天雨侠1周前
4月27日消息,近日,海外科技博主Dr.Semiconductor(半导体博士)完成了全球第一次DIY壮举。他在自家后院棚屋改造的洁净室里,成功制备出内存存储单元阵列,实现了史上首次在家自制RAM内存的突破。这可不是简单的二次拼接,而是从零开始的晶圆级手搓。他还通过视频,完整展示了家用环境下芯片制造的全流程半导体工艺。 视频中,半导体博士先对内存工作原理做了简要说明。他提到,计算机内存的核心,是由大量电容和晶体管组成的巨型阵列。随后,他一步步展示了完整的芯片制备流程。 制备第一步,是从大片硅片上裁切出芯片基底,完成芯片制造的准备与清洗环节。 接下来是初始图形化阶段。他将硅片放入高温炉,在硅片表面生长出厚度约330纳米的氧化层。随后在氧化层表面,依次涂覆粘附层与光刻胶薄膜。通过紫外曝光,把设计好的掩膜图案投射到硅片表面,再用显影液洗去被光线照射的区域,完成图形转移。 之后的工序,是制备晶体管的源极与漏极。这一环节包含多轮图层刻蚀,对暴露的硅区域进行掺杂以提升导电性,再对芯片进行退火处理,让掺杂剂进一步深入硅片内部。 经过多轮精准的沉积与刻蚀工序后,芯片进入金属化环节。他用微型掩膜版,向芯片样品精准喷涂铝金属,剥离掉多余的金属部分,完整的内存芯片就此完成制备,进入测试环节。 自制的DRAM存储单元尺寸极小,无法用常规导线连接测试设备。他采用显微操作探针,完成了精准对接测试。测试结果显示,存储单元的电容达到了爱好者适用的12pF,半导体博士对成品表现十分满意。 半导体博士坦言,这次的成果只是一小步。他在视频结尾透露,将基于这次的突破,制备规模更大的成品存储单元阵列,目标是实现能直接接入PC使用的规模。他也向观众预告,敬请期待后续PC级的实用化成果。 #半导体博士 #手搓芯片 #内存芯片 #内存 #RAM
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