T王T哥4天前
露笑科技:碳化硅赛道的“芯”玩家 1月16日公司股价报收8.66元,成交额接近19亿元。当日盘后,一则关于其子公司“8英寸导电型碳化硅衬底取得重大突破”的消息,让露笑科技再次站上风口浪尖。资本市场对露笑科技的期待,很大程度上押注在碳化硅业务的“未来”。 碳化硅(SiC)是第三代半导体的核心材料之一,相比传统的硅基半导体,它具有耐高压、耐高温、高频性能好等优势,是电动汽车、光伏逆变器、储能系统等领域的“理想材料”。 碳化硅衬底是制造功率器件的基石,如同建造高楼大厦的地基。尺寸越大,意味着单片衬底能切割出更多的芯片,生产效率更高,成本更低。 目前行业主流是6英寸,而8英寸是下一代技术方向。露笑科技此次突破,具体体现在: 晶体质量过硬:全面掌握了8英寸晶体的生长工艺,生长出的晶体结晶质量高、晶型稳定,保证了产品性能的一致性。 关键指标领先:在微管密度、表面粗糙度、位错密度等核心参数上,已达到或优于行业主流标准,为下游制造高性能器件打下了坚实基础。 自主可控全链条:公司拥有自主知识产权的晶体生长设备,实现了从长晶到衬底加工的全产业链布局,技术自主性高。 公司早在2018年就深耕碳化硅领域,独家掌握的“导模法”长晶技术能有效降低缺陷。从6英寸量产(良率约65%)到8英寸突破,技术迭代能力得到验证。8英寸衬底量产后,预计成本可比6英寸降低约40%。这将在新能源汽车800V高压平台、光伏逆变器、储能等对成本和性能都极度敏感的市场中,形成强大的竞争力。 碳化硅是公司最核心的增长曲线。8英寸技术突破,意味着其核心引擎从“6英寸量产”升级为“8英寸领先”,打开了更大的成长空间和盈利天花板。公司已规划在合肥基地一期基础上,重点建设8英寸产线,以快速形成规模产能。 在全球碳化硅衬底市场,海外巨头如Wolfspeed仍占据主导。8英寸是国内企业实现“弯道超车”的关键尺寸。露笑科技的突破,增强了国产供应链在高端材料领域的自主可控能力,有望在国产替代浪潮中分得更大蛋糕。 然而,理想与现实之间仍有距离。与此同时一个值得注意的“冷”消息是,公司曾规划的百亿元级“第三代功率半导体(碳化硅)产业园项目”近期被大幅“瘦身”。募集资金投资总额从19.4亿元下调至9.9亿元,近一半资金被转为永久补充流动资金。 #露笑科技 #半导体材料 #碳化硅衬底 #碳化硅 #第三代半导体碳化硅
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2026年碳化硅(SiC)在消费类市场替代硅基,核心是成本逼近+场景突破+生态协同三步走,优先从高价值、高功率密度的细分场景切入,逐步扩大替代范围。 一、替代核心逻辑 - 性能硬优势:高耐压、高频、低损耗、耐高温,适合快充、LED驱动电源,大功率适配器、电源模块等场景,可实现体积缩小30%-50%、效率提升0.5-1个百分点、散热需求降低。 - 成本临界点:2026年8英寸衬底量产+良率提升(6英寸良率超95%),SiC器件价格降至低于硅基产品,650V消费级产品低于硅基价格;垂直整合方案(衬底+外延+器件)可降本25%+。 - 系统价值:长期看,SiC带来的能效提升、散热简化、寿命延长,能覆盖初期溢价,尤其适合对能效和体积敏感的消费电子。 二、2026年替代路径与场景 1. 高功率快充与适配器(优先突破) - 目标:替代650V以上硅基MOSFET/IGBT,主攻100W+快充头、笔记本适配器、电动工具电源。 - 案例:碳化硅650V消费级SiC MOSFET价格接近硅基,2025年出货破千万颗;苹果MacBook Pro或采用SiC基混合功率器件,实现高效供电。 - 策略:推出“SiC+GaN”混合方案,兼顾高频与高压优势,降低系统成本与设计难度。 2. 智能家电与工业级消费设备 - 目标:替代空调、冰箱、工业变频器中的硅基功率器件,提升能效、缩小体积。 - 案例:美的工业变频器采用SiC模块,损耗降低60%;空调电源用SiC方案,能效达99%+,符合新能效标准。 - 策略:与家电厂商联合开发,提供“芯片+模块+方案”一体化服务,缩短验证周期。 3. 数据中心与AI终端电源 - 目标:替代服务器电源、AI加速卡电源中的硅基器件,应对高功率密度与散热挑战。 - 案例:国内半导2026年推出SiC数据中心电源产品,效率提升0.8个百分点,降低PUE值。 - 策略:聚焦200-800V高压平台,发挥SiC高频低损耗优势,适配AI服务器高功耗需求。 4. 新兴消费电子(增量拓展) - 目标:AI眼镜、AR/VR设备、无人机电源等,追求小型化与长续航。 - 策略:开发小封装、低导通电阻的SiC器件,与终端厂商协同优化电源管理系统。 三、关键举措(2026年落地) 1. 成本控制:推进8英寸晶圆量产,良率提升至80%+,单位成本降30%+;采用沟槽栅、双面冷却等先进工艺封装
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