环旭电子,作为全球领先的电子设计制造服务企业,凭借其在系统级封装(SiP)微小化技术领域的卓越成就,奠定了行业先锋地位。该技术能够将芯片及被动器件高度整合于同一模块之中,不仅显著缩小了功能模块的面积,还大幅提升了电路系统的整体效率,并有效屏蔽了电磁干扰。环旭电子在单面塑封、双面塑封以及晶圆制造前段制程等关键领域持续精进,成功开发出多种先进制程,进一步巩固了其技术优势。 环旭电子的产品广泛覆盖了通讯、云端及存储、消费电子、工业、医疗以及车用电子等多个领域。其SiP模组被广泛应用于安卓系统的手机、手环、手表等消费电子产品,同时在汽车电子领域也取得了显著成就,为汽车提供功率模组、驱动牵引逆变器、电池管理系统(BMS)等关键产品。此外,公司设立了微小化研发创新中心(MCC),并开发了SiP双引擎技术平台,能够为客户提供多样化、定制化的系统封装解决方案,满足不同客户的复杂需求。 在全球布局方面,环旭电子展现出强大的战略眼光。公司在全球12个国家和地区设立了30个生产据点,通过收购法国飞旭集团等跨国并购项目,进一步拓展了其全球业务版图。这种广泛的布局不仅使其能够更好地满足客户在不同地区的生产需求,还能够提供在地化服务,确保快速响应和高效交付。 在生产效率提升方面,环旭电子同样表现卓越。公司自主开发了双手臂模组测试平台,通过先进的自动化设计,大幅提高了生产效率,同时节省了大量的人力和时间成本。此外,公司还建立了完善的生产资料自动收集系统(ADC),能够快速、准确地了解生产状况,并据此优化生产能力,确保生产的高效与稳定。 环旭电子凭借其领先的技术、广泛的产品应用、全球化的布局以及高效的生产管理,正不断推动电子设计制造服务行业的发展,为全球客户提供卓越的产品和服务。#科普 #涨知识 #资讯
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MEMS2年前
MEMS工艺中的电子束光刻主要流程有,1.基片表面预处理:硅片表面粗糙度、热膨胀系数低,在MEMS光刻中通常采用硅片作为基底。为确保光刻胶涂覆均匀,需要使用化学溶液对表面进行清洗,后用去离子水漂洗并干燥。2.旋涂光刻胶:涂胶方法有旋涂法、喷涂法和定量滴胶法。由于PMMA黏度较大,涂覆厚度一般不大于1微米,通常采用旋涂法。将光刻胶滴在硅片中心处,使硅片高速旋转,光刻胶在离心力的作用下均匀铺满整个硅片。3.前烘:前烘可使光刻胶中的溶剂挥发,使其与硅片之间的结合力更强。前烘过度则会导致胶膜硬化,胶膜硬化不利于其内应力的消除,前烘不足溶剂挥发不完全,胶膜出现缺陷,显影时存在浮胶现象。4.曝光:曝光是电子束光刻工序中最复杂的一步,曝光的图形尺寸精度直接影响零件的尺寸精度。曝光剂量对曝光效果的影响最大,若曝光剂量不足,显影时会出现光刻胶残留在硅片表面,显影图案不完整、形状不规则。若曝光剂量增大到一定程度,被曝光区域的 PMMA 光刻胶将呈现出负胶性质,显影后无法被去除。5.显影:显影液可溶解光刻胶被曝光的部分(正胶)或未被曝光的部分(负胶),是产生图形的关键工艺。显影工艺的关键是显影液类型的确定和显影时间的控制,此外,显影液的配比、温度也会对图形质量产生明显影响。6.坚膜:坚膜又称硬烘,目的是通过烘烤使光刻胶胶模中残留的显影液和定影液挥发出来,同时提高光刻胶与基片之间的结合力,烘烤的温度时间视光刻胶的种类及旋涂后的胶膜厚度而定,如果坚膜不到位可能会出现胶膜倒塌的情况。7.金属沉积及去胶:通过在光刻胶图案上回填器件设计所需的材料,例如沉积金属或非金属材料,去除多余的光刻胶后,就可以得到所需的器件,其原理类似于机械加工中的注塑。目前主要的金属沉积方式为微电铸、磁控溅射、蒸发镀膜等方法,但在微纳米尺寸的电铸中,由于电铸液表面张力的存在使其难以进入胶模。因此,目前主要采用磁控溅射及热蒸发的方法。PMMA 胶易溶于丙酮,选用丙酮作为去胶剂溶解光刻胶,光刻胶溶解后薄膜悬空,可使用超声波清洗机将悬空的金属薄膜去除,这样硅片上就只保留了我们需要的金属MEMS器件。#光刻机 #MEMS #光刻加工 #电子束光刻 #微机电系统
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