e 的 一点二倍。哦，那这个提升确实挺明显的，没错没错没错。然后 n 二 p 它就是特别适合 ai 服务器，高端的笔记本电脑，还有就是旗舰的智能手机这一类的应用场景，所以就是沟通的下一代的旗舰芯片，枭龙八至尊版，还有联发科的天机九六零零，他们都是用的这个 n 二 p， 所以 他们就可以获得更高的 ai 算力和更好的能效， 所以这个 n r p 就 会让高端的电子设备的表现又上一个新台阶。哎，那这个 a 十六这个工艺呢？它有哪些比较颠覆的创新呢？ a 十六是吧？对， a 十六它是在二零二六年的下半年会量产，然后它是台积电第一个使用背面供电的技术， 就是他把这个电源的线路埋到了芯片的背面，这样的话就可以腾出更多的空间给信号的走线，所以他的这个供电会更稳定，同时他的这个干扰也会减少。 哦，那这个应该对性能的提升应该挺有用。没错没错没错。然后 a 十六它相比 n 二 p， 它可以在同样的电压下把速度再提升百分之八到百分之十，或者说在同样的速度下，它可以再降低百分之十五到百分之二十的功耗，它的这个晶体管的密度也可以再提升百分之十到百分之十五。 对，这个工艺就是专门为那些 ai， 超级计算机、高端的服务器和旗舰的 gpu 来打造的。嗯哼，所以就是英伟达的下一代的 blackwell 架构的这个 gpu 就 已经确认会使用 a 十六。嗯，那就是 极致的算力和极致的能效。哦，那你觉得台积电在推进 n 二 p 和 a 十六这两个工艺的时候，它们有哪些比较独到的布局呢？嗯，台积电其实它是在新竹和高雄的多个工厂同时在推进这两个工艺， 然后它也是为了就是能够及时的满足那些高端的客户对这个 ai 和 hpc 芯片的一个爆发式的需求哦， 所以说就是产能的分配会非常的灵活。没错没错没错，然后除了这个传统的旗舰手机和这个 ai 云计算之外，其实 n 二 p 和 a 十六也会被用在汽车电子、高端的消费电子和这个互联网上面， 而且这两个工艺其实在二零二六年就会大规模的出货。嗯，那就是台积电继续拉开和其他厂商差距的一个关键的法脉。哎，今天我们其实聊了很多关于台积电的二纳米工艺的一些技术的突破，市场的争夺，包括未来的一些展望。 其实我觉得随着二纳米工艺的量产，整个半导体的格局确实在被悄悄改写。对，无论是在技术层面还是在市场层面，确实台积电又走到了一个新的高度。好了，那么这就是今天的全部内容了，然后感谢大家的收听，咱们下期再见，拜拜。拜拜。

台积电二纳米的制成提前投产啊，然后他的这个一点四纳米的新厂也在加速建设，这个对于整个半导体行业意味着什么？ 那我们就先来看看台积电现在在二纳米和一点四纳米这两个技术节点上面到底布局到什么程度了？我们再来聊一聊华为和中兴国际跟台积电之间到底有多大的差距。 最后我们再来聊一聊咱们国内的这些企业未来要怎么去追赶这个先进的水平。第一个要聊的呢，就是台积电的这个技术飞跃啊，那这个二纳米的这个制成究竟有哪些核心的突破？为什么大家都在说它意义重大呢？说到这个二纳米的话，它是台积电第一个 使用了这种全环绕炸极的纳米片晶体管的这样的一个制成，他的这个炸极是把这个导电沟道完全包起来的啊，所以他的这个静电控制就非常的强，然后他的这个漏电也会大大减少，所以这就可以让芯片的体积缩小，同时他的这个能效也会提升。 听起来确实是挺黑科技的。对，他这个就是比如说在同样的功耗下，他的速度可以提升百分之十到百分之十五，或者说他在同样的速度下可以降低百分之二十五到百分之三十的功耗，然后他的这个晶体管的密度也提升了百分之十五到百分之二十， 他还集成了这种新型的电容，所以他的这个供电也会更稳等等吧，反正就是这一系列的创新，就为人工智能和高性能计算 带来了新的可能性，也让台积电继续领先同行。台积电的这个二纳米的工厂和这个一点四纳米的工厂的建设进展到底有多快？他这个二纳米的芯片已经在二零二五年的最后一个季度开始量产了，然后 他的这个主要的生产基地就是在台湾的高雄的那个 fab 二十二厂，而且他这个量率是比预期的要好的啊，所以他二零二六年就会快速的增加产量，他的这个新竹的 fab 二市场也会在后面跟上。 那客户的话，主要就是苹果、英美达、高通和 amd 这些大厂嘛，而且他们都已经提前把产能都预定光了。一点四纳米的有什么新消息吗？一点四纳米的话就是台积电已经宣布了他要在新竹和台中新建两个超大的精原厂，就是 g 六和 g 七厂， 然后这两个厂的话是总共投资超过新台币一点五兆元，就是要专门来生产这种 ai 和 hpc 芯片的，它的这个目标也是要在二零二六年开始量产， 所以这就是为了要巩固他们在这个最先进的工艺上面的领先地位。就是台积电的二纳米的工艺会给整个半导体行业和科技权带来什么样的改变，就是他这个二纳米的工艺就会让芯片的性能和能耗都提升到一个新的高度吗？那这个就会直接让 智能手机数据中心还有这个 ai 边缘设备都会迎来一波升级潮，就大家会用上更省电的同时有更强大的芯片。听起来就是行业格局要被搅动了，没错没错没错，而且就是台积电不光是在技术和产能上面拉开了和三星、英特尔的距离， 他们甚至把这个二纳米的晶圆的价格都提升到了三万美元一片，就是这也加速了这个 chip 的 这个潮流，就是大家会更创新，同时也更谨慎的去分配自己的才能。 我们现在要聊的就是企业实力的对比了啊。那这个最核心的问题就是华为、中兴国际和台积电他们在芯片制造技术上面到底有多大的差距？台积电就是已经实现了三纳米量产，然后二纳米也已经进入了市产， 甚至他们的一点四纳米也在研发的赛道上面，他们的这个 euv 和 duv 的 设备是很充足的，所以他们的七纳米及以下的这些制成的芯片的出货占比是非常高的。 那相比之下，中芯国际呢？他们目前是十四纳米的 finnet 是 可以稳定量产的，七纳米的这个 n 加二已经开始出货了，五纳米的这个 n 加三刚刚开始试产， 而且他们没有 euv， 所以 他们只能用 duv 去做多重曝光，那这样的话成本就会很高，良率也不容易控制， 所以在工艺上面确实是有不小的鸿沟啊。没错没错，那华为呢，其实它是一个设计公司，它没有自己的工厂，所以它是高度依赖台积电这些外部的厂商的啊哈，那以前它有一些高端的芯片是可以交给台积电去做的， 那现在呢？因为受到了这个制裁的影响，所以他现在也只能去依赖中兴国际的这些相对成熟的工艺啊。那整体的这个性能和能效跟台积电最新的那些芯片比还是有差距的， 那现在这三家公司在全球的半导体市场上面的地位差别有多大呢？台积电就是一气绝尘啊，他在二零二五年的第二季度试战率已经超过了百分之七十， 然后他的客户都是这种国际上的顶级的科技公司，主要的收入其实是来自于北美。那他在这个高性能计算，特别是 ai 芯片这块，他是吃了非常大的一块蛋糕的。中芯国际和华为呢？中芯国际的话，他是只能排在全球第三，然后试占率只有百分之五左右， 他的收入主要还是靠中国大陆，他的客户主要也是国内的这些厂商，在这个先进制程这块，他是很难跟台积电去较量的。华为的话，因为受到了制裁之后，他的这个芯片的设计 是被限制了，所以他的这个市场影响力也是大幅的缩水啊，跟台积电就不是一个量级了。那这三家公司在赚钱的能力上和研发投入上差别有多大呢？台积电去年一个季度就赚了将近三百亿美元， 然后他的毛利率是非常高的，他的研发和扩产一年要投出去四百亿美元，就非常的有钱。中兴国际和华为呢？中兴国际的话，他一年的收入也就是台积电一个季度的收入， 然后他的毛利率只有百分之二十左右，他的研发投入虽然说比例不低，但是绝对额是远远赶不上台积电的。 华为的话，因为受到了制裁之后，他的这个净利润也是下滑非常厉害，他的芯片的生产现在也主要是靠中兴国际在做，所以他跟台积电的差距也是非常明显的。我们现在来聊一聊大家都很关心的一个话题啊，就是说 国产的芯片企业到底和台机电有多大的差距啊？尤其是在技术和产业链这一块，到底是被什么东西掐了脖子？其实最最核心的就是我们的国产的这些厂商没有办法买到最顶级的 euv 和 duv 的 光刻机， 那你没有办法买到这些最顶级的设备，你就没有办法去制造三纳米以下的这些芯片，所以你只能通过多重曝光啊等等这些比较复杂的工艺去 勉强的提升，但是你的良品率和成本都是没有办法跟台积电去相比的，光刻机确实是绕不开的一个难题。然后不光是这个设备啊，其实我们在硅片、 光刻胶这些原材料和工艺的化学品上面也是大量的依赖进口的，包括我们的设计软件 eda 和一些 ip 都是被海外牢牢的把持住的啊， 包括我们的产业链的各环节之间也是协助的效率非常的低啊，就经常会出现这种设计和工艺的脱节啊等等，再加上我们的人才的积累和研发的体系也不健全，所以就说我们跟台积电的差距是全方位的。那我们现在来聊一聊大家都很关心那个话题啊，就是说 国产的芯片企业在未来要怎么去突破，怎么去追赶台积电。其实现在已经有不少的公司在尝试用多重曝光啊，用一些自对准的工艺去让我们现有的设备能够做到更先进的制成，比如说七纳米甚至五纳米， 然后包括我们的一些本土的 eda 工具，也在慢慢的可以支持这些更复杂的芯片的设计，所以说技术创新是一个很重要的方向，没错没错，然后同时呢我们也在 推动产业链的上下游的企业之间的联合研发啊，去同步我们的工艺和封装的一些需求啊，国家也通过一些专项的计划，大基金的持续的投入啊，去加强我们的人才的培养和国际的合作啊，就是多管齐下，才能够真正的去缩小这个差距。 你觉得国产芯片企业要真正的追上甚至超越台积电，会是一个什么样的节奏，什么样的路径？其实我觉得国产的芯片想要去赶上 台积电这种巨头啊，他不是说一蹴而就的，就是未来的五到十年都是一个非常关键的时期啊，那我们就是要在这个时期里面在成熟的制成领域去巩固我们的优势，然后在一些新的架构啊，新的封装啊这些方向去 找一些突破点，同时呢就是不断的去推动我们产业链的各个环节之间的协调创新，去抓住这个智能化和这个新兴的应用的这个风口，才有可能真正的去后来居上。但是这个肯定是需要时间，需要耐心，需要持续的努力的。好吧， ok 了，那么今天我们聊了很多关于台积电 二纳米制成的一些突破，然后也聊了聊我们国产芯片的一些机遇和挑战。其实我觉得科技的竞争啊，从来都不是一个一帆风顺的事情，但是每一次的卡脖子其实都是一个成长的机会，我觉得只要我们能够抓住创新，抓住血统，我觉得未来还是充满了希望的。

二零二五年十二月三十日，台积电冠恩轩二纳米技术于该年第四季开始量产，这一成果意义重大，其原理及影响值得深入探讨。 n 二工艺是台积电首个采用全环绕山级纳米片晶体管的制成节点。 从晶体管架构来看，此前的 finfet 架构在制成逼近物理极限时，局限性凸显沟道的接触面积，能实现更精确的电流控制，还可提高驱动电流，让晶体管在低电压下高效运行，实现了从二维向三维立体架构的转型。 而 g a a 架构增加了山脊与降低漏电情况，相比前一代 n 三 e 制成， n 二在相同功耗下可提升百分之十至百分之十五的性能，在性能与功耗方面，再向同性能下能耗降低百分之二十五至百分之三十。针对混合设计，其晶体管密度可提升百分之十五， 纯镍级设计的晶体管密度增幅更是高达百分之二十。这意味着芯片能以更低的能耗实现更高的性能，应用在手机上可大幅提升续航，应用在 ai 服务器等设备上则能显著增强运算能力。 另外，台机电还开发了低电阻、重分布层和超高性能金属绝缘体、金属电容器，为供电网路提供了比前代设计高出两倍以上的电容密度，同时将片电阻与通孔电阻各降低了百分之五十，有助于实现更稳定的供电和更优化的整体能源效率。 台积电二纳米芯片的量产，不仅是半导体制造工艺的重大突破，也将推动 ai、 智能手机、自动驾驶等众多领域的发展，开启芯片技术的新篇章。

两纳米芯片量产，台积电悄然突破，三星和英特尔面临严峻挑战。二零二五年第四季度，台积电正式宣布其两纳米芯片量产，这一消息如同一枚重磅炸弹，在半导体行业掀起轩然大波。 台积电作为全球领先的芯片制造企业，两纳米技术的推出不仅意味着半导体技术的又一次飞跃，更预示着一场激烈的市场竞争即将展开。 台机电的两纳米技术采用了环炸纳米片晶体管，在性能提升和功耗优化方面取得了显著进展。 据台机电透露，相较于三纳米技术，两纳米技术在相同功耗下可提升百分之十至百分之十五的性能，在相同性能下则可降低百分之二十五至百分之三十的功耗。 此外，两纳米技术还将晶体管密度提高了百分之十五至百分之二十，这将极大提升芯片的集成度和处理能力。面对台积电的强势突破，三星和英特尔不得不加快脚步，以期在竞争中占据有利地位。 三星在二零二五年底宣布其两纳米芯片量产，试图通过创新技术弥补过去在三纳米工艺上的不足。然而，台积电凭借卓越的质量控制和低成本优势，已提前锁定包括苹果、高通、联发科在内的众多高端芯片订单。 台积电的成功不仅得益于其先进的技术研发，更与其强大的供应链管理和高效的生产流程密切相关。这场两纳米技术竞赛无疑将重塑全球半导体市场的格局，对整个行业产生深远影响。

小伙伴们好啊，我是猫叔！ ai 大 战如火如荼，两纳米芯片抢滩进入高潮，一起来看看吧！随着二零二零五年末，台积电低调宣布其两纳米工艺芯片已正式开始量产，标志着从此全球半导体行业 进入了一个全新的时代。专家表示，台积电的技术突破不仅巩固了在高端芯片还深耕的领先地位，也引发了业界对于三星、英特尔等 竞争对手才能的热烈讨论。台积电采用最新的环绕纳米片精密管技术，使得新风钻工艺在性能和功耗方面实现了显著提升和完美配合。 与此同时，相比之下，三星也在同一时期宣布了其两纳米芯片的量产计划，甚至深深在某些性能指标上超过了台积电。然而，专家分析表示，台积电更为成熟的技术和较长的研发周期仍保持了市场优势。王叔觉得，这场两纳米的竞赛不仅关乎企业间的竞争，更预示了未来智能手机、 ai 芯片、数据中心等产品的市场格局将迎来新的改革。小伙伴们怎么看呢？你的支持是我的动力，我是毛叔，下次再见！

万万没想到啊，两纳米支撑这一波让三星给抢滩登陆了，眼见代工业务被台积电蚕食殆尽，李在荣啊，这是不蒸馒头也要争口气，先不论这个基础能力如何啊，那么这个名声咱是得赚到位，但是呢，在三星主导话题的同时啊，台积电却是在笑而不语，英特尔呢，也在暗藏杀气， 具体是怎么回事呢？就在前不久啊，三星正式发布了业内首款的两纳米支撑的移动处理器 xinox 二六零零啊，预计可能会搭载在接下来的这个 galaxy s 二六系列上啊，但据说呢，只有这个基础款和 plus 机型会用啊，那么 ultra 还是会机型高通，那这个就不言而喻了啊， 竞争上可能依然是无法跟高通的旗舰产品相提并论的。那么这期视频呢，我们就主要借这个机会来讲一下目前两纳米背后的一个技术态势。首先啊，我们要说明的是啊，其实三星这个两纳米呢，它只是一个叫法，一种营销术语，它如果说按照台积电的标准来看的话，那么可能只能算是一个二点五纳米， 为什么这么说呢？因为目前在整个半导体行业，主要就是有三家企业在竞争所谓的这个两纳米之城嘛，那么分别就是三星的 s f 二工艺啊， 台积电的 n 二工艺和英特尔的十八 e 工艺，当然呢，还有一个日本的 rapids 啊，那么这个暂时先不说，而在这三者之间，既然是先进之称，那么大家就要关心这个晶体管的密度啊，因为这个呢，就直接代表了缩放能力，而根据现有的这个行业数据的话，那么在 h d 库下的这个纯逻辑密度啊， 两纳米支撑下，三星大约是二百三十一，台机电大约是三百一十三，而英特尔呢，大约是二百三十八。注意，这个数据啊，指的是完全采用 hd， 也就是高密度库的一个纯逻辑数值啊，而实际的芯片设计中呢，你不可能全部都用这个 hd 库啊，还要混合 hp 库啊， 而且呢，还得把这个 sram 那 一块呢给算进去，而这个 sram 的 缩放呢，是非常困难的，所以说到了某一个具体的芯片上，那么这个晶体管密度呢，并不是前面所说的那些数值啊， 甚至呢，有可能都差不了太多，但是这个纯逻辑为主啊，就可以反映京元厂的一个工艺水平了。那么目前基本可以确定的就是三星和英特尔在两纳米的这个缩放水平 啊，都差不多，而这两者呢，又同时啊，跟台积电是有较大差距的，基本上就可以这么判断啊，那么为何会产生这样的差异呢？其实这个原因比较复杂，我们来逐步的深入一下，目前来说，三星和英特尔的 n 三 e 工艺啊， 但是呢，基本等同于 n 三 b 工艺，注意，这个 n 三 e 是 n 三 b 之后的一个版本啊，那么它是为了提高粮率而牺牲的一些密度，所以说，其实三星这个两大米呢，严格来说啊，它是在台积电的这个 n 三水平的这么一个产品啊，当然呢，考虑到三星这个两大米呢，也就是这个 s f 二啊，后续还会有 s f 二 p 和 s f 二 z 啊， 那么他后续的这个逻辑密度啊，其实还是会提升的，那么跟台积电的 n 三会形成一个相对明显的差距，那么这样的话，把它继续叫做两纳米之城啊，其实也是说得过去的，而人家英特尔呢，索性啊，就直接叫十八 a 了啊， a 就是 艾米迪斯曼，相当于是一点八纳米之城啊。 但是业界呢，一般认为啊，它就是 s f 二和 n 三的一个对等工艺啊，因为早期英特尔它有个二十 a 啊，被取消了。那么这样来看的话，三星的两纳米从晶体管密度上，其实呢，就已经输给了台积电了。 而不仅如此，为了确保这个良率啊，在 xnos 二六零零这款 soc 上呢，不仅没有集成基带啊，也没有集成 gps， wifi， 蓝牙、 uwb 以及 nfc 等功能，相当于啊，它还要单独外挂基带，并且呢集成其他的芯片啊，那么这个只能说是限阶段三星的一个战略妥协了，因为三星啊，它在这个尖端支撑上，长期面临一个良率问题，那么最早发布时呢，是仅有百分之十到百分之二十的这么一个水， 后续据说提升到了百分之六十到七十左右啊，但是呢，与台积电的这个 n 三同时期相比啊，差距是很大的。而现在的这个两纳米，也就是 s f 二工艺，那么初期良率据说呢，也是在百分之十到百分之二十之间，但是目前已经攀升至百分之六十了啊， 那么由于这个量律问题啊，三星其实就损失了大量的代工客户，包括高通和英伟达等等呢，最终啊，都转向了台积电。而目前呢，台积电啊，就作用着苹果，英伟达， amd， 高通， midi tech， 博通，甚至说是部分英特尔的业务啊，这种需求就成为了三纳米，两纳米这些先进之城的一个绝对领导者， 试战率啊，长期维持在百分之七十以上。那么三星这边呢，它好就好在它自己有处理器，可以消化一部分的自家潜能。但是呢，这个代工业务在过去的三年实际上是一直处于颓势的， 仅有一些来自日本客户的小订单啊和一些矿机产品。而在台积电产能被抢购一空的这个前提下，那么三星就凭借更低的价格，终于呢是把马斯克啊给搬了过来，那么负责呢，为特斯拉生产下一代的这个 ai 六芯片，这也算是喘了口气啊， 那么目前着急在二零二五年结束之前把这个两纳米处理器给发布出来，其实呢就是为了给下一台年的这个代工业务打打气嘛，那么这个进展啊，就是在三星代工负责人韩进万于二零二四年底入职之后全力推进的一个结果，他的目的啊，其实呢就是为了拉客户啊， 而且呢设定一个目标，那就是在二零二七年实现代工业务的盈利，同时呢拿下百分之二十的市场份额。应该说啊，从二零二六年开始呢， 代工业务对于三星来说啊，就直观重要了，因为像是目前啊，高通， amd 和谷歌呢，其实都在跟他谈判中啊，那如果说这些国际巨头啊，能够签下一部分合作的话，那么就能够咸鱼翻身。不过尽管如此呢，三星在两纳米这个节点上，它的基础优势其实呢也不是特别明显， 前面呢已经提到过了啊，它在晶体管密度也就是这个缩放能力上，实际上是不及钛极电的，但是呢，在这个性能上，其实呢它也不及硬盘啊。那么这里呢，我们来说一下一个背景，那就是三星，其实从三纳米开始，它就已经引入了这个 j a a five 的 晶体管结构，三星呢把它叫做 m b c five 啊，那么这个呢，也是导致它良率暴跌的一个主要原因。 g e f 它相较于目前主流的这个分 f 来说啊，那么它由于让这个山脊来四面包围这个沟道，就形成了一个更为复杂的几何结构啊，于是呢，就导致啊，它的这个工艺难度被指数级放大了，量率自然也就上不去了。那 所以呢，三星的这个激进策略反而呢是让它适得其反。而台积电和英特尔呢，都是在两纳米节电才转向了 j e fife 啊，分别是推出了 nintendo switch j e fife 和 robot fife 啊，两种架构其实相对来说啊，是比较保守的，但是在这两者之间啊，台积电的 n 二虽然说晶体管密度提升了不少啊， 但是 c p p 这个关键指标其实呢并没有显著提升，甚至有猜测说啊，可能是没有任何变化啊，那么 c p p 呢，就是这个啊，它其实代表的就是两个相邻的晶体管的这个山脊中极线之间的一个距离，那么如果说 c p p 缩放太激进的话， 那么直接的结果啊，就是会引入更多的 e u v 多重曝光工序啊，那么会带来各种的变异性，最终呢会影响良率，那所以胎记垫它应该说是吸取了这个 n 三的教训啊，并没有在 n 二上去大举缩放 c p p， 而在这个 c p p 变化不大的前提下，那么 n 二之所以在晶体管密度上有提升，就是因为啊，它换成了这个 g e f f 嘛，取得了一个结构性优势啊，因为 g e f f 如前所述啊，它是山脊四面包围沟道，那么它对于这个电流的控制能力是增强了， 就可以做的更小一些。那么所以呢，这里啊，大致可以粗暴的理解为是楼间距没有变，但是呢，这个楼它变窄了。同时呢，因为在 n 二中，它引入了 nano flex 技术 啊，也就是说，可以灵活去配置山极中的这个 nano sheet， 也就是这个纳米片宽窄的一种技术。所以啊，在这个 h d 库下，它的这个纯逻辑密度就比较有优势了，因为借助 nano flex 呢， nano sheet 在 理论上是可以实现一个无级调节的这种宽度的啊， 那么这样一来的话，就对于空间的利用率啊，就极大提高了。这个呢，要比 n 三 e 中引入的这个氛 flex 啊，就更高效了，因为后者啊，它只能配置氛化的中啊，这个棋盘的数量呢，属于离散调节， 只有那么几个组合。而最后一个 buff 在 于啊， nintendo flex 还允许配置不同的标准单元高度啊，也就是这个数值啊， 所以啊，它在这个设计上就更为灵活了。那么如果说采用 short sales， 也就是这个短单元的话啊，再配合最窄的这个纳米片宽度，那么整个逻辑密度啊，就可以得到显著提升。另外不得不提的是啊，由于采用了这个 g e f t， 那 么所以说台积电它在 n 二上就等于把这个 s ram 的 体积呢 缩小到了零点零幺七五，而在 n 三上呢，是零点零幺九九啊，就取得了这些年比较难得的一个突破。虽然说 s r m 呢，它本身并不计入纯逻辑密度的这个计算面积啊， 但是呢，它的缩放可以优化布线，从而呢可以间接帮助逻辑电路啊，省出一些空间来，这样呢，提升密度。而由于 c b p 指标变化不大，那么这个其实在一定程度上并没有让 n 二的工艺难度提升太多啊， 那么相当于啊，是大量研究了 n 三，也就是这个分赛那一套的一个经验。那么再叠加台积电整体啊，在 d t c o， 也就是设计工艺协调优化以及生产技术上的这个深厚积累啊，那么所以说 n 二的这个逻辑密度要领先于三星核英特尔，而同时呢，从早期来说，它的这个量率啊，就做的非常不错啊，那么目前据说啊，在百分之七十， 甚至是百分之八十以上，而这里呢，英特尔的这个十八 a， 它是率先引入了背面供电技术， 而钛金电要在 a 十六，也就是这个一点六纳米引入啊，那么三星要在 s f 二 z 才会引入，都还得等个一到两年。而背面供电的意思啊，就是说把原来在芯片正面的那些电源线啊，给单独窄到芯片的背面，从而呢就可以空出大量的空间了，让这个进气管在布局上更加的游刃有余，也就有利于啊提升这个密度， 至于为何它的这个密度没有比台积电高，一个是因为英特尔跟台积电在这个生产工艺上它有经验差距啊，它要确保良率。另一个就是目前呢，十八 a 它是主打性能， 那么所以呢，它要牺牲密度来换取更高的这个电性能，而十八 a 它的主要应用场景目前来看是 pc 芯片，而不是手机芯片啊。根据国外的权威机构的评分，那么英特尔十八 a 它在性能指数上是达到了二点五三，而 n 二是二点二七， s f 二呢是二点一九啊，那么所以说樱桃儿是领先的，比如说这个它不太公平啊，那么 pc 处理器，它的主屏和移动处理器它能一样吗？这个评价其实呢是一个综合性的 p p a 评价，也 就是这个综合了性能、功耗和面积 g r 呢，通过一个模型啊计算得出的一个指标啊，它其实是不分 pc 和手机的，因为啊，三星和台积电的这个两纳米呢，它以后它也要生产这种大芯片啊，比如说这个 ai 加速卡等等。所以这个评测呢，它其实是具备一定的参考性的。 而英特尔十八 a 之所以能够拿分最高呢，那么其实这个主要原因啊，就是引入了背面供电技术，那所以呢，我们说英特尔其实是暗藏杀气，当然了，这些啊是属于预测性分析啊，因为所有节点截止目前其实都还没有真正的大规模去商用，那么所谓的评价是依靠投影模型所计算出来的啊， 但是呢，英特尔十八 a 它的性能潜力是不容小觑的，而且这里啊也要强调一下啊，就是三星和英特尔的这个 g e five， 其实都有类似于台积电的这个 nano flex 那 种设计啊，就是可以灵活配置 nano 折叠的这个宽窄嘛，但是呢，它俩做的并不如台积电那么的精细和极致啊，三星呢是把损坏量率啊，英特尔呢是把损坏性， 而只有台积电在这个方面是独树一格，左右逢源，八面玲珑，长袖善舞。那么讲到这里啊，我们对于目前最为热门的三大两纳米之城公寓就有了一个基本的了解啊，整体来说的话，三星两纳米呢，其实是处于一个垫底的位置啊， 它在这个工艺水平上不如台积电，那么在技术高度上又不如英特尔，暂时来说啊，它的优势其实并不是特别的明显，所以说 xinox 二六零零这个处理器，其实呢要保持客观看待啊，当然呢，由于更先进的制成工艺和一些其他技术的加持，那么它相比自己的善待来说，应该是有比较显著的提升的。 但是呢，放眼整个的移动处理器市场呢，这个两纳米节点的招牌能够给它加持多少，其实目前还是个未知数啊， 只能等到产品实际出货才知道。不过如前所述啊，这个芯片的意义其实呢也更多是帮助三星来挽回半导体代工业务的颓势， 因为呢，从二二年以来，它就在连续亏损了，这个生存空间已经被挤压的够呛了，所以这次啊，需要去极致的创造一个升降存。那么最后呢，我们再来介绍一下前面所提到的这个日本的 rapids 啊，没错，他也在研究两纳米芯片啊，那么 这个公司呢，来头可是不小的，首先啊，它有日本政府的大力扶持啊，那么股东清一色也都是财阀级企业，包括丰田，索尼， n t t， 软银， nec 等等等等啊，基本上你听过的日本的主要的电子工业巨头都有参股， 而最为关键的是啊，它的这个两纳米技术方案是来自于 ibm 的 直接授权啊，工艺方案是直接来自于 i m e c， 这个设备呢，就直接来自于阿斯麦和东京电子等等顶级供应商，可以说是众星捧月。而目前呢，据说啊，它在这个晶体管密度上已经是做到了比较高的水平啊， 在这个 hd 库下达到了二百三十七啊，那么这个可能跟目前的三星和樱桃呢有一拼了，但是呢，跟台积电的 n 二还是有差距的啊， 而且值得一提的是啊，它也有一个可变电压域值的设计啊，那就是它可以通过改变这个 g a f t 中 nano sheet 的 这个数量啊，来去调节电压，从而呢，在这个性能和功耗中啊，来找一个平衡。 而台积电在 n 二中引入的这个 nano flex 呢，是可以调节 nano shift 宽窄的嘛，那么两者其实是异曲同工，但是综合来说的话，台积电这个 nano flex 它可能会更靠谱一些啊，那么由于 raptus， 它的两纳米呢，仍然是处于一个研发测试阶段啊，那么最早要在二零二六年 q 一 呢才能够发布 pdk， 也就是给客户提供的这个设计套件啊， 而且呢，在二零二七年才能够实现高通量生产，所以呢，它目前的不确定性其实还是很大的，所以呢，我们也没有将其列入讨论啊。但是呢，除了其他三家以外，那么谈及两纳米之城 raptus 呢，也就是第四家了，所以可以肯定的是啊，就是目前业界的两纳米节点已经是 production ready 了， 二零二六年就将集中放量。而这一波其实最大的看点呢，已经不在于手机和电脑处理器本身，而在于两点。那么一个呢，就是消费电子的 soc 中，得益于两纳米这样的尖端支撑，那么它的 npu 模块性能呢，会更加强大。那么这个呢，对于接下来的 ai 手机， ai 电脑是一个非常大的加持。 二是专业的 ai 加速芯片，那么过个两三年啊，也会用上两纳米啊，那么届时这个算力性能呢，又会拔高一个层次，比如说英伟达它的这个入门架构啊，以及亚马逊、谷歌和麦塔各自所研发的这个专用 ai 芯片，也都在瞄准两纳米， 那么这样来的话， ai 算力它的竞争可能会进入到一个更为显著的分水岭。我是大刘，感谢观看。

二零二五年末，台积电两纳米芯片在高雄晶圆厂量产的消息，狠狠敲在了全球半导体行业的鼓点上。 更让人眼前一亮的是，这次先进制程首发不再是苹果的独角戏， a、 n、 d 抢先拿下合作，直接打破了行业多年的固化格局，也让我们看到芯片赛道里永远藏着新的可能。 台积电这波两纳米突破，靠的是纳米片晶体管技术的扎实落地，比起三纳米性能涨了百分之十五，功耗降了三成。这可不是简单的数字变化，而是芯片能效比的一次大跨越。现在 ai 算力高端、中端对芯片的要求越来越高， 这波技术突破正好给下游产业装上了新引擎，让整个行业的创新有了更硬的底气。当然，两纳米量产背后也摆着难题，研发生产成本高，大规模商用牌的薄地缘政治也还在给供应链出难题。 但这从来都不是半导体行业停下脚步的理由，反而像一根鞭子，抽打着所有从业者往前冲。 台积电的突破，说到底是技术深耕的结果，也让我们看清，芯片赛道的核心就是技术为王。对于咱们国内的半导体企业来说，这不是压力，是实打实的动力， 别人的进步就是我们的参照，卯足劲搞自主研发，啃核心技术硬骨头，一步一个脚印追上去，咱们也能在先进制程的赛场上跑出自己的节奏，闯出属于中国芯片的天地。

据科技指南报道，台积电两纳米芯片悄然量产，三星、英科尔面临前所未有的挑战，谁将引领未来芯片技术的新时代？ 台积电在二零二五年第四季度成功量产两纳米芯片，标志着半导体技术迈入新的里程碑。尽管台积电并未举行盛大发布会，仅在官网低调提及此事，但这一举动却引发行业震动。 紧随其后，三星也在二零二五年十二月十九日正式宣布两纳米芯片进入量产阶段，不仅密度超过台积电，三纳米性能提升更为显著。两家公司之间的竞争愈发激烈。台积电和三星均采用全新 ga 纳米片晶体管技术，大幅提升功耗和性能。 然而，三星在研发速度上超越台积电，仅用两年半便实现量产，显示其在技术创新和资源投入上的优势。 另一方面，三星的 xinos 二六零零芯片尽管作为全球首款两纳米手机芯片备受瞩目，但在实际性能上与高通等竞争对手仍有差距。这场芯片技术竞赛不仅关乎企业命运，也将深刻影响全球科技格局。

台机电二纳米制成量产如期启动，全球科技巨头纷纷抢定产能，这场芯片技术革命将如何重塑产业格局？台机电二纳米制成量产如期于二零二五年第四季度启动，标志着半导体制造技术迈入新的纪元。 据台机电官网和分析师会议透露，二纳米技术采用纳米片晶体管架构，相较于三纳米工艺性能提升百分之十至百分之十五，能耗降低百分之二十至百分之三十，芯片密度提升百分之十五以上。 这一技术革新不仅提升了能效，更适应了全球日渐增长的绿色需求。台积电预计二零二五年底前产能将达到四万片晶元，二零二六年底冲击十万片，以满足市场需求。 目前，苹果、 amd、 英伟达、高通和联发科等科技巨头均已预定二纳米产能， 其中苹果作为最大客户，二零二四年贡献了台积电百分之二十五点一八的营收。二纳米芯片技术的商业化将极大推动智能手机、 ai 和数据中心领域的发展。

现如今人类的科技水平很大程度上取决于工程师们对微观世界的理解和掌控能力，大量新的技术都需要在纳米尺度上挖掘未来的可能性。二零二一年五月，蓝色巨人 ibm 公司宣布 造出了全球第一颗两纳米工艺的半导体芯片。核心指标方面， ibm 称该两纳米芯片的晶体管密度为三百三十三点三三，几乎是台积电五纳米的两倍，也比外界预估台积电三纳米工艺的每平方毫米约有二点九二亿个晶体管要高 用更易理解的描述来表达，即在一百五十平方毫米，也就是指甲盖大小面积内容纳了五百亿颗晶体管。 同时，在同样的电力消耗下，其性能比当前七纳米高出百分之四十五输出，同样性能则是减少百分之七十五的功耗。 ibm 公布的显微镜下两纳米芯片照片里面，一个个排列整齐的锯齿状凸起，就是芯片中负责运算的最 基础结构单元。晶体管的横截面也是两纳米的奥秘所在。业内常常提及的芯片使用多少纳米的工艺，虽然在很多年以前代表芯片里晶体管特征尺寸的真实大小，但是现如今七纳米、五纳米芯片中所谓的多少纳米，其实早都已经不代表晶体管的真实尺寸了，而只是一个技术代号。 ibm 的两纳米芯片在每一平方毫米的面积上可以制造三点三亿枚晶体管，这个密度差不多是苹果手机里五纳米芯片的两倍。小米、三星等手机里五纳米芯片的三倍，确实有比较明显的提高。要知道晶体管的密度跟芯片性能基本上是成正比的， 这种高密度的晶体管技术能把如今手机的续航提高到四天，对大型的数据中心、个人电脑以及自动驾驶汽车也有很大的性能提升潜力。其次，之前 ibm 采用了一种新的晶体管立体结构 gaa 技术，有望引领芯片技术再往前走很多年。 芯片结构最初是平面的，之后尤其是晶体管结构，而今天的是全环绕式立体结构 g a a。 事实上，全环绕式结构并非 ibm 独创，三星、英特尔、台积电等很多芯片制造商也在尝试这种新结构。 可以预见的是，伴随着全环绕式结构，芯片技术很有可能继续迎来十年的蓬勃期。两纳米的 gaa 技术首次使用底接电隔离通道，它可以实现十二纳米的删程，其内部间隔是第二代干法设计，有助于纳米片的开发， 这也是第一次使用 euv 曝光 ful 部分过程。根据最新的消息显示，三星的三大米 g a a 制成在近期有着不错的表现，因为梁律在过去几个月获得了一些进步，这也为三星和高通的重新合作打下基础。 英特尔的 d a a 晶体管架构应用到 ribbon fight 中，会在 intel 二十 a 正式量产、 intel 十八 a 进一步优化供电方式、开关速度、控制工 号等指标。虽然三纳米还没有普及，两纳米却已经引起市场期待。去年台机电也表示二零二五年将为两纳米技术量产做准备，并使用纳米片电晶体结构。之前业界都表示三纳米芯片制成的天花板，但现在已经得到证实， 之后的一纳米以及纳米之后的技术实现又是对半导体工厂的另一大挑战。