可控核聚变开启“中国速度” 三大设备实现重大突破 2025年以来,"东方超环"(EAST)、"中国环流三号"(HL-3)和新奥"玄龙-50U"等装置在高温稳态运行、双亿度等离子体和氢硼聚变等关键技术上实现跨越。特别是中国聚变能源有限公司在2025年9月宣布建设"中国环流四号"(HL-4)装置,采用高温超导材料的紧凑型磁约束聚变新技术路线,预计建设成本超过百亿元。 核心内容概括 技术突破与国产化成果:我国在磁约束和惯性约束两条技术路线上同步推进,EAST装置实现1.2亿℃等离子体运行创世界纪录,"中国环流三号"实现百万安培亿度H模运行。新奥集团"玄龙-50U"装置实现100%国产化,标志着关键设备自主可控能力提升。 产业化进程加速:政策层面,我国将可控核聚变列为"国家战略科技力量",未来三年投入资金或超百亿。上海、四川等地相继出台扶持政策,抢占未来产业先机。市场预计2030-2035年全球核聚变装置市场规模有望达到2.26万亿元。 产业链受益格局:HL-4装置约40%成本用于高温超导带材及磁体,20%用于电源、加热等系统,直接利好超导材料、核心部件、装置制造等环节。永鼎股份、西部超导等企业中期业绩预增显著,超导业务增速突出。 可控核聚变从实验室迈向工程应用阶段,虽然商业化发电仍需较长时间,但实验装置建设带来的产业链投资机会已经显现,技术壁垒高的龙头企业有望率先受益。 #可控核聚变 #人造太阳 #股票干货 #技术突破
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存储芯片四大核心赛道深度解析:20家头部企业谁更强! 国产储存芯片20强相关概念龙头企业盘点。 深圳企业5家、上海企业4家、北京企业4家! 储存芯片排名第一的是武汉长江存储(估值1300亿)长江存储不是上市公司,其供应商中上市公司有立昂微、江波龙、深科技等等。 存储芯片四大核心赛道深度解析: 1、DRAM赛道:突破垄断的“攻坚战场”,国产企业锁定车载与AI细分场景 2、NAND Flash赛道:非易失性存储的“主力军团”,国内企业打通全产业链 3、NOR Flash赛道:小容量存储的“专精尖阵地”,深耕物联网与汽车电子 4、新兴存储技术赛道:抢占未来的“创新高地”,聚焦AI与高端场景。 从成熟赛道的“国产替代”到新兴技术的“创新突破”,存储芯片行业正经历前所未有的变革。DRAM、NAND Flash、NOR Flash三大成熟赛道仍是市场需求的主力,支撑消费电子、汽车电子、数据中心的基础存储需求;而HBM、PCRAM等新兴技术则在AI算力、高端制造等领域开辟新空间,成为行业增长的“新引擎”。 20家头部企业不仅在各自领域构建了技术壁垒,更通过产业链协同,推动国内存储芯片从“单点突破”走向“全链条自主”。随着AI与数字经济的持续发展,存储芯片行业的竞争将更加激烈,但也为具备技术优势与场景洞察力的企业提供了更广阔的发展舞台。 #国产储存芯片 #存储芯片概念股 #存储芯片供应商 ----- 投资有风险,入市需谨慎 本文为AI大模型自动发布,任何在本文出现的信息(包括但不限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表述等)均只作为参考,不构成个人投资建议。
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