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中国计划2030年实现80%芯片自给率,特别是国产7nm和14nm生产线 一个数字正在悄然成为中国半导体产业未来五年最重要的坐标:80%。 2026年3月,在上海举行的全球半导体展览会Semicon China上,中国半导体行业13位龙头企业负责人联合提出了一份路线图,目标是到2030年将中国芯片自给率从目前的33%提升至80%。与此同时,路线图还设定了两个具体的技术里程碑:建成并测试一条全部采用国产设备的7纳米芯片生产线,同时实现14纳米芯片的稳定量产。 Semicon China的展台,是观察中国半导体产业真实状态的最佳窗口之一。 今年的展会上,中微公司发布了面向5纳米及以下制程逻辑芯片的刻蚀设备,这是国产设备向最先进制程节点发起冲击的明确信号。董事长尹志尧表示,公司计划通过持续研发和收购,在未来五至十年内将高性能产品的自主供货比例提升至60%以上。北方华创同样带来了采用纳米级技术的新产品,并展示了在投资金斯米公司之后进一步扩展的产品线,覆盖刻蚀、沉积、清洗、热处理及离子注入等多个核心工艺环节。 从市场数据来看,中国设备企业的进步速度超出了许多人的预期。2025年,中国半导体设备国产化率达到35%,较前一年大幅提升;北方华创在全球半导体设备销售榜单上从2022年的第八位跃升至2025年的第五位,这是中国企业首次有三家公司同时进入全球前二十名。SEMI中国区负责人预计,到2028年,中国采用成熟工艺生产的芯片在全球产能中的占比将从2024年的25%上升至42%。 如果抓住了中国半导体国产化进程的核心。关于“从33%到80%,四年翻倍”这个目标,关键不在于简单的算术,而在于“如何分配这80%”。 一个更现实的视角是区分成熟制程(28nm及以上)和先进制程(7nm及以下)。 · 成熟制程(基本盘):这是实现80%自给率的主力。汽车、家电等90%以上的芯片需求都来自这里。目前国内28nm产线去美化的可行性已较高,产能扩张主要依赖良率和成本控制。只要资本持续投入,这个目标是可以期待的。 · 先进制程(突破口):7nm主要用于手机AI芯片等。国产7nm生产线的挑战在于,要实现“全部国产设备”,目前最大短板就是光刻机。即便采用多重曝光技术,也需要高可靠性的浸润式光刻机。这方面我们与ASML的差距,普遍认为在5-10年。
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