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创芯微 CM04M50ST 500V 半桥智能功率模块 功能描述:CM04M50ST 是一款高性价比的 MOSFET 半桥智能功率模块,内部集成了高性能驱动芯片、500V 的 MOSFET 器件以及自举供电二极管。驱动芯片具备多种电路和保护功能,适用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 等领域。 应用领域:主要应用于半桥、全桥电路以及电机驱动。 封装形式:采用 ASOP10 封装。 集成驱动芯片,耐压可达 600V,内置自举供电二极管。 兼容 3.3V、5V 和 15V 多种逻辑输入电压,VCC 和 VB 端电源都带欠压保护。 低端 VCC 电压范围 10V - 20V,内建死区控制电路。 展示了 VB、VCC、HIN、LIN 等主要管脚之间的连接关系以及内部模块的工作原理。 共 10 个管脚,包括低侧 MOSFET 的源极(N)、相输出(VS)、高侧 MOSFET 的漏级(P)等。每个管脚都有明确的功能描述。 极限参数在环境温度为 25℃条件下,给出了高侧悬浮电源(VB)、高侧悬浮地端(Vs)、直流输入电压(VIN)等参数的最小和最大允许值,以及 MOSFET 持续电流、脉冲电流等参数。 推荐使用条件包括高侧悬浮电源(VB)、高侧悬浮地端(Vs)、直流输入电压(VIN)、电源(VCC)等参数的最小、典型和最大推荐值,以及死区时间和工作环境温度的范围。 逆变部分在环境温度 TA = 25℃条件下,给出了 DS 击穿电压、DS 漏电流、DS 导通电阻等参数的测试条件和数值。 控制部分基于电源电压 VCC = VBS = 15V,环境温度 TA = 25℃,给出了输入逻辑信号高电平、低电平,高侧高压偏置漏电流等参数的测试条件和数值。 #IPM #ipm模块 #电机驱动
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创芯微CM1123-DAC 二合一电池保护IC 1. 产品概述 产品名称:CM1123 - DAC 产品类型:集成 MOSFET 单节锂电池保护 IC 应用领域:智能穿戴设备、TWS 等 封装形式:DFN1×1 - 4L 2. 产品特性 过充电保护电压精度达 +20mV,过充电保护电压为 4.475V(VDD = 3.5→4.8V),解除电压精度 +50mV,解除电压为 4.275V(VDD = 4.8→3.5V)。 过放电保护电压精度 +50mV,过放电保护电压为 2.850V(VDD = 3.5→2.0V),解除电压精度 +100mV,解除电压为 3.050V(VDD = 2.0→3.5V)。 放电过流检测精度 +50mA,短路电流检测精度 +100mA,充电过流检测精度 +50mA。 多种功能具备充电器检测及负载检测功能,具有向 0V 电池充电功能,有休眠功能,放电过流状态解除条件为断开负载,解除电压为 VRIOV。 内部功率 N - MOSFET 导通阻抗 RSS (ON) 为 65mΩ。 低功耗工作时 0.65μA(典型值,Ta = +25°C),休眠时 10nA(最大值,Ta = +25°C)。 环保特性:无铅、无卤素 3. 系统功能框图 包括短路比较器、过流比较器、充电器 / 负载检测、过充 & 过放基准、过充比较器、过放比较器、逻辑处理、延时电路以及功率开关管等模块,通过对电池电压和电流的检测实现各种保护功能。 4. 引脚排列图及描述 引脚号及符号1 - VDD(电源端);2、3 - GND(电源接地端,与供电电源电池负极相连);4 - VM(充放电电流检测端子,与充电器负极或负载连接);M1 - NC(无连接,悬空)。 印字说明(1)(2) 为产品序列号 DA,(3)(4)(5) 为生产批次。 5. 产品列表及绝对最大额定值 产品列表给出了 CM1123 - DAC 的 RSS (ON)、过充电保护电压、解除电压、过放电保护电压、解除电压、放电过流检测电流、短路电流检测电流、充电流检测电流等参数值。 绝对最大额定值VDD 和 GND 之间输入电压为 -0.3 ~8V,VM 输入端子电压为 -6~10V,工作温度范围为 -40~ +85°C,储存温度范围为 -40~ +125°C,ESD HBM 模式为 4000V。 #锂电保护板 #智能穿戴 #智能穿戴设备
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十五五规划;半导体产业链及公司梳理 十五五规划下半导体产业链梳理及相关企业盘点 在“十五五”规划聚焦科技自立自强、推进科技立国的战略背景下,半导体产业作为关键核心技术领域,被直接提升至国家战略高度,成为产业链安全与自主可控的重点攻坚方向。今天,我们将系统梳理半导体产业链各环节的核心布局及相关代表企业。 半导体产业链上游聚焦基础支撑领域,是产业发展的核心基石。其中,半导体材料环节,沪硅产业、南大光电、立星微等企业在硅片、光刻胶等关键材料领域持续发力;半导体设备环节,北方华创、中微公司、华海清科等企业覆盖刻蚀、薄膜沉积等核心设备研发与生产;半导体芯片环节,寒武纪、地平线、兆易创新在AI芯片、存储芯片等领域深耕,英伟达则在高端芯片领域具备重要影响力;云端支撑环节,阿里云、腾讯云依托强大算力基础设施提供底层服务,铜牛信息在细分云服务领域形成差异化优势。 产业链中游承担技术转化与场景衔接的关键作用,主要涵盖AI视觉、核心算法、安防感知等板块。海康威视将芯片技术与安防场景深度融合,构建完整解决方案;科大讯飞在智能语音与认知算法领域积累深厚;商汤科技、旷视科技、云从科技专注计算机视觉技术产业化;三六零依托安全技术拓展AI应用,海天润声则在语音交互算法领域持续突破。 产业链下游是技术落地与价值释放的终端,聚焦AI办公、AI医疗、AI自动化等核心应用场景。卫宁健康、京东健康深耕AI医疗领域,分别在医疗信息化、智能医疗服务生态建设中发力;药明康德将半导体技术融入医药研发自动化流程;中兴通讯聚焦通信设备中的半导体应用,支撑数字基础设施建设;同花顺、金山办公则分别在金融AI、智能办公软件领域实现技术落地,国光电器在智能硬件领域承接半导体应用需求。 从当前产业动态来看,半导体板块多家企业股价已实现大幅上涨,尤其是AI芯片与半导体材料细分领域,部分企业估值处于相对高位。对于投资者而言,建议优先保持观察态势,密切跟踪产业技术进展与企业业绩表现,等待更合适的入场时机。#知识分享#半导体 #芯片 #科技 #涨知识
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兆易创新 半导体里跑最慢的? 兆易创新,业绩优秀,市场地位稳固,为何跟不上半导体趋势?是市场不看好存储行业吗?还是兆易创新自身不给力?#兆易创新 #工业富联 #智飞生物#复星医药 #泰格医药 #凯莱英#药明康德 #分红 #中报 #二季报#恒瑞医药 #百济神州 #创新药 #CRO #受益 #战略意义 #开工 #水电站#基康技术 #五新隧装 #苏博特 #中国电建 #众生药业#贝因美 #海螺水泥 #长城军工#西藏天路 #保利联合 #高争民爆 #壶化股份 #华新水泥 #易普力 #东方电气 #江南化工 #四方新材 #铁建重工 #筑博设计 #西藏旅游 #上市公司 #水力发电站 #中标 #水利 #水泥 #建筑机械#新易盛 #长城军工 #中国长城 #胜宏科技 #公司分析 #深度分析 #价值投资 #深度拆解 #中际旭创 #中国稀土 #包钢股份 #银行股回调 #越秀资本 #越秀金控 #多元金融 #粤港澳大湾区 #金控 #深度分析 #最新 #分析 #股票分析 #消息 #稳定币 #工商银行 #招商银行 #股票 #投资 #A股 #突破 #3500点 #跨境通 #华银电力 #中油资本 #大智慧 #业绩 #中报 #稀土 #楚天龙 #利欧股份 #英伟达 #订单 #今天 #业绩预告#业绩#怎么样#估值分析 #光模块 #CPO #贝因美 #恒生电子 #深南电路 #胜宏科技 #鹏鼎控股 #沪电股份 #东山精密 #PCB #上玮新材 #恒瑞医药 #盛和资源 #山河智能 #新易盛 #胜宏科技#三六零 #中国船舶 #中国重工 #重组 #东方精工 #福日电子#创新医疗 #宁波韵升 #恒宝股份
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创芯微 CM1128 - AAS 单节锂电保护 CM110X/111X系列产品是高集成度的二合一单节锞电池保护芯片,采用高电压CMOS工艺,内部集成了保护IC和MOSFET,可为电池提供过充电、过放电、放电过电流、充电过电流、短路等保护功能,同时具备休眠功能,在低电芯电压条件下可实现对电芯的保护,并保证极低的自耗电,具有高集成度、高精度、低功耗及高耐压等特点。CM1124/1126/1130/112E/2124系列产品是高集成度的二合一单节锂电池保护芯片,可为电池提供过充电、过放电、放电过电流、充电过电流、短路等保护功能,芯片具有高集成度、高精度、低功耗和体积小等特点。同时CM126B、CM1130系列产品支持船运模式,使小容量电池满足海运运输及长期存储需求,同时,均采用体积极小的DFN1.0*1.0/SOT23封装形式,可以满足最小至TWS电路板的贴片需求。CM1125/1127/1131/1137系列产品是高集成度的二合一单节锂电池保护芯片,可为电池提供过充电、过放电、放电过电流、充电过电流、短路等保护功能,芯片具有高集成度、高精度、低功耗和体积小等特点,是TWS充电仓、智能穿戴及通用市场等锂离子/锂聚合物电池保护的高集成度解决方案。CM1128/1129/1139/1143系列产品内置有高精度电压检测电路和延迟电路,集成低内阻MOSFET,通过检测电池的电压、电流,实现对电池的过充电、过放电、过电流短路等保护。不仅适用于移动电源等大电流需求设备,也适用于单节锂离子/锂聚合物可充电电池CM1128/1129/1143系列采用的较小封装及至多两个外部组件的需求,使其成为电池组空间有限的理想解决方案。 功能特点 过充电保护电压:4.275V,精度 +25mV。当电池电压高于此值并持续一定时间,会触发过充电保护。 过充电解除电压:4.075V,精度 +50mV。电池电压降低到该值以下时,过充电状态解除。 过放电保护电压:2.400V,精度 +80mV。电池电压低于此值且持续一定时间,进入过放电保护。 过放电解除电压:3.000V,精度 +100mV。满足特定条件时,电池电压高于该值可解除过放电状态。 #国产芯片
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