这是莫斯管,女的,这是三极管,男的生了个孩子叫绝缘三双极型晶体管,取名叫 igbt。 因为场效应管是压控型器械,所以孩子随妈妈也是压控型。 因为三极管有很强的电流通过能力, igbt 随爸爸也可以通过很大的电流, igbt 长这样,其中两个角随爸爸即电即吸 发射极一,其中一个角随妈妈控制三极居。这是 i g b t。 的 内部等效图,给三极施加正向电压末死管导通,末死管的导通会把这一颗 p n p。 的 三极管的积极电流对地抽走。 p n p 三极管导通 时,会有很多的电流流过这个电阻,在电阻两侧产生压降,这个压降会加到 n p n 三极管的积极。 n p n 三极管导通,同时会把更多的 p n p 三极管的积极电流对地抽走,两个三极管互补之下,迅速的让 i g b t。 进入饱和导通状态。这样讲解你能看懂吗?看懂了,点个赞呗!
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三极管、 mose 管、 igbt, 他们之间的特点,应用以及检修方法。三极管、 mose 管、 igbt 都是差不多都有三个引脚,从大小上看,三极管 要小一点, mose 管呢处于中等, i g b t 呢比较大。三极管是一个以积极电流来驱动流过及电极电流的一个 元气件,他的工作原理呢,相当于一个水龙头一样的,这个积极就像水龙头的开关,他有三种工作状态, 分别是截止状态、放大状态以及饱和状态。截止状态,当积极的电压小于这个极电极的电压,这个时候 没有电流通过,所以相当于这个水龙头是没有打开的,集电集和这个发射集之间是没有电流通过。第二种状态就是放大状态, 当极电极的电压高于这个积极,积极的电压又高于发射极, 这个时候他就处于一个放大的状态,这边的水龙头相当于开了一点,这边电流越大,这边的电流就会放的更大,他有一个放大倍数,就叫比塔值,当这个电流乘以比塔值,就等于 从这个极电极流上发射极的这个电流的大小。第三种状态就是饱和状态, 积极的电压大于极电极电压,极电极电压又大于发射极电压,水龙头开到最大了,所以这个时候极电极和发射极相当于是联通的状态,小电流控制大电流,它适合于 小功率的开关或者小信号的放大,不过他有缺点,缺点呢就是他本身这个功耗大。莫斯管他的三个引脚分别是三极、原极和漏极,他跟三极管的区别,三极管是用电流控制电流, 莫斯管是用电压控制电流,当在三级输入一个合适的电压,就可以控制他处于一个截止、放大、饱和 的状态。由于这个三级和内部之间有一个绝缘层,输入主抗大,输出主抗小,开关速度快, 热稳定性比较好。由电压控制电流,通常适合一些中功率中电压,一些开关电源,通信电源、高频电源或者振流器等等。 igbt 集成了木斯管和三极管的特性, 它具有三极管的集电极和发射极,又有 mos 管的三极,它的工作状态就是截止和饱和, 相当于开关的作用。同样的也是由电压控制电流,所以他功耗比较低。他的特点,输入组 抗高,输出主抗小。他可以应用在高电压大电流的使用环境当中,他的使用电压可以达到六百伏以上,甚至有的达到了一千伏以上。他的应用范围,电动汽车里面的驱动电路, 大功率的电源,焊机,变频器等等。它的开关频率没有 mose 管的高, 通常低于二十五 k 赫兹,而 mos 管呢,是大于一百 k 赫兹,他的输入电压通常不低于一百伏。这三种元器件我们在维修当中 如何快速的判断他是好是坏?拿一个万用表测量他的任意两个角,正反的一个电阻,如果正反都是导通的,那说明这个管子肯定是坏的,已经击穿了。

新能源制冷机组能够快速节能降温,背后有一个关键的电力管家,也就是 a g b t, 全称是绝缘炸双型晶体管,这是它的电路符号,本质上它是一个电子开关。说到电子开关,你可能会想到金属氧化物、半导体和晶体管。那么与它们相比, i g b t 有 哪些优势呢? igbt 最大的优势在于它的耐压能力可达六千五百伏以上,可以承载高达三千六百安大电流,而普通的晶体管只能处理几安倍的电流。不仅电流承载高,而且 igbt 的 开关速度也令人印象深刻,可以实现每秒数万次开合,比眨眼睛快上万倍, 电流精准控制在百分之十到百分之九十之间。智能调节 i g b t 的 使用也非常简单,当我们向炸机施加高电压时,控制闸门的开合。当我们把低电压加到炸机时,它就会关闭,类似于断开开关。 i g b t 有 三个关键部分,分别用字母 g、 c 和 e 标识, g 代表炸机, c 是 极电机, e 是 发射器。 igbt 结合了 mosfet 的 低驱动电流和晶体管的低传导电阻的优点。 mosfet 是 畅销营设备,当它们开启时,炸极和原极几乎相当于开路,因此电流很小。另一方面,当晶体管处于饱和状态时,使 mosfet 的 驱动电流降低, 极电机和发射极之间的电阻非常低,使得晶体管的导通电阻很低。从其等效电路符号可以看出,当我们向炸极施加低电压时, i g b t 结合了这两种特性。 i g b t 是 指在炸极上施加高电压时, mosfet 首先开启,然后电流流过晶体管的极电机和发射极,因此 i g b t 开启。 这就是 igbt 的 原理。它的主要功能是把高压直流转换成交流电,并实现变频空载控制。我们现在使用的很多新能源冷机能够实现变频功能,温度区域设定点就会控制压缩机小功率工作,实现节能。 igbt 通常以模块形式出现,通常包含了热管理、整流二极管和保护电路。新能源冷机中的 igbt 大 多数集成在变频器内。最后一句话总结, igbt 能抗高压快开关,专门解决电的转换、调速调压问题的管家。

大家经常听到车规级,车规级这三个字到底意味着什么呢?今天给大家来缕缕。我们就拿半导体行业来说,有一条严苛的分级链条,就是从消费级到工业级,再到车规级,再到最后的航天级。 竹节啊,他的要求是越来越高的,普通的手机芯片坏了,最严重的后果就是黑屏重启,但车规级的芯片如果坏了,那可能后果非常严重,可能是在高速公路上面动力丧失或者是制动能力丧失,那么他的难点在于极端环境下面的极致稳定。 首先是温度跨度极大,消费级芯片可能只有从零度啊,到一百度,甚至到一百五十度的极端温差底下, 保证十几年不出错。还有个就是电动车的高频启停啊,要求芯片大电流的瞬间充气,还有就是抗震和长寿命,手机的使用寿命啊,三年、五年、八年不得了了。但是汽车要求十五年或者是二十万公里 汽车的各种复杂的户外环境,那么车内的芯片呢,要经历长期的颠簸,高湿度啊,化学腐蚀啊,不出现物理的损坏。还有就是零容忍的故障率,消费者的芯片故障率允许是在千分之几啊,车规级可能是到百万分之一。 当一家芯片的企业在产品面前加上车规级这三个字,那就意味着它背后还翻越了另外三座大山。就第一个是认证门槛的不同,这是一个入场券, ac q, 一 百 q 啊,一百零一的认证啊,这是一套地域级别的可信测试,包括高低压的冲击,剧烈的震动、循环、加速老化等等。 iatf 幺六九四九体系,这不仅仅是产品过关,而是要求你的工厂生产流程的每一个零部件的溯源都要符合汽车工业的严苛管理。 第二个是研发周期的不同,这是一种时间成本。一款消费级的芯片,从设计到上市可能只需要一年时间啊。一款车规级的芯片,从设计流片、车规级的认证到最终的装机啊,主机厂的适用通常需要三到五年的时间, 这考验的就是企业的先进流和战略定力。第三个是供应能力的不同,这是一种责任的担当。汽车行业啊,讲究的是长期主义,一旦芯片被主机厂商选用,你就必须保证未来十到十五年的稳定供货,这对初创公司来说是极高的信誉成本。 这里告诉大家一个消息,就是在这么复杂、这么难的车规级的半导体领域里面啊,中国的发展速度是非常快的,尤其在 i g b t 和碳化硅领域里面。在电动汽车的动力系统里面,最核心的车规级期间就是这个 i g b t 和碳化硅,它们扮演着电能调度员的角色。 在车规级功率期间里面, i g b d 是 主力, i g b d 的 本质上是一个超大功率的电力开关,他用很小的控制电去控制上百伏、上千伏、上百安的电流。他的核心材料就是高纯度的单晶硅,碳化硅的核心难点不在于结构啊,在于材料本身的工艺。 碳化硅的晶体啊,需要在两千度以上的这个高温炉里面,让一个碳原子和一个硅原子像结霜一样一层层的累积上去,生长极其缓慢,且良率极低,长得 差不多一周才能长几厘米。而且呢,这个稍微一点温度的波动啊,晶体就长歪了,那就是一种缺陷,一炉子就整个产品就废了。 正因为如此,碳化硅适合的场景是八百伏高压的平台啊,高频、高效率、高温运营的环境,它带来的是续航的提升,效率的提升啊,系统体积下降。 在车规级功率半导体领域里面,斯达半岛啊,时代电器、比亚迪半导体都做的不错。斯达半岛呢,最早切入 igbt 是 中国市场,几乎都被国际巨头垄断,早期的产品能用,但是客户不敢用, 参数接近,但是寿命验证啊,时间还不够。公司成立初期,几乎在这方面的收入是零。真正的转折点是他们选择了一个最笨的一条路,就不打低端,不拼价格,从工业控制、轨道交通等高可信的场景一点点的验证,用真实的工况换取客户的信任。 当新能源车爆发的时候,思达已经完成了完整的工程能力的闭环,实现了实质性的全球体态。时代电气 是将中国的高铁牵引技术降维打击应用到乘用车领域啊,拥有从金源制造到模块风测的全产业链的能力。 比亚迪半导体,这大家都熟悉了啊,比亚迪自己的依靠着垂直整合的逻辑,直接在自有的数百万辆的电动车上面进行迭代, 这种场景喂养技术的模式,让中国企业在碳法规和 i g b t 的 实战数据上面要远超过海外对手。我们拥有全球最大的新能源汽车市场,这为中国芯片提供了一个丰富的测试场景。

这是貌似管用电压控制,这是三极管用电流控制。貌似管的优点是电压控制,所以控制功耗极低,缺点是耐压能力弱。三极管的优点是耐压强,缺点是控制功耗大。如果取两者的优点,就得到了一个 i g b t。 这个符号很有意思,由貌似管的左边和三极管的右边构成,所以控制端和貌似管一样,就叫山极,右边的这两个分别叫发射极,与极电机和三极管叫法一样。

那么这是一个非常简单的一个 i g b c 的 一个驱动,它是采用了一个变压器藕合来驱动的,那么在变压器的这一端呢,我们用这个 g s c 三五二五这么一个芯片来产生一个正负交替的一个放波,产生一个放波, 然后来输入到这个变压器,那么这个变压器的绕组呢?初级那么也是六十匝,分别是六十匝, 那么这样就形成了一个,形成了一个什么呢?形成了一比一的一个变比,那么一比一就说这边多高的电压,这边也就多高的电压,那么我们的三五二五输入一个十五伏的正向电压的时候啊,比如说他的同频端在这里,这个忘了换, 那么这个变压器他的同频端在这里的话,这是同频端,这是同频端,当这边产生一个正向的正向的十五伏电压的时候,那么在这个地方就会产生一个正向的十五伏电压,那么这个上桥臂就会导通,下桥臂就会截止, 那么这个时候半个小臂在工作,那如果我们的初级输入一个负脉冲的话,就说一个负向电压,那么这边就会上桥臂截止,下桥臂导通,那么我来具体的看一看他的一个工作原理。 那么整个图呢,是由这么几个原件组成的啊,一个 igbt q 一 q 二,然后呢上下是完全对称的,然后这个地方是他的覆盖, q 一, 他接了一个电阻, r 一 三百三,三百三十欧, r 二十 k, 一个二极管就这么简单,那么这个二极管主要是起到使这个 igbt 快 速关断的作用。 r 一, 这个 r 一, 它的作用呢是使得我们的 igbt 能够 减少刺激,减少刺激也是使它能够更加可靠, r 二是干什么用的呢?这个十 k 的 r 二是为了给我们的 q 一 提供一个 一个这个节电容的一个泄放通道,比如说我们的 h p t 上面是有节电容的,那么有了这个 r 二,它就会有一个泄放通道,就会使它的官段与打开,会使它的官段会更加的迅速,更加的使我们达到我们所需要得到的一个效果。 那我们来看,当这边是正向电压的时候,这个地方产生一个正十五伏的电压,正十五伏的电压 通过 r 一 加到了这个 q 一 的三极上,那么三极上得到了正向电压以后,这个 igbt 就 打通了, 对吧? igbt 就 打通了,那么这个时候呢,我们的下下桥臂呢?下桥臂的得到电压就是下正上负,那么这边是负的话,大家看这边是负的话,然后加到这个二十三,通过二十三加到这个 igbt 的 三级上,然后这个二极管,大家看这个二极管现在什么情况啊?那么二极管这边是负,这边是 这边的电压明显要比这边高,对吧?那么他这个地方就会形成一个正向偏置,那么他为什么会比他高呢?因为这边有一个十 k 的 电阻在这,对不对?这边有一个 到这来,那么这边定位比这边高,那么就证明二极管是一个正偏状态,他也是打通的,那么他打通,他打通就会使这个 i g p d 非常理想的截止,非常理想的截止。那么为什么我们这边输入一个十五伏的,一般我们会输入一个一十十五伏左右的一个正向电压,因为根据厂家的一些经验的数据,我们的 i g p d 三级电压达到十五伏的时候,是 igbt 导通的最佳状态,也就比较理想的状态,此时他输出的电流以及功率是可以达到最大的,那么就在十五伏左右。好,那我们看如果这边是一个反向电压,那么反向电压就意味着上负下正, 那这个时候我这边也是一个上腹下正,我们来看上调臂的情况啊,上面是腹,那么这个腹接到了这,然后这个正从这边过来,使得这个二极管,使得这个二极管正片正向片子以后他就会打通,对吧?他打通了以后 就把这一点的电位迅速拉低,拉低了以后他就会截止,他截止了以后,大家看这边这边的话就跟他是相反,对吧?因为他的同频端在这吗?那么就是说他这边是负,这边是正,那么上面是正的话,这个正通过 r 三,然后加到这个位置, 使得我们的 q 二这个时候就导通了,然后他导通以后呢,就造成了整个电路可以正常的交替,那么我们的 i g p t 也会在 截止导通,截止导通,那么这样的工作起来就运起来。那我们为什么这边会要用一个这样的变压器呢?我们搞维修的朋友或者电子爱好者, 呃,拆过很多开关电源,嗯,基本上都会用到这样的一种结构,它也许不是 i g p t, 也许它是用的模式管,对吧?也许不是 i g p t 也是模式管,那么里面都会有一个小的变压器,那个小变压器我们就叫做推动变压器,叫做推动变压器,我们也叫驱动变压器, 推动变压器,我们这个驱动变压器,推动变压器,藕合变压器都是可以的,那么它有什么好处呢?那么有了这个推动变压器以后,它主要的好处在这个地方,在这个位置,就说当我们这个 i g p 要关断的时候,要关断的时候,那么这个时候 上负下正,那么这一点电,这一点的电压,这一点电压相对于 d 来讲,相对于这个 d 来讲,是不是他就会发生一个变化,对吧?那如果我有一个藕合变压器在这的话,那这一点的电压的变化会跟这一点的变化会相互适应,也就是说他不需要来考察 这个这一点的电压和 d 电压的高与低,我们只需要考察这两个点的电位差,那么就可以非常方便的来解决这个 i g b t 关灯与打开的问题, 那么这是一个非常非常巧妙的一种设计。呃,在我们,呃很多大功率的这个开关电源,比如说逆变器啊,都会用到这样的结构,这样的话就使我们整个电路运行起来非常的可靠,而且它使用的原件也并不多,就是两个二极管,然后两个四个电阻 就构成了这么一个电路,那么如果大家有需要的呢,可以截图保存下来,呃,有时间的话自己动手去做一做,这个电路还算是一个比较经典的一个电路,那么今天呢就和大家讲解到这里,谢谢大家。

大家是不是经常对像莫斯管、金盏管、 igbt 等这些类似于二极管的元器件搞得一头雾水,今天将各元器件的特征原理以及区别进行了整理,跟大家分享一下。 第一个就是最基础的奥极管的特征,奥极管的原理是给两极间加上正向电压,奥极管就导通了, 然后加上反向电压的时候,二极管就截止。所以二极管的导通和截止其实相当于是一个开关正向打开,反向闭合。 而二极管的原理呢,就是利用了拼音节的单向导电性,在拼音节的两端加上引线进行分装,就形成了一个二极管。当有正向电压的时候,外界电场和自建电场的互相抵消,使得载流子扩散,电流增加,引起了正向的电流。而当 外界施加了一个反向的偏置电压的时候,外界电场和自建电场进一步的加强,形成了在一定的反向电压范围内,与反向偏置电压无关的反向饱和电流。当外加的反向电压高到一定程度时,拼接电荷层中的电场 长度达到临界值,产生载流子的倍增过程产生大量的电子空穴对,从而产生了很大的反向击穿电流,这就被称为二极管的击穿现象。第二种期间我们介绍一下三极管。三极管我们被称为双极性二极管, 因为它有两个拼接,目前使用最多的呢就是 v n p n 型的和指 p n p 型的三极管。三极管的特征以 n p n 型为例,它是有两块 n 型的半导体, 中间夹着一块细型的半导体所组成的,像发射区和机区之间形成的 pn 结称之为发射结, 而集电区和机区形成的偏结称为集电集。三条引线呢,我们分别称为发射机,也就是 e、 g、 b 和集电机 c。 说一下三极管的原理,在制造三极管的时候, 有意识的是发射区的多数载流子浓度大于机区,同时把机区做的特别薄,而且要严格控制杂质的含量。这样呢,一旦接通电源之后,由于发射节正偏, 发射区的多数载流子,也就是我们说的电子及机区的多数载流子,机区的是空穴,很容易 的穿过发射节,互相向对方扩散,单一,前者的浓度大于后者,所以通过发射节的电流基本上是电子流。这股电子流呢,我们就称之为发射级电子流。金盏管 也称之为可控规,简称为 scr。 介绍一下金展馆的特征,它呢是由四层半导体材料组成, 也就是说它有三个拼接,它也有三个电极。第一层 p 型半导体引出的电极叫阳极 a、 b。 第三层细心半道体引出的电极叫控制极 j。 第四层 n 型半道体引出的电极叫阴极 k。 金掌管有一触即发的说法,但是如果阳极或者控制极加的是 向电压,金盏管就不能倒通。控制级的作用是通过外加正向处发脉冲,使得金盏管倒通,却不能使它关断。那么用什么方法能够使倒通的金盏管关断呢? 那就是断开阳极电源,或者阳极电流小于维持导通的最小值。如果金盏管跟阳极和阴极之间外加的是交流电呀,或者是脉冲电呀,那么在电压过零时,金盏管就会自动关断。 接下来再说一下慕斯管, m o s 就是 mosfet 的缩写, mosfet 金属氧化物半导体长效应管,简称长效应管。慕斯管的特性是在金属山脊与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻, 最高可以到十的十五次放欧姆。当然,貌似管也分 n 勾道和 p 勾道管,通常呢是将衬底与圆级也就是 s 级接在一起。 以 n 勾档为例,讲一下慕斯管的原理,它是在 p 型硅衬底上制成两个高差浓度的原扩散区 n 加和漏扩散区 n 加,再分别引出原极 s 和漏极 d。 原极与称底在内部联通, 两者总是保持着等电位,电位方向是从外向离表示从 p 型材料指向 n 型勾到。当漏极接电源的正极,原极接电源负极,并使得 v、 g、 s 等于零时勾到电流,也就是漏极电流安 d 等于零。 随着 vgs 逐渐上升,使山级正电压的吸引,两个扩散区之间就感应出了带负电的少数载流子, 形成从漏级到圆级的 n 型勾到。当 vgs 大于管子的开启点压,也就是 atn 式, 一般这个 vtn 等于正二伏灯勾导管开始导通,那就形成了漏极电流 id。 最后再说一下 igbtigbt, 叫绝缘山双极性集体管,是由双极性三极管 和卷山莫斯管组成的符合全控型电压驱动式功率半导体器件。以 n 勾到增强型卷山双极晶体管结构为例, n 区为圆区,赋予其上的电极称之为发射极一, n 减与 n 加称之为漏区。器件的控制区为山区,赋予其上的电极称之为山极,既勾到在紧靠山区边界形成 在极电极 c 发射及 e 两极之间的 p 区称之为压构到区,而在漏区另一侧的 p 加区称之为漏猪物区。 它是 ibt 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成 pnp 双极性晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴进行导电调制, 以降低器件的通态电压。过于注入区向的电极称之为继电极。 c 慕斯管与 igbt 的区别就在于,慕斯管他的切换频率大于一百 k 赫兹,而输入电压低于二百 五十伏,一般用于较小的输出功率的场合。而 igb 器,它的切换频率低于二十五 k。 盒子用于电流变换的负载输入的电压高于一千伏,所以它用在较大的输出功率的场合。 mosfet 的优点是 高频特性好,工作频率可以达到几百 k 赫兹,甚至是上照赫兹。缺点是导通电阻大,在高压大电流闯核功率消耗比较大。 igbt 在低频及较大功率的场合表现比较优越,其导通电阻比较小,耐电压高。看了本期视频,大家有没有区分开这些元器件呢? 下期我们再跟大家详细讲一下三极管的原理以及如何测试三极管以及测它的哪些特性。

mos 管和 igbt 长的一样,都是三条腿的气件,我该咋区分呀?同学们在面对一大堆气件时,有没有这些疑问呢?今天一条视频教会你如何用万用表一秒钟区分 mos 管和 igbt, 实际上就是根据不同气件的特性去区分。测试一个三极管, 打开手持万用表,切换到二极管蜂鸣器档位,使用红黑表笔分别测试三极管。三极管的机级级、电级和发射级, 也就是我们常说的 p n p n p n。 实际上我们用到的测试原理就是测试它的拼音节,正向会导通,反向就不会。一般我们看三极管也是比较简单的,三个电机中间这个就是机极, 另外一个就是极电机,第三个电机就是发射极,那么信号在经过处理放大之后输出,就可以很好的区分。哪个是三极管的测试和三极管的测试大同小异, 我们只需要找到貌似管中的那个二极管就可以了。这会儿我们可以看到,实际上在测试貌似管中 两个引角会有很明显的压降,一般这样就可以判断这个是貌似管了。但是大家该提出疑问了,那 i g b t 也是只有一个二极管啊,这还是区分不出来,那就引出该如何区分貌似管和 i g b t 的 区别了。 测试 igbt 原理和测试 mouse 管一致,这时候也可以看到只有一个二极管,而且也会有压降。那同学们都知道 igbt 是 一个大功率器械,我们给他加一个点触激励,看看 mouse 管和 igbt 是 不是会有区别呢?测试 mouse 管,先将 mouse 管三个引脚全部短路 一下,然后将电源的负极夹到导通二极管的输入引脚 万用表正极夹到 mos 管的输出端,使用直流电源设置十伏的输出,给 mos 管一个激励电压,看万用表的数据,这时候 mos 管会导通它的导通电压,现在是零点零零一伏左右, 再把万用表表笔对掉,这个时候也是导通的状态。使用同样的方法测试 igbt, 这时候 igbt 也会有一个导通电压,这个导通电压在零点零一伏左右,这样可以区分 mos 管和 igbt 了。 今天的测试技巧就分享到这了,友情提示,元气剑种类多,分类整理真的真的很重要!


学习维修空调线路板的新人朋友看一下这个 u 二零五的芯片,通电的时候千万不要量啊,否则就会像视频里面那样,不炸几次板不知道厉害。如果你量这个四四二七, 后面的这个 r g b t 管,甚至包括这个整流桥和这个快恢复二极管都有可能损坏。为什么通电测量会炸管呢?其实原因非常简单,看完这个视频,你是新手小白也能听得懂。 首先说一下这个被炸的 r g b t, 当他正面朝向你的时候,最左边这个角,我们叫他触发角,只要给他一个十五伏,他就能导致中间和右面这个角导通,然后再给他一个零伏,他又能让中间和右面的角断开, 原理类似于这种开关。再说一下 cpu, 它想要控制 r g b t。 的 通断,但是它的输出最高只有三点三伏,达不到 r g b t。 所需的十五伏。所以呢,在 cpu 和 r g b t 之间又加入了这么一个元气键,它叫做四四二七。 当 cpu 想要控制 r g b t 导通的时候,就会先给四四二七一个三点三伏,然后四四二七就会发出一个十五伏,控制 r g b t 导通。 cpu 想让 r g b t 关断,又会给四四二七一个零伏,然后呢,四四二七又会把零伏给到 r g b t 让它再关断。 所以四四二七的作用就是解决了 cpu 输出电压不足的问题,实现了电瓶的转换, 保证 r g b t 可靠的开关。再说回炸管的问题上,当我们用标笔测量四四二七的时候,很容易让他误以为 cpu 给出了信号,从而导致 r g b t。 的 导通, 而表笔又无法给出零伏信号使其关断,所以 r g b t。 就 会一直处在导通的状态。而 r g b t 的 两端分别连接了三百一十伏的高压和地高压,短路的状态下就会直接炸管,甚至连四十二七和 cpu 都无法幸免。 所以在通电的状态下,千万不要测量四十二七。如果你害怕误触,可以在维修的时候先把 r g b t 中间的角剪断,维修结束焊上即可。 nice。

大家好,我叫习长征,毕业于江西中医学院,从毕业至今四十年,一直从事一线临床。 那今天我想跟大家聊一聊健康这个话题,什么是健康?怎么样来使自己更健康?可以作为一个知识的检测,主要从三个方面来讲这个问题,第一就是睡眠, 第二就是饮食,第三就是二便指的大小便。当你这三个方面出现问题的情况下,那么证明你的健康就存在问题。 我们首先来谈谈这个睡眠,从我们中医来讲,它主要就是一个补阳气,那么这个情况下你如果睡眠好,那你阳气就足,那么第二天工作的时候就有精神啊,精力充沛。 他有特殊的,因为你晚上一点到三点他会醒,可以说百分之八九十的时间里都会出现这么一个问题,但你就要考虑肝脏有没有肿瘤,你要做个 ct 检查一下。 那么第二谈饮食,饮食,其实饮食跟食是分开的,那么你饮食正常说明什么问题?说明我们胃、脾胃的功能正常,那么如果你吃了又想吃,那么这个情况你也要注意是否糖尿病。 那有些人他饿了肚子会痛,吃饱了也痛,或者吃饱了不痛,或者怕吃或者不想吃,那么这个情况你也要注意, 这就证明你的这个脾胃功能出问题了。第三个就是我们说的二便大小便,大小便干什么?他主要就是排出体内的垃圾,二便说明是由肾来主宰,那么就反映你的肾功能好还是不好。很多老人家他会出现肾功能不好, 中医讲肾阳不足了,如果你尿少了,或者尿有气味了,那也要注意,你像那些糖尿病呢?他也会出现的。总之就是说你三个方面如果出现问题的话,你必须要到医院进行检查, 自己这三方面出现比较大问题的时候,那么可能真的不出问题。