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台积电技术创新展望:从CFET到二维材料,引领半导体行业变革 在2025年台积电技术研讨会的首次活动中,台积电执行副总裁兼联席运营总监Dr. Yuh-Jier Mii深入展示了公司在半导体领域的最新技术进展。此次分享的内容聚焦于半导体晶体管架构的创新,涵盖了从FinFET到Nanosheet的技术演进、CFET(垂直堆叠晶体管)技术的突破、二维材料的应用以及新型互连技术的研发。这些技术的进步不仅为半导体行业带来了新的发展机遇,也为未来的芯片设计奠定了基础。 1. 从FinFET到Nanosheet:晶体管架构的演进 半导体晶体管的架构正在经历重要的转型。Dr. Mii指出,目前的主流技术FinFET正在逐步过渡到Nanosheet架构,后者通过将晶体管的栅极宽度增加,从而实现更小尺寸下的更高性能。这一架构转型对于推动芯片小型化和提高功效至关重要,Nanosheet晶体管能在不牺牲性能的情况下实现更高的集成度和更低的能耗,预示着芯片技术迈向一个新阶段。 2. CFET技术:下一代晶体管架构的关键突破 除了Nanosheet架构外,台积电还在推进CFET(互补场效应晶体管)技术的发展。CFET技术通过将NFET(负载电子晶体管)和PFET(正载电子晶体管)垂直堆叠,实现了在更小空间内集成更多晶体管,从而进一步提高芯片的性能与效率。 3. 二维材料:提升晶体管性能的新利器 二维材料的应用也为台积电的晶体管技术带来了革命性的变化。Dr. Mii提到,台积电已经实现了采用单层二维材料的纳米片架构,并展示了这种新型结构在1V电压下的电气性能。 4. 新型互连技术:解决电阻与延迟问题 随着芯片尺寸的进一步缩小,互连技术的创新显得尤为重要。Dr. Mii强调,台积电正在积极研发新型互连材料,以解决传统铜互连面临的电阻和延迟问题。
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【拆解TE可持续DNA: 把绿色技术变为商业竞争力】 TE是总 部 位 于 爱 尔 兰 的 一家全 球 行 业 技 术 公 司,是全球知名的连接器与传感器供应商。今天咱们聊聊这家企业如何用绿色技术改写行业规则, 大家好,我是商学院杂志朱耘,新一期《商学院》又和大家见面了,这一期,我们来看看 ESG 如何引领新商业文明。 你知道吗?汽车生产中有个头疼的问题,那就是铜材太贵,还稀缺。就拿汽车线束来说,以前主要用铜,可铜资源有限,价格还一路飙升,让车企成本压力山大。这时候,TE 站了出来,搞出了 “铝代铜” 技术。别小看这一替换,效果惊人!TE在今年4月发布的新一代低压铝芯载流线技术,预计推广后,中国汽车市场每年能少用 30 万吨铜,减排二氧化碳约85万吨。 这样的案例还有很多,比如TE从生物质来源的甘蔗中提取原料来生产聚乙烯,替代传统从石油来源生产的聚乙烯,每年可减少约2000多吨的碳排放。 在节能降碳的路上,TE坚定地认为,可持续转型,绝非一家企业的“独角戏”,需要上下游共同谱写“协奏曲”。现在,ESG已经纳入了TE的业务战略,不仅能帮助TE更好地应对未来风险,也能为社会和环境带来积极的影响,这是对TE创造一个更安全、可持续、高效与互连未来使命的生动实践。 当全球气候危机加剧、社会不平等持续扩大、公司治理丑闻频发,传统 “股东至上” 模式面临挑战。ESG 理念的兴起,是商业世界对自身异化的救赎。新商业文明的篝火已经点燃,商学院杂志 6 月刊记录的中国企业 ESG 实践,正是这一历史进程的当代注脚。
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争锋!1nm芯片大战:谁将主宰未来十年科技命脉? —— 英特尔、三星、台积电、日本新锐的生死时速 当芯片尺寸逼近1纳米,人类正在挑战硅基文明的终极极限。 这是一场关乎未来十年科技话语权的战争——英特尔、三星、台积电,以及日本赌上国运的Rapidus,谁能率先撞线?谁又将跌落神坛? 英特尔——老牌巨头的绝地反击 技术亮点 RibbonFET晶体管:比FinFET强30%! PowerVia背面供电:性能与成本的终极平衡术 2:三星——速度与风险的狂飙 致命弱点 3nm良率仅20%,1nm或成灾难? 客户流失:台积电拿走苹果、英伟达9成订单 3:台积电——王者的制霸逻辑 技术霸权 CoWoS-L封装:让英伟达GPU算力翻倍 二维半导体材料:0.7纳米的革命性突破 4:Rapidus——日本的国运赌局 生存危机 客户荒:苹果、英伟达为何不买账? 人才断层:全球最贵‘实习生’计划 1nm或许是人类在硅基芯片上的最后一舞。 量子隧穿、散热地狱、3.5亿欧元的光刻机门票……这场战争没有退路。 但赢家将掌控未来十年的科技咽喉——AI、元宇宙、自动驾驶,规则都由芯片定义。 英特尔能否重生?三星能否逆袭?台积电是否不可战胜?日本的孤注一掷又能否改写历史? 答案,藏在未来五年的每一纳米里。 1nm战争,没有旁观者。 你手中的每一台设备,都在见证历史。#1nm芯片 #芯片 #先进制程 #半导体 #台积电
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