00:00 / 03:44
连播
清屏
智能
倍速
点赞1
00:00 / 00:59
连播
清屏
智能
倍速
点赞117
00:00 / 04:37
连播
清屏
智能
倍速
点赞70
00:00 / 02:19
连播
清屏
智能
倍速
点赞8
00:00 / 00:52
连播
清屏
智能
倍速
点赞18
固态提纯方法制备超高纯度单晶石墨 高纯材料是现代半导体、新能源和航空航天等尖端科技领域的基础性关键材料,其纯度水平决定了核心器件的性能极限。然而,针对超高升华点(~3000 ℃)的范德华材料(如石墨),传统方法无法实现有效提纯。目前工业上采用的石墨提纯工艺主要依赖化学浸渍和高温重结晶技术,这些方法虽然能够部分去除杂质,但相关工艺过程会对石墨的本征晶格结构造成严重破坏,导致其电导率、热导率和机械强度等关键性能指标大幅下降。具有完美晶格结构的超高纯度单晶石墨材料长期处于匮乏状态,是影响量子器件、结构超滑等特种材料发展的一个因素。因此,开发超高纯度石墨提纯方法,突破现有工艺的纯度极限和结构完整性限制,对前沿研究和工业应用具有十分重要的意义。 针对上述难题,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心表面物理实验室白雪冬研究员、北京大学刘开辉教授与合作者提出了“晶格传质-界面生长”的固态提纯新方法,制备出目前已知纯度最高的单晶石墨,材料性能指标全面超越现有商用及科研级同类产品。研究团队以镍晶格为原子级传质媒介,将待提纯的碳原料放置于单晶镍基底一侧,通过精准解析不同元素在镍中的吸附、扩散及析出能垒,构建了具有元素选择性的原子筛提纯机制。该提纯方法如同为碳原子打造了一条“高速专用通道”,仅允许碳原子在镍晶格中定向传质,并在界面处有序外延生长,从而实现了超高纯度单晶石墨晶体的制备。#物理#科学#科研进展#中科院#中科院物理所
00:00 / 00:12
连播
清屏
智能
倍速
点赞571
00:00 / 01:07
连播
清屏
智能
倍速
点赞17
00:00 / 02:43
连播
清屏
智能
倍速
点赞16