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新凯来突破光刻机技术:中国半导体自主化的“斯普特尼克时刻” 2025年3月底至4月初,一家名为“新凯来”的中国半导体设备企业,以颠覆性技术突破与全产业链布局,在全球半导体行业掀起巨浪。从上海国际半导体展的“名山系列”设备发布,到7纳米光刻技术的官宣,再到全固态深紫外光源系统的突破,新凯来不仅改写了国产光刻机的技术路线,更被外媒评价为“芯片战争的重要转折点”。 光刻机的核心在于光源、光学系统与双工作台三大技术壁垒,其中光源直接决定芯片制程的精度。传统光刻机依赖氟化氩气体激发激光生成193纳米深紫外光,需复杂的气体循环系统和高昂维护成本。而中国科学院与新凯来合作研发的全固态激光技术,通过国产Yb:YAG晶体生成1030纳米基础激光,再经谐波转换与光学参数放大混合生成193纳米光源,彻底摆脱对稀有气体和进口零部件的依赖。 这一技术路径不仅简化结构、降低能耗30%,还将设备体积缩小30%以上,运输成本显著下降。更关键的是,它绕开了欧美长达三十年的专利壁垒,从底层物理原理重构技术体系,甚至可能颠覆ASML主导的传统光刻机市场。 新凯来在展会上透露,其28纳米浸润式光刻系统已通过参数验证,7纳米技术实现商用,5纳米研发进入攻坚阶段。其设备支持多重图形曝光、自对准沉积等非光学补光技术,并引入AI算法优化工艺窗口,显著提升生产效率和良率。 公司成立仅三年多,便推出覆盖半导体制造全流程的31款设备,包括刻蚀(武夷山系列)、薄膜沉积(长白山系列)、量检测(岳麓山系列)等,部分产品参数已接近国际领先水平。 新凯来的突破直接引爆资本市场。3月27日至28日,光刻机板块多只个股涨停,新莱应材、凯美特气等供应链企业涨幅超10%。机构分析认为,美国对华设备出口限制进一步倒逼国产替代,2025年中国半导体设备市场规模预计达2400亿元,国产化率有望突破50%。 从产业层面看,新凯来的技术商业化将大幅降低中端芯片生产成本(预计降幅达30%),并带动上下游产业链升级。例如,福建的硼酸锂晶体产能占全球80%,此前仅作为原材料出口,现升级为光刻机核心部件供应商。 国际市场上,ASML原CEO温宁克曾预言“中国将找到替代方案”,如今这一预言成真。新凯来的全固态光源技术若实现大规模应用,可能重塑全球光刻机竞争格局,甚至威胁ASML在高端市场的垄断地位。#中国科技崛起 #科技兴国引领世界 #中国科技 #大国崛起 #人工智能
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雪钻6月前
近日,一家国内半导体设备厂商突然“出圈”,成为众人瞩目的焦点。 据悉,上海SEMICON China 2025半导体展期间,国产芯片设备公司“新凯来”(NewKailai)发布6大类31款新品,覆盖刻蚀产品、扩散产品、薄膜产品以及物理量测、X射线量测、光学量检测6大类。 “新凯来”全称是“深圳市新凯来技术有限公司”,成立于2021年8月,隶属于深圳市重大产业投资集团,是深圳国资委全资子公司。其设计理念为“一代工艺、一代材料、一代装备”,业务范围涵盖半导体装备及零部件研发和制造,半导体制造过程中所需的关键设备和零部件等。 国产半导体设备企业“新凯来”,正在利用多重图形曝光等技术提升芯片制造工艺,公布包括外延沉积EPI设备(峨眉山系列)、原子层沉积ALD设备(阿里山系列)、物理气相沉积PVD设备(普陀山系列)、刻蚀ETCH设备(武夷山系列)、薄膜沉积CVD设备(长白山系列)和量检测设备(包括岳麓山、丹霞山、蓬莱山、莫干山、天门山、沂蒙山、赤壁山、功率检测RATE系列)产品。 “光刻机”作为芯片制造的核心设备之一被誉为“半导体皇冠上的明珠”。近年来,随着5G、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展,对芯片的需求呈现出爆炸式增长,且对芯片的性能要求越来越高。“新凯来”的崛起,标志着中国在光刻机领域实现了对ASML技术封锁的突破,并逐步重构全球半导体产业格局。 国产5nm光刻机的问世,直接冲击美国对华“卡脖子”战略。ASML被迫调整策略,紧急出口1980Di型号DUV设备,但中国半导体设备国产化率已从2013年的4.38%提升至2023年的17.57%,预计2025年光刻机市场规模突破300亿美元。 最让人震惊的是其中那台代号“峨眉山”的光刻机——它用的既不是ASML的极紫外光,也不是日本的ArF激光,而是一种连美国商务部都没想到的技术路径。 “新凯来”的故事告诉我们,技术突围从来不是“硬刚”。就像他们的工程师说的:“ASML是法拉利,我们先造五菱宏光——但别忘了,中国每年卖2800万辆五菱宏光,法拉利才卖1万辆。” “新凯来”的突破不仅是一次技术逆袭,更是中国系统性创新能力的集中体现。尽管仍面临技术缺口与国际竞争压力,但新凯来的实践证明:在高端科技领域,封锁反而可能成为加速自主创新的催化剂。未来,全球半导体版图的“中国板块”或将持续扩张,重塑技术霸权与产业分工的逻辑。
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