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三星全球首款12层HBM4E样品性能提升了20%↑,你怎么看 三星全球首款 12 层 HBM4E 样品的性能提升了 20% 以上。 三星电子于 2026 年 5 月 29 日宣布,已正式向全球主要客户交付业界首款 12 层堆叠 HBM4E 样品,进一步巩固了其在人工智能内存市场的领先地位。 与今年早些时候批量生产的 HBM4 相比,HBM4E 在稳定的 14 Gbps 脚位位置下可升级至最高 16 Gbps。性能提升了 20% 以上,单栈带宽高达 3.6 TB/s,能够有效满足大型语言模型(LLM)和新一代人工智能加速器的高密度计算需求。 在容量方面,12 层版本提供 48GB 版本,比上一代增长了 30% 以上,另外还将推出 8 层 32GB 和 16 层 64GB 版本,以满足不同的客户需求。 从技术上讲,三星 HBM4E 将第六代 10nm 级(1c)DRAM 工艺与自身的 4nm 逻辑基芯片相结合,充分利用 HBM4 的量产经验进行优化。 它不仅提高了整体稳定性和产量,还显著改善了低功耗设计和先进的封装结构。能效提高了 16%,耐热性能提高了 14% 以上,散热能力提高了 14% 以上。它适用于高负载数据中心长时间稳定运行。 三星内存执行副总裁黄尚军表示,凭借先进的制造能力和前瞻性的投资,三星将继续推动人工智能内存的发展。 在 HBM4 获得高度客户认可后,HBM4E 有望加快下一代人工智能系统的实施,展示三星在内存、合同制造和先进封装方面的完整解决方案优势。 #三星#数码科技 #芯片 #一起聊数码 #每日分享 @三星⭐️教授 @DOU+小助手 @DOU+上热门 @抖音小助手
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