既智录2周前
天岳先进:驾驭碳化硅浪潮 核心观点:全球SiC龙头的技术跃升与产能释放拐点 天岳先进(688234.SH/02631.HK)作为全球碳化硅(SiC)衬底绝对龙头的战略地位,正通过12英寸技术突破、产能规模化释放及高端客户全球化拓展,进入价值重估的关键拐点。公司凭借液相法技术壁垒和临港工厂的产能效率,在SiC行业从6英寸低端红海向8-12英寸高端蓝海转型中,有望实现非线性增长。关键支撑数据包括:2024年全球导电型衬底市占率22.8%位居第二(Wolfspeed破产后份额持续提升),12英寸衬底良率65%领先同行1-2年,且境外收入占比达47.53%印证全球竞争力。行业维度,碳化硅市场规模预计从2024年32亿美元增至2030年197亿美元(CAGR 35%),其中电动汽车、AI数据中心(如英伟达Rubin平台)及AR眼镜等新场景将驱动需求裂变。 我 支撑投资论题的三大核心支柱 技术范式转移的领导者,定义12英寸时代标准 SiC材料在耐高压、高热导率等性能上替代硅基芯片的趋势不可逆,而天岳先进已实现全球首个12英寸衬底量产(2024年推出),良率65%显著优于天科合达(50%),并提前布局光波导AR应用(与舜宇奥来合作)。一片12英寸衬底可切割8-9片AR镜片,较8英寸成本降幅超50%,直接受益于2026年Meta双目AR眼镜量产计划。在AI算力领域,碳化硅中介层在CoWoS先进封装中价值量达单机柜8万美元,预计2026年消耗全球20%的SiC衬底。 产能释放与良率提升的双击效应 上海临港工厂2024年提前达产30万片/年,总产能超40万片,济南基地二期投产后远期规划达120万片。8英寸衬底当前单价8000-10000元(较6英寸3000元溢价2-3倍),且一片8英寸合格芯片产量较6寸提升90%。公司液相法技术使成本低于行业平均30%,随着产能利用率爬坡,毛利率有望从2024年25.9%跃升至2027年35%以上(规模效应抵消价格压力)。 全球供应链重构下的稀缺性标的 地缘政治加速供应链区域化,天岳先进已进入英飞凌、博世、东芝等全球前十大功率半导体厂商供应链,2024年境外毛利率42.05%显著高于境内(20.8%)。Wolfspeed破产后空出约33.7%市场份额,公司凭借东南亚制造基地规划及H股上市,进一步强化全球供货能力。#天岳先进 #碳化硅 #硅芯片 #半导体行业
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