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发布时间:2025-12-23 10:50
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一个破嘴
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  • 中国EUV光刻机原型机问世:自主创新破局与全球半导体格局重构 
文章简介 
中国自主研制的极紫外光刻机(EUV)原型机在深圳完成核心测试,成功产生13.5纳米极紫外光,这一突破打破荷兰阿斯麦(ASML)在该领域的长期垄断,被外媒称作“中国版曼哈顿计划”,标志着中国在先进芯片制造核心设备领域实现从0到1的跨越。 
这一成就依托逆向技术解析、举国体制下的全产业链协同攻关,以及激光感应放电等离子体等多元技术路径探索。华为作为“链长”整合国内光学、精密机械等顶尖力量,长春光机所、哈工大等科研机构的技术积累也奠定了坚实基础。 
尽管从原型机到量产仍面临光源功率、配套材料等多重挑战,商业化应用预计要到2030年左右,但此次突破已深刻冲击全球半导体产业格局,推动供应链从“单一核心”转向“多极并行”,重塑先进芯片制造领域的全球分工与技术话语权,为全球科技竞争注入新的平衡力量。#中国euv光刻机
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    中国EUV光刻机原型机问世:自主创新破局与全球半导体格局重构
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    中国自主研制的极紫外光刻机(EUV)原型机在深圳完成核心测试,成功产生13.5纳米极紫外光,这一突破打破荷兰阿斯麦(ASML)在该领域的长期垄断,被外媒称作“中国版曼哈顿计划”,标志着中国在先进芯片制造核心设备领域实现从0到1的跨越。
    这一成就依托逆向技术解析、举国体制下的全产业链协同攻关,以及激光感应放电等离子体等多元技术路径探索。华为作为“链长”整合国内光学、精密机械等顶尖力量,长春光机所、哈工大等科研机构的技术积累也奠定了坚实基础。
    尽管从原型机到量产仍面临光源功率、配套材料等多重挑战,商业化应用预计要到2030年左右,但此次突破已深刻冲击全球半导体产业格局,推动供应链从“单一核心”转向“多极并行”,重塑先进芯片制造领域的全球分工与技术话语权,为全球科技竞争注入新的平衡力量。#中国euv光刻机
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