天雨侠4天前
5月24日消息,据韩媒报导,美国内存大厂美光(Micron)近期开始招募核心高带宽内存(HBM)设计人员,并开出在韩国首尔工作的条件,这使韩国业界感到担忧,认为三星电子在陷入劳资冲突的情况下,或难有效解决这类人才挖角行动。 美光这次招募的HBM设计架构师,属于高阶内存设计人员的核心职位。业界透露,若以美国标准估算,资深级的年薪大约落在1亿韩元(约折合66670美元)至1.5亿韩元之间,而首席级年薪最高可达约3亿韩元(约20万美元)。在底薪之外,还另外提供绩效奖金与股票酬劳。 美光也正积极扩大在韩国市场的能见度,最近正在筛选韩国在地专业公关代理商,替韩国子公司 Micron Semiconductor Korea强化公关与媒体沟通。 韩媒引述半导体业界内部消息报导,美光近期开始在韩国招募HBM设计人员,职缺类别为「资深HBM设计架构师」(Staff HBM Design Architect)与「首席HBM设计架构师」(Principal HBM Design Architect),工作地点就位在首尔。  业界普遍认为,从包括在首尔工作的招募条件来看,美光目的在争取韩国本土的核心HBM人才。也有一派解读,美光提供不需承担迁往海外生活负担、直接在韩国本土工作的条件,其实是一种策略性的诱因,目的是让三星电子与SK海力士的现职员工能够毫无顾虑地提出求职申请。 报导指出,三星电子近期因绩效奖金制度与待遇问题爆发劳资冲突,等于替美光等全球内存半导体业者提供绝佳的切入机会。 美光开出的职缺主要负责下一代HBM产品的数字与模拟DRAM电路设计及分析工作,不仅包含高速DRAM与混合讯号电路的功耗、面积与速度优化,也涵盖HBM产品的架构方向审查与功能验证。 美光在求才公告中表示,征才的主要目标是「为人工智能(AI)、机器学习(ML)以及高效能运算(HPC)开发下一代HBM解决方案」。 #美光 #HBM #DRAM #内存 #韩国
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