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发布时间:2026-05-29 09:56
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5月25日消息,三星电子利用单元多层键合技术,将两片450层3D NAND晶圆垂直整合,成功构建出全球首个900层超高堆叠闪存原型,存储单元工作特性已完全验证!
这意味着什么?传统3D NAND一次只能堆叠一片晶圆,层数到顶就得换工艺。三星直接用CMB技术把两片450层"焊"在一起,一步跳到900层,彻底突破单次堆叠物理极限。
三大核心黑科技支撑:一是自研"上部卡盘"技术,解决高层堆叠晶圆翘曲难题;二是新型套刻校正技术,键合对准误差控制在纳米级,良率有保障;三是优化位线与字线结构,密度翻倍的同时功耗和芯片尺寸反而下降。
当前量产市场,SK海力士以321层4D NAND领先,三星年内要量产400层以上第十代V-NAND,这次直接亮出900层原型,技术代差进一步拉大。
AI服务器、数据中心SSD、高端手机存储,全靠3D NAND撑着,层数越高密度越大。三星这波,又在给整个行业立新标杆。🔥#三星电子 #芯片封装 #半导体设备 #真空回流炉
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