中国发布芯片研发突破成果

国产注入机突破 国产注入机突破国产炸场！3月19日消息，中国自主研发的串列型高能氢离子注入机成功出束，彻底打破西方技术封锁，实现28nm及以上成熟制程芯片制造设备全自主可控。该设备核心性能对标国际顶尖水平，可广泛应用于晶圆制造、芯片封装等环节，目前已批量交付国内头部晶圆厂，推动国内晶圆厂国产设备占比突破60%。此次突破不仅填补国内高端芯片设备领域空白，更标志着中国芯片制造产业链彻底摆脱对西方设备的依赖，国产替代进程再提速。#氢离子注入机 #国产突破 #技术封锁

中国发布芯片研发突破成果
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发布时间：2026-03-19 10:23
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泽熙 ╲
...
产业链成熟自主可控了，就该动用价格战，挤死国外同行了！[捂脸]
5月前·四川

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云云
...
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4月前·江苏

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企业选址-小阳
...
越来越好
5月前·上海

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