气体2天前
芯片制造中常用的气体 氮气(N2)用于排出残留在气体配送系统和工艺腔中的湿气和残余气体,也可以作为淀积工艺载气,防止材料氧化。 氩气(Ar)惰性气体,用于填充工艺腔体,为硅片加工提供稳定惰性环境。 氦气(He)工艺腔气体,也可以用于真空室的漏气检查。 氢气(H2)还原性气体,在外延工艺中用作运载气体,也可以在热氧化工艺中与O2反应生成水蒸气 。 氧气(O2)工艺腔气体,为氧化反应提供氧源。 砷化氢(AsH3)N型硅离子注入的砷源。 磷化氢(PH3)N型硅离子注入的磷源。 乙硼烷(B2H6)、三氟化硼(BF3)、三氯化硼(BCl3)P型硅离子注入的硼源,其中BCl3也可以作为金属刻蚀中所用的氯源。 正硅酸乙酯(TEOS)(Si(OC2H5))TEOS是气相沉积工艺的二氧化硅源,用于形成栅极介质层与绝缘层 。 硅烷(SiH4)、四氯化硅(SiCl4)、二氯硅烷(DCS)(SiH2Cl2)气相沉积工艺的硅源。 三氟化氮(NF3)、四氟甲烷(C2F4)、四氟化碳(CF4)等离子刻蚀工艺中的氟离子源。 六氟化钨(WF6)金属淀积工艺的钨源,用于制备金属导线与电极。 氯气(Cl2)金属刻蚀中所用的氯源。 氯化氢(HCl)工艺腔体清洁气体和去污剂,去除内壁残留沉积物,保障工艺稳定性。 氨气(NH3)用来和SiH2Cl2反应生成淀积所用的SiN3。 一氧化氮(N2O)用来和硅反应生成SiO2。#工业气体 #特种气体
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