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绝了!快到离谱!复旦大学突破,史上超高速闪存诞生! 复旦团队攻克存储难题,“破晓”闪存器件问世 你是否遇到过DeepSeek提示“提问人多,请稍后再试”而干着急?大模型运行对存储速度要求极高,当下信息存储速度极限成为集成电路领域关键难题。 不过,近日复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室周鹏/刘春森团队带来重大突破,成功研制出“破晓”闪存器件。其擦写速度达400皮秒,比传统闪存快100万倍,是人类迄今掌握的最快半导体电荷存储器件,相关成果已发表于国际顶尖期刊《自然》。 目前,速度最快的易失性存储器断电后数据会丢失,而以传统闪存为代表的大容量非易失性存储器,存储速度又比芯片工作速度落后10万倍以上,两类存储器都难以满足AI计算对数据极高速存取的需求。 研究团队近10年来一直深耕闪存“提速”难题。传统硅材料闪存的电荷注入曲线有峰顶,即便工艺优化到极致,仍面临极限,限制了电荷存储速度。团队发现不打破原有理论框架,难以实现颠覆性结果。大约5年前,他们下定决心从底层物理出发,构建全新理论框架。 “最难的是突破思维模式。”刘春森坦言。经过5年努力,团队从理论上发现无极限注入新路径,体会到转换思路能带来极大速度突破,无极限注入就是这枚“火箭”。 基于这一创新,“破晓”闪存器件速度相当于每秒工作25亿次,一眨眼时间,传统U盘只能工作1000次,而“破晓”可工作10亿次。如此之快的“破晓”,速度完全超越现有存储体系,有望助力AI大模型极速运行。 目前,“破晓”正在往产业化方向推进,已实现小规模中试,未来或将助力中国半导体产业实现突破。#复旦大学 #闪存 #芯片 #破晓 #真空共晶炉
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突破瓶颈!震撼发布!复旦成功研制二维半导体微处理器“无极” 复旦科研团队震撼发布!他们成功研制出全球首款基于二维半导体材料的“无极”微处理器,让科技界为之沸腾! 这款名为“无极”的微处理器,是由复旦大学周鹏、包文中团队联手打造,并在国际权威期刊《自然》上发表。它采用了前沿的二硫化钼MoS2材料,实现了32位RISC-V架构的突破。在32位指令的指挥下,“无极”能轻松完成42亿次数据间的加减运算,支持海量数据存储与访问,还能编写超长的精简指令集程序。 这一成果的背后,是复旦团队长达五年的不懈努力。面对摩尔定律的极限挑战,二维半导体被视为破局的关键。然而,将原子级元件组装成完整系统,工艺精度与规模均匀性的协同良率控制却成了巨大难题。复旦团队凭借自主创新的集成工艺和AI驱动的协同优化技术,成功打破了这一瓶颈,实现了二维逻辑功能的最大规模验证,集成了5900个晶体管。 团队负责人周鹏强调,“无极”微处理器是他们追求根技术、源技术的结晶,旨在通过基础性、原理性的创新来重塑产业格局。未来,他们将继续提升二维电子器件的性能和集成度,并与现有硅基产线技术深度融合,推动二维半导体电子器件的产业化应用。 你对“无极”微处理器的未来应用有什么期待?快来评论区分享你的看法吧!#无极 #芯片 #芯片封装 #半导体设备 #真空共晶炉
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