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工答疑16-单片机驱动MOS+直流电机PWM控制-上 %%%%%%%%% MOS栅极串阻/MOS封装与选型/单片机GPIO能否直接驱动MOS %%%%%%%%%%% 本案例是一个单片机GPIO引脚直接驱动大功率MOS控制直流有刷电机驱动方案的分析。电路中的大小问题比较多,大概分成6个部分(本视频讲前3部分) 1.MOS栅极串阻选型与功能:由于栅极存在输入电容Ciss,会与PCB走线寄生电感L形成LC震荡,加入串阻可以加快震荡衰减。一般栅极串阻选择欧姆级,小于100欧姆,需要根据实际情况进行调试。串阻过大或过小都会有问题。栅极的PCB走线也需要注意。 2.MOS的封装与选型。根据负载进行选型,包括VDS耐压,ID通流能力,导通电阻Rdson,SOA安全工作区,以及MOS的热损耗功率。 3.【重点:单片机的GPIO能否直接驱动MOS】:本案例中单片机是不能直接驱动MOS的。从两个角度分析。①从栅极电压角度来看,单片机的GPIO电压较低,对于栅极而言,导通程度不高,MOS的电阻较大,导通残压高,效率低,发热大。这是从静态的角度来分析的。②从驱动能力来看,由于MOS栅极输入电容,需要栅极控制器对栅极电容进行快速充放电,从而使得MOS管在导通和截止间进行切换;而单片机的GPIO一般驱动能力较弱,推拉电流能力一般<±20mA;而专用的栅极驱动器、半桥芯片等,驱动能力很强,推拉电流能力可达百mA~安培级别。故此时一般使用栅极驱动器、半桥芯片、全桥芯片、高速推挽光耦、推挽电路等。 那在什么工况,单片机GPIO可以直接驱动MOS呢?在小封装MOS+低速+低功率应用是可以的。选择小封装、低栅极阈值电压、低栅极输入电容,低频情况下(<100KHz),可以用单片机GPIO直接驱动MOS。例如电平转换、逻辑取反、LED指示灯等。 #MOS驱动 #PWM控制 #MOS栅极串阻 #单片机控制MOS #驱动能力
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