00:00 / 04:34
连播
清屏
智能
倍速
点赞434
00:00 / 00:33
连播
清屏
智能
倍速
点赞31
00:00 / 04:19
连播
清屏
智能
倍速
点赞555
00:00 / 05:49
连播
清屏
智能
倍速
点赞144
00:00 / 01:27
连播
清屏
智能
倍速
点赞3
2026年碳化硅(SiC)在消费类市场替代硅基,核心是成本逼近+场景突破+生态协同三步走,优先从高价值、高功率密度的细分场景切入,逐步扩大替代范围。 一、替代核心逻辑 - 性能硬优势:高耐压、高频、低损耗、耐高温,适合快充、LED驱动电源,大功率适配器、电源模块等场景,可实现体积缩小30%-50%、效率提升0.5-1个百分点、散热需求降低。 - 成本临界点:2026年8英寸衬底量产+良率提升(6英寸良率超95%),SiC器件价格降至低于硅基产品,650V消费级产品低于硅基价格;垂直整合方案(衬底+外延+器件)可降本25%+。 - 系统价值:长期看,SiC带来的能效提升、散热简化、寿命延长,能覆盖初期溢价,尤其适合对能效和体积敏感的消费电子。 二、2026年替代路径与场景 1. 高功率快充与适配器(优先突破) - 目标:替代650V以上硅基MOSFET/IGBT,主攻100W+快充头、笔记本适配器、电动工具电源。 - 案例:碳化硅650V消费级SiC MOSFET价格接近硅基,2025年出货破千万颗;苹果MacBook Pro或采用SiC基混合功率器件,实现高效供电。 - 策略:推出“SiC+GaN”混合方案,兼顾高频与高压优势,降低系统成本与设计难度。 2. 智能家电与工业级消费设备 - 目标:替代空调、冰箱、工业变频器中的硅基功率器件,提升能效、缩小体积。 - 案例:美的工业变频器采用SiC模块,损耗降低60%;空调电源用SiC方案,能效达99%+,符合新能效标准。 - 策略:与家电厂商联合开发,提供“芯片+模块+方案”一体化服务,缩短验证周期。 3. 数据中心与AI终端电源 - 目标:替代服务器电源、AI加速卡电源中的硅基器件,应对高功率密度与散热挑战。 - 案例:国内半导2026年推出SiC数据中心电源产品,效率提升0.8个百分点,降低PUE值。 - 策略:聚焦200-800V高压平台,发挥SiC高频低损耗优势,适配AI服务器高功耗需求。 4. 新兴消费电子(增量拓展) - 目标:AI眼镜、AR/VR设备、无人机电源等,追求小型化与长续航。 - 策略:开发小封装、低导通电阻的SiC器件,与终端厂商协同优化电源管理系统。 三、关键举措(2026年落地) 1. 成本控制:推进8英寸晶圆量产,良率提升至80%+,单位成本降30%+;采用沟槽栅、双面冷却等先进工艺封装
00:00 / 07:42
连播
清屏
智能
倍速
点赞2
00:00 / 01:17
连播
清屏
智能
倍速
点赞27
00:00 / 12:09
连播
清屏
智能
倍速
点赞52
2026年碳化硅(SiC)在消费类市场替代硅基,核心是成本逼近+场景突破+生态协同三步走,优先从高价值、高功率密度的细分场景切入,逐步扩大替代范围。 一、替代核心逻辑 - 性能硬优势:高耐压、高频、低损耗、耐高温,适合快充、LED驱动电源,大功率适配器、电源模块等场景,可实现体积缩小30%-50%、效率提升0.5-1个百分点、散热需求降低。 - 成本临界点:2026年8英寸衬底量产+良率提升(6英寸良率超95%),SiC器件价格降至低于硅基产品,650V消费级产品低于硅基价格;垂直整合方案(衬底+外延+器件)可降本25%+。 - 系统价值:长期看,SiC带来的能效提升、散热简化、寿命延长,能覆盖初期溢价,尤其适合对能效和体积敏感的消费电子。 二、2026年替代路径与场景 1. 高功率快充与适配器(优先突破) - 目标:替代650V以上硅基MOSFET/IGBT,主攻100W+快充头、笔记本适配器、电动工具电源。 - 案例:碳化硅650V消费级SiC MOSFET价格接近硅基,2025年出货破千万颗;苹果MacBook Pro或采用SiC基混合功率器件,实现高效供电。 - 策略:推出“SiC+GaN”混合方案,兼顾高频与高压优势,降低系统成本与设计难度。 2. 智能家电与工业级消费设备 - 目标:替代空调、冰箱、工业变频器中的硅基功率器件,提升能效、缩小体积。 - 案例:美的工业变频器采用SiC模块,损耗降低60%;空调电源用SiC方案,能效达99%+,符合新能效标准。 - 策略:与家电厂商联合开发,提供“芯片+模块+方案”一体化服务,缩短验证周期。 3. 数据中心与AI终端电源 - 目标:替代服务器电源、AI加速卡电源中的硅基器件,应对高功率密度与散热挑战。 - 案例:国内半导2026年推出SiC数据中心电源产品,效率提升0.8个百分点,降低PUE值。 - 策略:聚焦200-800V高压平台,发挥SiC高频低损耗优势,适配AI服务器高功耗需求。 4. 新兴消费电子(增量拓展) - 目标:AI眼镜、AR/VR设备、无人机电源等,追求小型化与长续航。 - 策略:开发小封装、低导通电阻的SiC器件,与终端厂商协同优化电源管理系统。 三、关键举措(2026年落地) 1. 成本控制:推进8英寸晶圆量产,良率提升至80%+,单位成本降30%+;采用沟槽栅、双面冷却等先进工艺封装
00:00 / 07:41
连播
清屏
智能
倍速
点赞0
碳化硅(SiC)陶瓷因其优异的导热和散热性能,在电子、能源、航空航天等领域得到广泛应用。以下是其导热散热功能的详细分析: 1. 导热性能特点 - 高导热系数: 碳化硅的导热系数约为 350~400 W/(m·K)(与具体晶型及工艺相关),显著高于传统陶瓷(如氧化铝约30 W/(m·K)、氮化铝约170 W/(m·K)),接近金属铝(约237 W/(m·K)),但无金属的导电性。 - 导热机制: SiC为共价键晶体结构,原子排列紧密,声子(晶格振动)传递效率高。其多型体(如4H-SiC、6H-SiC)中,4H-SiC的导热性能最优。 2. 散热应用优势 - 高温稳定性: SiC在高温(>1000°C)下仍能保持高强度,且抗氧化性优异,适用于航空航天发动机、高温燃气轮机等极端环境。 - 电子器件散热: - 功率半导体:用于IGBT模块、SiC MOSFET等高温大功率器件,提升散热效率,延长寿命。 - LED照明:高导热性降低芯片结温,提高光效和可靠性。 - 热管理器件: 作为散热基板、热管或散热片材料,适用于5G基站、电动汽车逆变器等高热流密度场景。 3. 与其他材料的对比 材料 导热系数 (W/(m·K)) 主要缺点 金刚石 ~2000 成本极高,加工困难 碳化硅(SiC) 350~400 机械加工难度较大 氮化铝(AlN) 170~200 高温下易氧化,热导率较低 氧化铝(Al₂O₃) 30~40 导热性差,高温性能不足 4. 局限性 - 加工难度:硬度高(莫氏硬度9.2~9.3),传统切割、抛光工艺复杂,成本较高。 - 热膨胀系数:较低(~4.5×10⁻⁶/K),与硅芯片(~2.6×10⁻⁶/K)匹配性需优化,可能引发热应力问题。 - 成本因素:原料和制备工艺复杂,价格高于传统陶瓷,但性能优势在高端领域可抵消成本。 5. 典型应用场景 - 电力电子:电动汽车、光伏逆变器的功率模块散热基板。 - 航空航天:耐高温热防护部件、核反应堆中子吸收材料。 - 半导体设备:高温大功率器件的散热封装。 - LED与激光器:高功率光源的散热基板。 总结 碳化硅陶瓷凭借超高导热性、高温稳定性和耐腐蚀性,成为高功率、高温环境下的理想散热材料。尽管存在加工成本和热膨胀匹配等挑战,但在新能源、航空航天等尖端领域具有不可替代
00:00 / 00:09
连播
清屏
智能
倍速
点赞46
碳化硅浇注料是一种高性能的耐火材料,具有多种优异特性,适用于高温、高压和腐蚀性环境。以下是其主要特点: 1. 高耐磨性能:碳化硅本身硬度高,耐磨性能优异,加入到浇注料中后,能显著提高材料的耐磨性能,减少因高温、高压和流动介质等恶劣条件造成的磨损,延长使用寿命。 2. 优异的抗侵蚀性: - 抗渣性:碳化硅与熔融金属和熔渣的润湿角较大,难以被渣润湿,且化学稳定性好,不易与炉渣发生反应,能有效抵抗炉渣的侵蚀。 - 耐腐蚀性:能抵抗酸碱溶液、金属氧化物等腐蚀性物质的侵蚀,适用于各种腐蚀性环境。 3. 良好的热性能: - 热震稳定性:碳化硅的热膨胀系数小,加入合适比例可使浇注料耐热冲击性能增加,抗热震性能较好。 - 高耐火度:可在1600℃以上的高温环境下长时间保持稳定性能。 - 高导热性:有利于炉内热量的快速传递和均匀分布,提高炉窑设备的热效率。 4. 高强度:在常温下和高温下都具有较高的强度,能够承受高温环境下的机械应力和热应力。 5. 施工便捷:具有良好的流动性,可通过浇筑、喷射或捣固等方式施工,简化施工过程,缩短工期。 6. 抗结渣性:能防止在其表面结渣或结皮,保持材料表面的清洁和性能的稳定。 缺点: - 容易氧化,尤其是氮化硅结合碳化硅的浇注料抗氧化性能较低。 - 在氧化铁中容易被腐蚀,在铁水和真空中容易被氧化分解。 - 溶水性、流动性差,可能导致致密性不好,且不经过烧结难以得到高强度。
00:00 / 00:30
连播
清屏
智能
倍速
点赞8