中国芯片领域近期取得了多项重大突破,涵盖新型计算架构、核心装备、散热技术及柔性芯片等多个方向,以下是具体进展: 1. 模拟矩阵计算芯片突破 北京大学孙仲团队成功研制基于阻变存储器的高精度模拟矩阵计算芯片,首次实现24位定点精度,精度媲美数字计算。在求解大规模MIMO信号检测等任务时,计算吞吐量和能效较顶级GPU提升百倍至千倍,成果发表于《自然·电子学》。 2. 核心装备自主化 中核集团中国原子能科学研究院自主研制的首台串列型高能氢离子注入机(POWER-750H)成功出束,核心指标达国际先进水平。这标志着中国全面掌握该型设备全链路研发技术,打破国外垄断,为功率半导体制造提供关键装备支持。 3. 芯片散热技术革命 西安电子科技大学郝跃院士团队开发“离子注入诱导成核”技术,将半导体材料界面热阻降低2/3,使氮化镓微波功率器件输出功率密度提升30%-40%,成果发表于《自然·通讯》与《科学·进展》,为5G/6G通信、卫星互联网等应用提供高性能器件支持。 4. 光刻技术工艺优化 北京大学彭海琳教授团队通过冷冻电子断层扫描技术,首次解析光刻胶分子在液相中的微观三维结构,指导开发出减少光刻缺陷的产业化方案,发表于《自然·通讯》,有望提升先进制程(如7纳米以下)的芯片良率。 5. 柔性“纤维芯片”问世 复旦大学彭慧胜/陈培宁团队在弹性高分子纤维内部构建出大规模集成电路,研发出“纤维芯片”,光刻精度达实验室级水平。该成果发表于《自然》,为脑机接口、电子织物、虚拟现实等新兴领域提供柔性计算支持。 这些突破体现了中国在芯片领域的全面布局和创新能力,从基础研究到核心装备,从性能提升到应用拓展,正逐步打破国外技术封锁,
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